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[实用新型]用于功率器件的栅极驱动电路-CN202320330288.3有效
发明人：徐涵;刘成;叶念慈;徐宁;秦梓伦 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于功率器件的栅极驱动电路，包括：调节电路，包括串联连接的可调变阻器、二极管和电容器，电容器的一端连接至功率器件的栅极；推挽电路，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极分别连接至所述功率器件的栅极；反相器电路，用于接收外部输入的控制信号且对控制信号进行反相处理，控制信号经过一级反相处理输出至第二晶体管的栅极，控制信号经过二极反相处理输出至第一晶体管的栅极；调节电路和反相器电路协同作用控制电容器的电压，并进而对第一晶体管的栅极电压进行调控，以实现对功率器件的栅极充放电电流的调控。通过本实用新型的方案，能够实现对氮化镓等功率器件开关速度的连续调节。
用于功率器件栅极驱动电路

[发明专利]复合钝化的GaN基HEMT器件及其制作方法-CN202310127083.X在审
发明人：陈东坡;秦梓伦;刘成;叶念慈;刘昊;徐宁;徐涵 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开一种复合钝化的GaN基HEMT器件及其制作方法，包括基层、势垒层、钝化层。盖帽设置在势垒层上；钝化层设置在势垒层上，钝化层包括第一钝化部与第二钝化部，第一钝化部设置在势垒层表面且延伸覆盖盖帽，第二钝化部覆盖于势垒层除盖帽和第一钝化部在势垒层表面的覆盖区域之外的区域上，第一钝化部的缺陷能级大于第二钝化部的缺陷能级；栅极设置于钝化层背向势垒层的一面，且栅极贯穿钝化层与盖帽连接。上述结构较大缺陷能级的第一钝化部覆盖盖帽，防止空穴积累在盖帽表面造成阈值电压负漂，较小缺陷能级的第二钝化部覆盖其他区域上，用于提供电子，避免势垒层表面除盖帽的区域捕获其他区域的电子形成的电流崩塌效应与阈值电压正漂的问题。
复合钝化 gan hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种窄带光电探测器及其制备方法-CN201910575173.9有效
发明人： 秦梓伦;赵谡玲;宋丹丹;乔泊;徐征 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种窄带光电探测器，包括：透明基底1、阳极2、阳极修饰层3、钙钛矿光过滤层4、有机给受体平面异质结光吸收层5、阴极修饰层6和阴极7；透明基底1上设置有阳极2，阳极2上设置有阳极修饰层3，阳极修饰层3上设置有钙钛矿光过滤层4，钙钛矿光过滤层4上设置有有机给受体平面异质结光吸收层5，有机给受体平面异质结光吸收层5上设置有阴极修饰层6，阴极修饰层6上设置有阴极7。本发明还提供了一种窄带光电探测器制备方法。本发明通过调节钙钛矿的卤素成分比例和选用具有不同吸收光谱的有机材料来实现对不同波段的窄光探测。同时，本发明的产品具有响应时间快、光谱响应可调、容易加工制备等优点，具有重要的应用前景。
一种窄带光电探测器及其制备方法