专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学元件的控制方法-CN201510086888.X有效
  • 秋山知之 - 富士通株式会社;技术研究组合光电子融合基盘技术研究所
  • 2015-02-17 - 2018-03-23 - G02F1/025
  • 公开了光学元件的控制方法,所述光学元件包括发射具有彼此不同的波长的光的光源以及沿着光波导以级联方式连接的环形调制器。每个环形调制器包括环形谐振器和调节环形谐振器中的谐振波长的波长调节电极,其中,来自光源的光被多路复用以进入光波导。所述方法包括使光源发射光;调节至每个环形调制器中的波长调节电极的功率,以获得使环形谐振器的谐振波长与从光源发射的光的波长相等的功率值;获得光源与对应于环形调制器的功率值之间的关系;以及基于所述关系选择与光源相对应的环形调制器。
  • 光学元件控制方法
  • [发明专利]光半导体元件-CN201180072959.0有效
  • 秋山知之 - 富士通株式会社
  • 2011-09-08 - 2016-11-30 - H01S5/10
  • 具有:环式激光器,其具有设有光增益元件的环形谐振器,该光增益元件通过被注入电流来产生光增益;波导,其与环式激光器光学耦合;反射镜,其设在波导的一端部上,使从所述环式激光器输出后在所述波导中传播的光的行进方向发生反转。
  • 半导体元件
  • [发明专利]光半导体器件-CN201280071341.7有效
  • 秋山知之 - 富士通株式会社
  • 2012-03-28 - 2016-11-09 - H01S5/50
  • 本发明的光半导体器件,具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器;所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜,所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器;所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器;所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。
  • 半导体器件
  • [发明专利]光学半导体器件-CN201510164714.0在审
  • 秋山知之 - 富士通株式会社
  • 2012-08-02 - 2015-07-01 - G02F1/01
  • 一种光学半导体器件,包括:第一波导,输入光被输入到第一波导中;环形调制器,被设置为与第一波导光耦合;第一环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比环形调制器的光程长度小的光程长度;第二环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比环形调制器的光程长度大的光程长度;加热器,被设置为与环形调制器、第一环形谐振器以及第二环形谐振器相邻;第一光检测器,被配置为监测第一环形谐振器中的光功率;第二光检测器,被配置为监测第二环形谐振器中的光功率;以及控制器,基于第一光检测器和第二光检测器所检测的信号控制加热器,以使环形调制器的谐振波长与输入光的波长一致,还包括:第三、第四环形谐振器和第三、第四光检测器。
  • 光学半导体器件
  • [发明专利]解复用器和光解复用方法-CN201210376811.2有效
  • 秋山知之 - 富士通株式会社
  • 2012-10-08 - 2013-06-26 - G02F1/313
  • 本发明公开了一种解复用器和光解复用方法。一种光开关包括:基板;环形谐振器,其形成在基板上;第一波导,其与环形谐振器光学耦合地形成在基板上,该第一波导被配置成引导WDM信号;光学检测器,其被配置成检测所述环形谐振器中的光信号分量;温度调节器,其响应于光学检测器的输出信号而被驱动,该温度调节器被配置成改变环形谐振器的温度,环形谐振器具有与构成WDM信号的光信号分量的波长相对应的谐振波长,环形谐振器、光学检测器和温度调节器一起构成反馈控制系统,该反馈控制系统将环形谐振器的谐振波长锁定至WDM信号中的光信号分量的波长。
  • 解复用器光解方法
  • [发明专利]光学半导体器件-CN201210272727.6有效
  • 秋山知之 - 富士通株式会社
  • 2012-08-02 - 2013-03-06 - G02F1/01
  • 一种光学半导体器件,包括:第一波导,输入光被输入到第一波导中;环形调制器,被设置为与第一波导光耦合;第一环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度小的光程长度;第二环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度大的光程长度;加热器,被设置为与所述环形调制器、第一环形谐振器及第二环形谐振器相邻;第一光检测器,被配置为监测所述第一环形谐振器中的光功率;第二光检测器,被配置为监测所述第二环形谐振器中的光功率;以及控制器,基于所述第一光检测器和第二光检测器所检测的信号控制所述加热器,以使所述环形调制器的谐振波长与所述输入光的波长一致。
  • 光学半导体器件
  • [发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN200880024944.5有效
  • 秋山知之;菅原充 - QD激光公司
  • 2008-06-09 - 2010-06-16 - H01S5/343
  • 本发明提供一种半导体激光器及半导体激光器的制造方法,该半导体激光器具有:下部包层(12),其具有第一导电型;活性层(14),其设置在该下部包层(12)上,具有多个量子点;以及上部包层(18),其是设置在活性层(14)上的孤立的脊部(30),并具有第二导电型,在设脊部(30)的上表面的宽度为Wtop,设离所述脊部(30)的下表面的高度为50nm处的所述脊部(30)的宽度为W1时,W1≤Wtop+0.4μm。
  • 半导体激光器及其制造方法

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