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[实用新型]功率半导体LED热阻快速批量筛选装置-CN201120249012.X有效
发明人：冯士维;张光沉;郭春生;周舟;程尧海;李静婉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该装置从上至下包括：热学接触板，被测器件夹具板，针台；热学接触板，包括上下两层：上板材、下板材，在下板材上钻有需要测试LED数量的孔；被测器件夹具板，在上面制备出多个LED出光端透镜大小的圆孔，每个圆孔两侧直径端对称向外方向各刻出一方形豁口，豁口的侧壁有上下连通的覆铜层两个电极，LED出光端朝下，管座端朝上；且LED管座端对准上述小的圆柱体；针台，在与每个LED的两电极对应的位置下面，固结两只朝上的探针，探针下方设有弹簧，并且探针外引出LED的电极，并通过针台上的引线，接入针台的插针接口。
功率半导体 led 快速批量筛选装置

[发明专利]功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法-CN201110197798.X无效
发明人：冯士维;张光沉;郭春生;周舟;程尧海;李静婉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该发明主要应用于快速、非破坏性确定器件热阻过大的方法和装置。本发明的主要发明点在于：设计了可容纳百颗LED的夹具，保证每颗LED的热学接触状况均匀一致，且稳定可靠；通过针台结构，实现LED电学接触便捷、可靠；利用程序控制的继电器方式，实现批量LED扫描测试的快速切换。本发明可以对测量LED的个数实现较好的扩展性。
功率半导体 led 快速批量筛选装置方法

[实用新型]半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置-CN200520128067.X无效
发明人：冯士维;谢雪松;吕长志;程尧海 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本实用新型非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨器件热阻构成。
半导体 pn 二极管器件测量装置

[发明专利]半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置-CN200510112676.0无效
发明人：冯士维;谢雪松;吕长志;程尧海 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨出器件热阻构成。
半导体 pn 二极管器件测量方法装置

[发明专利]微电子器件可靠性快速评价方法-CN03157526.9无效
发明人：李志国;程尧海 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：微电子器件可靠性快速评价方法，属于微电子技术领域。本发明的步骤为：1)先测量出微电子器件焦耳热温升；2)测量该微电子器件的失效敏感参数P在选定温度范围内分别在不加和加电应力条件下随温度T_j变化的数据，并分别绘制曲线且拟合成直线；3)取3组微电子器件，在三种不同电应力的条件下，进行温度斜坡试验，得到每组微电子器件的平均失效激活能、平均失效时间、平均失效温度范围；4)计算出公式：中的系数A、m、n；5)计算失效敏感参数P所承受的电热应力的能量；6)计算微电子器件在V、j和T_j分别为正常工作条件下的数值时的寿命τ。本发明可使试验周期缩短、所需试验样品少，大大降低了成本，同时能够给出单样品的寿命。
微电子器件可靠性快速评价方法

[发明专利]高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法-CN95105950.5无效
发明人：张炜;李志国;程尧海;李学信;孙英华 -专利权人：北京工业大学
申请日： 1995-06-15 - 公布日： 1996-12-18 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。
高电迁徒阻力多层金属化结构及其设计方法