专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]增强型半导体结构及其制作方法-CN202080103838.7在审
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-09-10 - 2023-05-16 - H01L21/335
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,半导体结构包括:自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层;贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽;以及至少位于凹槽的内壁的P型半导体层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后,第一钝化层可用于刻蚀终点检测,避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层,可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时,帽层具有极高的稳定性,所以湿法腐蚀去除第一钝化层后,不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷,以降低电子被缺陷捕获的几率,实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。
  • 增强半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种晶片承载盘-CN202080103949.8在审
  • 程凯;张丽旸 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-09-07 - 2023-05-12 - C30B25/12
  • 本发明提供一种晶片承载盘,晶片承载盘的凹槽底部以经过凹槽中心的第一分界线将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心的第一区域和远离晶片承载盘中心的第二区域,凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构,凸出结构的表面为曲面,曲面顶点位于凹槽底部的所述第二区域,位于第二区域的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲,使温场分布更均匀,从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
  • 一种晶片承载
  • [发明专利]一种用于空心砖的自动码垛装置-CN202110906648.5有效
  • 程成;程凯 - 来安县九久新型建材有限公司
  • 2021-08-09 - 2023-05-12 - B65G61/00
  • 本发明公开了一种用于空心砖的自动码垛装置,自动码垛装置包括支架,支架上设置有传输皮带,传输皮带上固定有框体,框体内码垛有空心砖,架体上固定有第一电机,第一电机的输出轴同轴固定有丝杠杆,丝杠杆上套接有丝杠螺母,使得丝杠螺母能够沿传输皮带的长度方向运动,丝杠螺母上固定有基座,基座上固定有气缸,气缸的活塞杆上固定有顶板,顶板上设置有夹紧机构,夹紧机构包括通过支杆固定在顶板下方的圆盘,圆盘上可转动地设置有转盘,圆盘上设置有沿其径向方向的槽体,槽体上可移动地卡合有杆体,杆体的下端固定有夹块,转盘通过第一曲柄和第二曲柄与杆体的上端铰接;能够对空心砖进行自动码垛,保证后续包装运输作业有效进行。
  • 一种用于空心砖自动码垛装置
  • [实用新型]一种生态护坡用格栅-CN202222718789.7有效
  • 金西峰;刘洋;程凯;何小龙;李林 - 湖北水总水利水电建设股份有限公司
  • 2022-10-17 - 2023-05-12 - E02D17/20
  • 本实用新型提供了一种生态护坡用格栅,属于生态护坡技术领域,该生态护坡用格栅包括主体机构,所述主体机构包括格栅本体;安装机构,所述安装机构设置于格栅本体的底部,所述安装机构包括固定网,所述固定网设置于格栅本体的底部,所述固定网的底部设置有连接杆,所述连接杆的数量为若干个,所述固定网的底部设置有与连接杆配合使用的连接槽,所述格栅本体包括环保层,所述环保层的表面设置有降解层。本实用新型通过设置连接机构,在对格栅本体进行安装的时候,将连接杆卡在固定网的底部连接槽中,然后将连接杆的另一端插入护坡上,使得固定网与护坡接触,对固定网进行限位,从而达到对格栅本体进行限位的效果。
  • 一种生态护坡格栅
  • [实用新型]一种复合衬底及半导体结构-CN202222031569.7有效
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2022-08-03 - 2023-05-12 - H01L23/473
  • 本实用新型公开了一种复合衬底以及由该复合衬底制备而成的半导体结构,复合衬底包括层叠设置的第一半导体层及第二半导体层,第一半导体层靠近第二半导体层的表面设有至少一个散热凹槽,第一半导体层的侧壁或第一半导体层远离第二半导体层的表面设有散热通道,散热通道与散热凹槽连通;本实用新型提供的复合衬底及半导体结构通过内外相通的散热通道和散热凹槽可有效解决大功率氮化镓基器件的散热问题。
  • 一种复合衬底半导体结构
  • [发明专利]全彩LED外延结构-CN202080103955.3在审
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-09-22 - 2023-05-09 - H01L33/32
  • 本发明提供了一种全彩LED外延结构,利用对应于衬底的一个单元区的各柱状物面积占比大小不同,从而生长发光层时各柱状物周围的反应气体的流速不同,生长的发光层中各元素的掺入效率不同,进而使得生长的发光层中各元素的组分占比不同,LED的发光波长不同。上述工艺简单,能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构,仅通过调整柱状物的面积占比,来调整发光层的组分占比,从而调整LED的发光波长,减小了全彩LED的制备工序。
  • 全彩led外延结构
  • [发明专利]一种晶片承载盘-CN202080103959.1在审
  • 程凯;张丽旸 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-09-07 - 2023-05-09 - C23C16/458
  • 一种晶片承载盘(10),晶片承载盘(10)的凹槽底部以经过凹槽中心(O)的第一分界线(L1)将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心(C)的第一区域(S1)和远离晶片承载盘中心(C)的第二区域(S2),凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构(210),凸出结构(210)的表面为曲面,曲面顶点(H)位于凹槽底部的所述第二区域(S2),位于第二区域(S2)的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘(10)凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲,使温场分布更均匀,从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
  • 一种晶片承载

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