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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]膜状物品及其制作方法-CN201010235687.9无效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;神野洋平;舘村祐子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本发明涉及膜状物品及其制作方法。由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。
物品及其制作方法

[发明专利]卡以及利用该卡的记帐系统-CN200810176170.X有效
发明人：山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;大野由美子;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G07G1/06 文献下载
摘要：本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
以及利用记帐系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810109622.2有效
发明人：矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光器件、发光器件驱动方法、以及电子设备-CN200710305407.5有效
发明人：山崎舜平;秋叶麻衣;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-09-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件、发光器件驱动方法、以及电子设备。通过不利用待要施加到TFT的电压而是利用在信号线驱动电路中控制流到TFT的电流来控制发光元件的亮度，流到发光元件的电流被保持在所希望的数值，而不依赖于TFT的特性。而且，每个预定的周期，反偏置电压被施加到发光元件。由于上述二种结构提供了放大效应，故有可能防止由有机发光层的退化造成的亮度退化，而且有可能将流到发光元件的电流保持到所希望的数值，而不依赖于TFT的特性。
发光器件驱动方法以及电子设备

[发明专利]半导体器件及微处理器-CN200710142302.2无效
发明人：山崎舜平;加藤清;荒井康行;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-05-13 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种使用廉价玻璃衬底、能够适应信息量的增加并进而具有高性能和高速工作的集成电路的半导体器件。在多个玻璃衬底上形成构成集成电路的各种电路，各玻璃衬底间的信号传输通过称为光互连的利用光信号完成。具体地，在被布置在形成于一个玻璃衬底上的上级的电路的输出端提供光发射元件，并形成光检测元件以与布置在形成于另一个玻璃衬底上的下级的电路的输入端的相关光检测元件相对。然后，从位于上级的电路输出的电信号转化而来的光信号被从光发射元件输出，相关光信号被光检测元件转化成电信号并输入到位于下级的电路。
半导体器件微处理器

[发明专利]半导体显示设备及其设计方法制造方法和订单接收系统-CN200710002336.1有效
发明人：山崎舜平;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-10-11 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：无论控制器是什么规格，事先在一个衬底上形成用于控制器的多个薄膜晶体管。然后，按照控制器的设计，适当地通过在一个与形成所述多个薄膜晶体管的层不同的层上形成的布线实现用作每个薄膜晶体管的三个接线端的源极、漏极和栅极之间的连接，从而形成规格满足要求的控制器。此时，按照控制器的规格不必使用设置在衬底上的所有薄膜晶体管，有些薄膜晶体管可以保持不用。
半导体显示设备及其设计方法制造订单接收系统

[发明专利]产品管理系统-CN200580012187.6有效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;馆村祐子;神野洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-04-06 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：当与ID标签相连的产品置于包装体内部时，存在使用读取器/写入器与ID标签的通信被阻断的风险。从而，难以在产品的分发过程中管理产品，这导致失去ID标签的方便性。本发明的一个特征是包括用于包装与ID标签相连的产品的包装体和读取器/写入器的产品管理系统。ID标签包括薄膜集成电路部分和天线，包装体包括含有天线线圈和电容器的谐振电路部分，谐振电路部分可与读取器/写入器和ID标签通信。从而，即使当产品被包装体包装时，也可确保附连于产品的ID标签与R/W之间的通信的稳定性，且可简单并有效地进行产品管理。
产品管理系统

[发明专利]半导体器件-CN200580009730.7有效
发明人：山崎舜平;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明的一个目的在于提供一种增加天线的增益并且增强集成电路的机械强度而没有抑制电路规模的ID芯片。由本发明的ID芯片为代表的半导体器件包括利用由薄半导体膜形成的半导体元件的集成电路和连接至该集成电路的天线。天线和集成电路形成在基板上，并且将包括于天线中的导线或导电膜分成两层并形成，以便夹住提供有集成电路的基板。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200580004279.X有效
发明人：荒井康行;舘村祐子;神野洋平;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-02-01 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200580002578.X有效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;舘村祐子;神野洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，在粘到物体之后被剥离时，它能可靠地限制与读/写器之间的信号或电源电压的发射/接收。本发明的半导体装置包括支撑基底上形成的集成电路和天线。本发明的半导体装置中，在支撑基底上形成分离层，该分离层与将绝缘薄膜夹在中间的集成电路和天线交叠。电学连接集成电路和天线的布线、电学连接集成电路中的半导体元件的布线或形成天线的布线经过该分离层。
半导体装置

[发明专利]ID标记、ID卡和ID标签-CN200580002912.1有效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;馆村祐子;神野洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。
id 标记标签

[发明专利]膜状物品及其制作方法-CN200580002953.0无效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;神野洋平;舘村祐子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。
物品及其制作方法

[发明专利]用于半导体器件的制造方法-CN200610005816.9有效
发明人：山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。
用于半导体器件制造方法

[发明专利]检测系统、检测方法和制造半导体器件的方法-CN200510006810.9有效
发明人：荒井康行;馆村祐子;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种可以无接触地供应信号或电源电压至ID芯片并可提高检测程序的处理量的ID芯片的检测系统，和使用该检测系统的检测方法。如本发明的检测系统包括多个检测电极、多个检测天线、位置控制单元、用于施加电压至各检测天线的单元、和测量检测电极的电位的单元。该检测系统的一个特征是多个ID芯片与多个检测电极以一定间距重叠，多个ID芯片与多个检测天线以一定间距重叠，和多个ID芯片通过位置控制单元被插入多个检测电极与多个检测天线之间。
检测系统方法制造半导体器件

[发明专利]ID标号,ID标签和ID卡-CN200510009153.3无效
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;馆村祐子;神野洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：在粘结着非接触型或接触型ID标号或ID标签的商品和ID卡中，由于在用于通讯的天线和在天线周围所设置的树脂之间的热膨胀系数之间的差异所引起的应力会施加到具有较大热膨胀系数的树脂上，从而使得树脂断裂。这样会降低ID标号及其它等等的产量、寿命以及可靠性。在诸如根据本发明的ID标号、ID标签合ID卡的物品中，在形成ID标号、ID标签和ID卡的天线周围所设置的填充层中包括填充剂，从而可以减小在天线和填充层之间的热膨胀系数中的差异。这就有可能消除由于热膨胀系数中的差异所引起的应力产生，并能避免填充层的剥离和断裂。
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