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[发明专利]一种金纳米棒材料的可控腐蚀方法-CN202011631711.0在审
发明人：邓天松;卫鸣璋;张棋;顾伊杰;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米棒材料的可控腐蚀方法，首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液。并用磁力搅拌器剧烈搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到金纳米棒原料。
一种纳米材料可控腐蚀方法

[发明专利]基于支路并联双扇形微带线的混合EFJ类功率放大器及设计方法-CN202110120030.6在审
发明人：刘国华;王维荣;简叶龙;赵众;黄谢镔;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于支路并联双扇形微带线的混合EFJ类功率放大器及设计方法，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路。其中，输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路，漏极偏置电路与漏极并联，输出匹配电路的输出端作为功率输出。
基于支路并联扇形微带混合 efj 功率放大器设计方法

[发明专利]一种金纳米棒表面生长介孔二氧化硅材料的制备方法-CN202011631694.0在审
发明人：邓天松;卫鸣璋;张棋;顾伊杰;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米棒表面生长介孔二氧化硅材料的制备方法，首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液，得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后，将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中，在加入一定量的NaOH溶液后，得到最终产物。
一种纳米表面生长二氧化硅材料制备方法

[发明专利]一种特殊结构的金-铂材料的合成方法-CN202011641763.6在审
发明人：邓天松;张棋;卫鸣璋;顾伊杰;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种特殊结构的金‑铂材料的合成方法，这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒两端的铂。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长铂。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，铂酸盐，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的两端上成功生长出铂。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成的金‑铂材料使得铂能够完全生长在金纳米棒的两端，而金纳米棒的侧面则无铂沉积。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
一种特殊结构材料合成方法

[发明专利]一种通过盐酸调控长径比金纳米棒材料的制备方法-CN202011603176.8在审
发明人：邓天松;卫鸣璋;张棋;顾伊杰;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过盐酸调控长径比金纳米棒材料的制备方法，包括以下步骤：将一定量的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、油酸钠(NaOL)在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入盐酸、抗坏血酸与种子溶液。并用磁力搅拌器搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到最终产物。
一种通过盐酸调控长径纳米材料制备方法

[发明专利]宽频带宽波束无人机导航天线-CN202011553090.9在审
发明人：周涛;程知群;金江亮;潘勉;董志华;李世琦;刘国华;刘杰;陈科明;石仁刚;迟梦娇;李郴 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽频带宽波束无人机导航天线，包括五个介质基板、四个天线单元以及一个印制在介质基板的馈电网络，四个天线单元顺序旋转放置，等幅度馈电，相邻天线单元间相位相差90度；每个天线单元结构包括一个上层指数渐变金属缝隙和一个下层馈电微带线；所述馈电微带线终端采用扇形开路结构，馈电端与馈电网络输出端相连，馈电网络包括介质基板、金属地板、指数渐变缝隙、金属馈电微带线和3dB电桥和90度移相器。本发明用于克服传统单频带陶瓷天线的重量过高，并且难以实现多频段覆盖，提供了一种结构简单，馈电简洁的宽频带宽波束无人机导航天线。
宽频带宽波束无人机导航天线

[发明专利]具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法-CN201810689962.0有效
发明人：董志华;蒋俊杰;刘国华;李仕琦;刘杰;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
具有温差发电机构 iii vhemt 器件制备方法

[发明专利]一种多频带基站散射抑制天线-CN202011263897.9在审
发明人： 程知群;高鹏;何若愚;王振 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多频带基站散射抑制天线，包括高频带双极化天线和低频带双极化天线，其中，高频带双极化天线的工作频带为1.7‑3.0GHz，设置4个；所述低频带双极化天线的工作频带为0.69‑0.96GHz，由2个交叉的偶极子组成，在高频带双极化天线的上方，高频带双极化天线和低频带双极化天线之间的间距小于低频带双极化天线所对应的四分之一波长，在低频带双极化天线上设置等间距的若干开口槽，在偶极子的两侧对称开口，开口槽为矩形，宽为1‑1.5mm，长为4‑6mm，若干开口槽的宽度之和与偶极子臂长之比大于0.16，小于0.24。本发明摒弃了通过添加外部条件来去除多频带基站天线中的散射问题，通过对天线结构进行重新设计，从内部本质上移除跨频带之间的散射现象。
一种频带基站散射抑制天线

[发明专利]一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件-CN201810405244.6有效
发明人：董志华;张辉;张佩佩;程知群;刘国华;李仕琦;蒋俊杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
一种利用固态电池实现增强 iii hemt 器件

