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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多腔室半导体制程系统-CN202210180391.4在审
发明人：吴学宪;詹志远;赖奕廷 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明关于一种多腔室半导体制程系统，包括：一机座，包括一座体及凸设于该座体的一设置面的复数支撑架；复数制程单元，连接于该复数支撑架；及一传输单元，连接于该复数支撑架且位于该复数制程单元之间，供于该复数制程单元之间取送一基板；其中，该机座的一长宽比值介于1至3。
多腔室半导体系统

[发明专利]原子层沉积系统-CN202210179482.6在审
发明人：吴学宪;詹志远;赖奕廷 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明关于一种原子层沉积系统，包括：一本体、一载台、一气体喷洒模组及一第一环体。该本体围构一反应腔室；该载台位于该反应腔室中。该气体喷洒模组设于该本体且包括至少一进气道及至少一位于该载台与该至少一进气道之间的气体扩散板，各该气体扩散板包括复数穿孔。该第一环体定义一径向且设于该载台与该至少一气体扩散板之间。该复数穿孔分布于该至少一气体扩散板的区域定义一最外分布轮廓，该第一环体的内周壁的一径向尺寸大于该最外分布轮廓的一径向尺寸，该第一环体的内周壁与该最外分布轮廓于该径向上保持一间距。本发明的反应腔室的内壁不易生成残留物，有效降低生产成本且制造效果佳。
原子沉积系统

[实用新型]多腔室半导体制程系统-CN202220400278.8有效
发明人：吴学宪;詹志远;赖奕廷 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型关于一种多腔室半导体制程系统，包括：一机座，包括一座体及凸设于该座体的一设置面的复数支撑架；复数制程单元，连接于该复数支撑架；及一传输单元，连接于该复数支撑架且位于该复数制程单元之间，供于该复数制程单元之间取送一基板；其中，该机座的一长宽比值介于1至3。
多腔室半导体系统

[外观设计]多腔室处理系统机座-CN202230091761.8有效
发明人：吴学宪;詹志远;赖奕廷 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：多腔室处理系统机座。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于多腔室处理系统机座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
多腔室处理系统机座

[发明专利]加热装置及其适用的蒸镀设备-CN202010683423.3在审
发明人：吴学宪 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种加热装置及其适用的蒸镀设备。加热装置包括坩埚、导热元件以及加热元件。坩埚包括底面、开口与该底面相对以及容置空间用以容纳待蒸镀材料。导热元件设置在坩埚的容置空间内，且导热元件设置在底面上并朝向开口延伸，而加热元件邻近坩埚设置。
加热装置及其适用设备

[实用新型]微型化半导体制程系统-CN202120338990.5有效
发明人：吴学宪;詹志远 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型关于一种微型化半导体制程系统，包括：一壳体，包括一内部空间及一与该内部空间连通的开口；一升降机构，设于该内部空间且包括一供置放一基板的载台，该载台可沿一第一方向相对该开口移动于一第一位置及一第二位置之间；一处理腔室，设于该内部空间且包括一供置放该基板的承载部；及一取送机构，可沿一第二方向移动地设于该升降机构与该处理腔室之间，供于该载台与该承载部之间取送该基板；其中，该壳体的一长宽比值介于1至6；当该载台位于该第一位置，该载台至少部分位于该开口中而可供自外部取放该基板；当该载台位于该第二位置时，该取送机构与该载台相对应而可自该载台取放该基板。
微型半导体系统

[外观设计]微型半导体制造装置-CN202130084956.5有效
发明人：吴学宪;詹志远 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：微型半导体制造装置。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于半导体制造。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
微型半导体制造装置

[发明专利]微型化半导体制程系统-CN202110159313.1在审
发明人：吴学宪;詹志远 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明关于一种微型化半导体制程系统，包括：一壳体，包括一内部空间及一与该内部空间连通的开口；一升降机构，设于该内部空间且包括一供置放一基板的载台，该载台可沿一第一方向相对该开口移动于一第一位置及一第二位置之间；一处理腔室，设于该内部空间且包括一供置放该基板的承载部；及一取送机构，可沿一第二方向移动地设于该升降机构与该处理腔室之间，供于该载台与该承载部之间取送该基板；其中，该壳体的一长宽比值介于1至6。
微型半导体系统

[发明专利]用于显示静态图案的显示装置以及其制作方法与礼盒-CN201811049141.7在审
发明人：江佳玲;吴学宪;赖奕廷 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用以显示第一图案的显示装置以及其制作方法与应用其的礼盒。显示装置包括基板以及设置于基板上的发光二极管。发光二极管包括第一电极、透明绝缘图案层、发光层以及第二电极。透明绝缘图案层设置于第一电极上，其中透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且透明绝缘图案层具有一第二图案，与第一图案互补。发光层覆盖于透明绝缘图案层与第一电极上，且发光层电连接第一电极。第二电极设置于发光层上。该显示装置可具有可切换图案显示模式与无图案模式。
绝缘图案层第一电极显示装置发光层透明发光二极管第二电极图案礼盒基板图案显示模式静态图案图案模式电连接可切换制作覆盖应用

[发明专利]原子层沉积设备及其抽气速率控制方法-CN201611112747.1有效
发明人：吴学宪 -专利权人： 矽碁科技股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭露一种用于一原子层沉积设备的抽气速率控制方法及使用此方法的原子层沉积设备。该原子层沉积设备包含反应室、供气装置、抽气装置及并联管路，该供气装置连接至该反应室以选择性提供该反应室至少二反应气体及至少一清泄气体，该抽气装置连接至该反应室以对该反应室抽气，该并联管路连接该供气装置及该抽气装置并包含并联控制阀门，该供气装置经由该并联管路提供该抽气装置不与该反应气体反应的负载气体。通过控制该并联控制阀门的开、闭，可改变该抽气装置的抽气负载，进而达到改变该抽气装置对该反应室的抽气速率的目的。
反应室抽气装置原子层沉积设备抽气并联管路供气装置并联控制反应气体速率控制阀门抽气装置连接供气装置连接选择性提供负载气体可改变泄气

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