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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维结构存储元件的制造装置-CN201510007521.4有效
发明人：赵星吉;金海元;禹相浩;申承祐;张吉淳;吴完锡 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维结构存储元件的制造装置，所述装置包括：用于实行基底加工的腔室；基底支撑台，其设置于所述腔室内并用于放置所述基底，并通过升降而转换至所述基底出入于所述腔室内部的解除位置和对所述基底进行加工的加工位置；环形边，当所述基底支撑台处于所述解除位置时，所述环形边位于所述基底的上部，并且所述环形边具有当所述基底支撑台转换至所述加工位置时，对位于所述基底支撑台上部的所述基底的边缘部施压的施压面。 1
基底基底支撑台环形边存储元件加工位置解除位置三维结构制造装置基底加工基底支撑腔室内部边缘部施压面转换腔室施压升降室内加工

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037898.9有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并具备将已完成所述清洗工艺的所述基板搬运至所述外延腔室的基板处理器，所述清洗腔室为实现对多个基板的间歇式工艺。
用于外延工艺半导体制造设备

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037955.3有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具备用于载置所述基板的载置空间；搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室连接，并且具备在所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室之间用于搬运所述基板的基板处理器，其中，所述基板处理器向所述载置空间依次载置已结束所述清洗工艺的所述基板后，并且将已载置的所述基板向所述外延腔室搬运，而且向所述载置空间依次载置形成有所述外延层的所述基板。
用于外延工艺半导体制造设备

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037822.6有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并且具备用于向所述外延腔室搬运已结束所述清洗工艺的所述基板的基板处理器。所述外延工艺可以为对多个基板实施的间歇式工艺。
用于外延工艺半导体制造设备

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037860.1有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备向所述外延腔室搬运已完成所述清洗工艺的所述基板的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。
用于外延工艺半导体制造设备

[发明专利]制造三维结构存储元件的方法及装置-CN201180048972.2有效
发明人：赵星吉;金海元;禹相浩;申承祐;张吉淳;吴完锡 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种三维结构存储元件的制造方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一种以上气体而蒸镀氧化硅膜的步骤，所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、SiCl2H2群中的气体和基于氨的气体而蒸镀氮化膜的步骤。
制造三维结构存储元件方法装置

[发明专利]制造三维结构存储元件的方法及装置-CN201180048997.2有效
发明人：赵星吉;金海元;禹相浩;申承祐;张吉淳;吴完锡 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，制造垂直结构存储元件的方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤。所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给二氯硅烷（SiCl2H2）而蒸镀第二氧化硅膜的步骤。
制造三维结构存储元件方法装置

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201180042743.X有效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉;张吉淳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种包含金属硅化物层的半导体器件制备方法。本发明一个实施例的半导体器件的制备方法包括以下步骤：在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；相对于绝缘层，在露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；在形成有硅晶种层的基底上形成金属层；以及通过对形成有金属层的基底进行热处理，形成金属硅化物层。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201180042742.5有效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉;张吉淳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出一种具有多层结构的半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的半导体元件的制造方法包含如下步骤：在化学气相沉积装臵的腔内部装载基板的步骤；形成多层结构的步骤，通过交替重复在基板上形成掺杂非晶硅层的步骤和在基板上形成含硅绝缘层的步骤来交替层叠多个掺杂非晶硅层和多个绝缘层，其中在基板上形成掺杂非晶硅层的步骤是通过向装载有基板的腔内部注入硅前体和导电型掺杂剂来进行的，而在基板上形成含硅绝缘层的步骤是通过向装载有基板的腔内部注入硅前体和反应气体来进行的。
半导体元件制造方法

[发明专利]环状薄膜的沉积方法-CN201180036357.X有效
发明人：金海元;禹相浩 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：在所述基底上形成硅薄膜的步骤，其通过重复将硅前体注入到装载了基底的腔室内部而在所述基底上沉积硅的步骤、和从所述腔室内部除去未反应的硅前体和反应副产物的第一清洗步骤；通过在腔室内部形成等离子体气氛，将所述硅薄膜形成为含硅绝缘膜的步骤。
环状薄膜沉积方法

[发明专利]环状薄膜的沉积方法-CN201180036295.2有效
发明人：金海元;禹相浩 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种可以具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：绝缘膜沉积步骤，其重复进行：通过将硅前体注入至装载了基底的腔室内部而将硅沉积在基底上的步骤；从腔室内部移除未反应的硅前体和反应副产物的第一清洗步骤；通过向腔室内部提供第一反应气体而将沉积的硅形成为含硅绝缘膜的反应步骤；和从腔室内部移除未反应的反应气体和反应副产物的第二清洗步骤；以及致密化步骤，其对通过向腔室内部提供等离子气氛来形成的含硅绝缘膜进行致密化。
环状薄膜沉积方法

[发明专利]超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法-CN201080018636.9无效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明，一种超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法包括以下步骤：在其中装载有衬底的腔室内部形成氮气氛；并通过将源气体供应至所述腔室内来在所述衬底上气相沉积多晶硅薄膜；所述源气体包括，硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述形成氮气氛的步骤可以包括将所述氮基气体供应至所述腔室内的步骤。
晶粒多晶薄膜沉积方法

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体天线-CN200980143879.2有效
发明人： 禹相浩;梁日光;宋炳奎 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式，一种等离子体处理装置包括：腔室，其被设置为提供用于执行针对要处理的对象的工艺的内部空间；天线，其被设置为覆盖该腔室的侧部，该天线在内部空间中形成电场以从被提供到内部空间中的源气体产生等离子体。该天线包括：螺旋天线，其被设置为沿第一旋转方向从该腔室的一侧朝向该腔室的另一侧的螺旋形状，该螺旋天线具有沿第一旋转方向流动的电流；延长天线，其连接到该螺旋天线的设置在该腔室的一侧的一端，该延长天线具有沿第一旋转方向的相反方向流动的电流；以及连接天线，其将延长天线连接到螺旋天线。
等离子体处理装置天线

[发明专利]用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法-CN200980115914.X有效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉;朴松焕;郑敬洙 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。
用于沉积晶粒多晶薄膜方法

[发明专利]用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法-CN200980115912.0有效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉;朴松焕;郑敬洙 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氧基气体和磷基气体。氧基气体与硅基气体的混合比可为0.15以下(但不包含0)。所述薄膜中的氧可为0.8原子％以下(但不包含0)。
用于沉积晶粒多晶薄膜方法

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