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[发明专利]三维NAND结构制造的方法与设备-CN202080030750.7在审
发明人：小泽武仁;穆昆德·斯里尼瓦桑;北岛知彦;姜昌锡;姜声官;吉尔·Y·李;苏米特·辛格·罗伊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本文提供了用于形成多个非易失性储存单元的方法和设备。在某些实施方式中，方法例如包括形成多个非易失性储存单元，包括在基板上形成金属层交替的堆叠，金属层包括第一金属层和不同于第一金属层的第二金属层；去除第一金属层以在第二金属层的交替层之间形成空间；以及沉积第一材料层以部分地填充空间以在其中留有气隙或沉积第二材料层以填充空间这两步骤之一。
三维 nand 结构制造方法设备

[发明专利]3-D NAND模具-CN202080024449.5在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦;穆昆德·斯里尼瓦桑;桑杰·纳塔拉扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了制造存储器装置的方法。所述方法减小第一层的厚度并且增大第二层的厚度。半导体装置被描述为具有：膜堆叠，所述膜堆叠在所述装置的第一部分中，包括交替的氮化物层和第二层，所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和第二层具有氮化物∶氧化物厚度比(Nf∶Of)；和存储器堆叠，所述存储器堆叠在所述装置的第二部分中，包括交替的字线层和第二层，所述存储器堆叠的所述交替的字线层和第二层具有字线∶氧化物厚度比(Wm∶Om)，其中0.1(Wm∶Om)＜Nf∶Of＜0.95(Wm∶Om)。
nand 模具

[发明专利]用于个性化追加购买的系统和方法-CN201510379398.9在审
发明人：乔纳森·R·布尔;穆昆德·斯里尼瓦桑 -专利权人：西尔品牌有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于个性化追加购买的系统和方法，具体地涉及确定并促销产品项目的系统和方法，其中，消费者的当前个人信息被用于在确定并促销基于消费者的当前个人信息在完成当前订单时针对消费者具体选择的用于购买的额外产品项目。然后，就消费者而言，可以使用来自所完成订单的信息而花费最小的额外功夫将推荐的产品项目下单。这使得消费者很可能对推荐的产品项目产生兴趣并因此购买该产品项目。
用于个性化追加购买系统方法

[发明专利]小型等离子体腔室系统和方法-CN201080054616.7有效
发明人：理查德·戈特朔;拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯里尼瓦桑 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于模拟数据中心的元件的非标准操作的计算机实现方法和数据中心管理装置。所述方法包括如下行为：确定受数据中心元件影响的一个数据中心源、基于该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器以及利用该模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。该数据中心管理装置包括网络接口、存储器以及耦合到该网络接口和该存储器的控制器。该控制器被配置来确定受数据中心元件影响的数据中心源、基于该该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器并利用该第一模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。
小型等离子体腔系统方法

[发明专利]长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件-CN200880114683.6有效
发明人：特拉维斯·R·泰勒;穆昆德·斯里尼瓦桑;鲍比·卡德霍达彦;K·Y·拉曼努金;比利亚纳·米琪杰尔治;吴尚华 -专利权人：朗姆研究公司;赛瑞丹公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
寿命消耗氮化二氧化硅等离子处理部件

[发明专利]用于等离子蚀刻室的集成的电容性和电感性电源-CN200780006844.5有效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯里尼瓦桑;竹下健二;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;安德烈亚斯·菲舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：大体上说，本发明通过提供改进的处理清洁机制满足了这些需求。本发明也可用来提供额外的调整蚀刻处理用的旋钮。在一实施例中，一种配置为产生等离子的等离子处理室包含了具有下电极的下电极组件，其中该下电极配置为容纳基片。等离子处理室还包含具有上电极及围绕上电极的感应线圈的上电极组件。感应线圈配置为限定在处理室内的区域中将气体转变为等离子，其中该区域位于限定在下电极的上表面上方的区域的外部。
用于等离子蚀刻集成电容感性电源

[发明专利]从基片边缘注入处理调谐气体-CN200780006231.1无效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯里尼瓦桑 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：大体而言，本发明的实施例提供了改进的等离子处理机构、设备和方法以提高基片边缘处的处理均匀性。在一个示范性实施例中，提供一种等离子处理室。该等离子处理室包括一个配置为容纳基片的基片支撑件。该等离子处理室还包括一个具有多个限定于其中的气体通道的环形圈。该环形圈邻近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与该基片支撑件耦合。该多个气体通道连接至一个围绕该基片支撑件的边缘气体室。该边缘气体室通过多个气体供应管道连接至一个设置在该基片支撑件内且靠近该基片支撑件中心的中央气体室。
边缘注入处理调谐气体

[发明专利]蚀刻形貌控制-CN200680018829.8有效
发明人：卡梅利娅·鲁苏;黄志松;穆昆德·斯里尼瓦桑;埃里克·A·赫德森;阿龙·埃普勒 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O₂和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H₂S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
蚀刻形貌控制

[发明专利]在介电层中蚀刻开口的方法-CN200710097649.X无效
发明人：阿龙·埃普勒;穆昆德·斯里尼瓦桑;罗伯特·舍比 -专利权人：蓝姆研究公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种在介电层中蚀刻开口的方法，包括：将半导体基板支撑于等离子蚀刻反应器中，该基板具有介电层及位于该介电层上的图案化光致抗蚀剂层及/或硬质掩模；向等离子蚀刻反应器供应蚀刻剂气体，其包括(a)碳氟化合物气体(C_xF_yH_z，其中x≥1，y≥1且z≥0)；(b)氢气或碳氢化合物气体(C_xH_y，其中x≥1且y≥4)；(c)可选含氧气体；及(d)可选惰性气体；其中该氢气或碳氢化合物气体对该碳氟化合物气体的流速比≤0.5；将该蚀刻剂气体激发为等离子状态；以增强的光致抗蚀剂和/或硬质掩模对介电层的选择性及最小光致抗蚀剂变形或条纹在介电层中蚀刻若干开口，其中该介电层包含其间具有或不具有阻蚀层的低k材料的层堆栈。
介电层中蚀刻开口方法

[发明专利]具有改进型抗蚀剂及/或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法-CN03815546.X有效
发明人：阿龙·埃普勒;穆昆德·斯里尼瓦桑;罗伯特·舍比 -专利权人：蓝姆研究公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种在介电层中蚀刻开口的方法，该方法包括：将一半导体基板支撑于等离子蚀刻反应器中，该基板具有一介电层及位于该介电层之上的图案化光致抗蚀剂及/或硬质掩模层；向等离子蚀刻反应器供应蚀刻剂气体，该蚀刻剂气体包括(a)一种碳氟化合物气体(C_xF_yH_z，其中x为1，y为1且z为0)；(b)一种含硅烷气体、氢气或碳氢化合物气体(C_xH_y，其中x为1且y为4)；(c)一种可选含氧气体；及(d)一种可选惰性气体，其中该含硅烷气体对该碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.1，或该氢气或碳氢化合物气体对该碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.5；将该蚀刻剂气体激发为等离子；以增强的光致抗蚀剂/硬质掩模对介电层的选择性及/或最小化的光致抗蚀剂变形或条纹在介电层中等离子蚀刻若干开口。
具有改进型抗蚀剂蚀刻轮廓特征介电膜用方法

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