[发明专利]一种基于端接耦合线结构的宽带高效率功率放大器及其设计方法-CN202011076370.5在审
发明人：刘国华;简叶龙;王维荣;赵众;黄谢镔;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于端接耦合线结构的宽带高效率功率放大器及其设计方法，包括输入匹配网络、栅极直流馈电网络、晶体管、漏极直流馈电网络和输出匹配网络。相对于现有技术，本发明提出了一种新的输出匹配网络拓扑结构，级联端接耦合线结构用于设计功率放大器的输出匹配网络，通过在耦合微带线的四个端口选择不同的终端阻抗条件，端接耦合线不仅可以实现阻抗变换，还可以对谐波阻抗进行控制，可提高所设计功率放大器的效率，利用两段耦合线级联来扩展所设计功率放大器的带宽。与传统设计方法相比，无需分别设计谐波控制电路和基波匹配电路，在保持高效性能的同时简化了功率放大器的设计。
一种基于端接耦合结构宽带高效率功率放大器及其设计方法

[发明专利]一种硫化锂自支撑碳球/碳纳米纤维复合材料的制备方法和锂硫电池-CN201910426850.0有效
发明人：李仕琦;王育天;董志华;蒋俊杰;冷丹;武军;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化锂自支撑碳球/碳纳米纤维复合材料的制备方法和锂硫电池，包括以下步骤：步骤S1，制备硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料；步骤S2，将硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料中的葡萄糖转化为碳球，使硫酸锂更好地被碳材料包覆，减缓聚硫锂的扩散，细菌纤维素转化成碳纳米纤维，从而形成一种碳球/碳纳米纤维的气凝胶复合材料。采用本发明的技术方案，无需添加粘连剂，碳化后直接自支撑形成电极；同时能够构造出碳球结构和碳纳米纤维网状结构，并且结构中的硫化锂纳米颗粒被有效包覆，能够增加电极中的电子导电性，提高电极中电子的传输效率，抑制“穿梭效应”，从而提高锂硫电池的性能。
一种硫化支撑纳米纤维复合材料制备方法电池

[发明专利]多通道时钟发生装置-CN202010178019.0有效
发明人：王飞;程知群;朱丹;尉倞浩;田刚 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道时钟发生装置，至少包括配置单元、高频时钟生成器、同步时钟发生器和多通道输出单元，其中，配置单元与高频时钟生成器和同步时钟发生器相连接，用于接收配置指令以配置时钟发生装置的运行参数和工作模式；高频时钟生成器用于产生高频时钟；同步时钟发生器用于根据高频时钟生成器输出的高频时钟作为倍频源产生同步时钟；多通道输出单元用于将高频时钟和同步时钟进行通道扩展后输出给目标设备；高频时钟生成器采用ADF4355芯片，同步时钟发生器采用LTC6952芯片。本发明采用ADF4355芯片和高频功分器组合的方式设计了4路最高6.8GHz频率输出，从而简化分路设计。
通道时钟发生装置

[发明专利]一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法-CN201810405243.1有效
发明人：董志华;张佩佩;张辉;程知群;李仕琦;刘国华;蒋俊杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III‑V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
一种利用固态电池实现增强 iii hemt 器件方法

[发明专利]一种基于补偿寄生电容的宽带Doherty功率放大器-CN201710665486.4有效
发明人： 程知群;熊国萍;张明;刘国华;董志华;陈瑾 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明提供一种基于补偿寄生电容的宽带Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大器支路、峰值功率放大器支路以及负载调制网络，其中，载波功率放大器支路包括依次串接的载波功率放大器输入匹配电路、载波功率放大器、载波功率放大器输出匹配电路，并在载波功率放大器输出端并联第一微带线Z1；峰值功率放大器支路包括相位延迟线、峰值功率放大器输入匹配电路、峰值功率放大器以及峰值功率放大器输出匹配电路，并在峰值功率放大器输出端并联第二微带线Z2。相对于现有技术，本发明通过在主辅支路晶体管的输出端分别加上一段短路微带线，从而抑制了寄生电容对于放大器的饱和效率和带宽所造成的影响，提高了Doherty功放的带宽性能和效率。
一种基于补偿寄生电容宽带 doherty 功率放大器

[实用新型]基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器-CN202021265221.9有效
发明人：刘国华;王维荣;张志维;赵众;简叶龙;程知群;黄谢镔 -专利权人：杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，包括输入匹配网络、晶体管、谐波控制网络、漏极宽带补偿电路以及基波匹配网络，其中，输入匹配网络的输入端接入功率信号，其输出端与晶体管的栅极相连接；晶体管漏极与源极之间并接漏极宽带补偿电路，漏极宽带补偿电路用于根据功率信号补偿所需的输出电容；晶体管漏极与谐波控制网络的输入端相连接，谐波控制网络的输出端与基波匹配网络的输入端相连接，基波匹配网络的输出端作为功率输出端，匹配到所需要的最终阻抗值。本实用新型提出用于漏源输出电容的新型宽带补偿电路结构，能够根据输入功率信号获得所需的晶体管输出电容，改善了混合EF类功率放大器的工作频率。
基于电容补偿结构宽带混合式 ef 功率放大器