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[发明专利]真空处理装置-CN202280011677.8在审
发明人：阪上弘敏;北沢僚也;矶部辰德 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在维持真空气氛的状态下能够尽量排除带入的颗粒的真空处理装置。具有真空室(1、2)，其设置有处理单元(4)，在真空室上连接真空泵(15)，且在真空室内安装有台架(3)；具备摆动机构，基板(Sw)与处理单元对置地被实施处理的台架的姿态为第一姿态，以实施处理时以外的台架的姿态为第二姿态，该摆动机构使台架在第一姿态与第二姿态间摆动；还具备在真空室内向台架喷射惰性气体的喷射机构(5)，喷射机构构成为可在第一流量和第二流量之间进行流量切换，所述第一流量能在使真空室内为规定压力的真空气氛的状态下喷飞附着在台架和基板中的至少一方上的颗粒，所述第二流量可将因喷飞而在真空室内扩散的颗粒向真空泵移送。
真空处理装置

[发明专利]成膜方法-CN201980019108.6有效
发明人：水野太平;矶部辰德 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种在基板表面形成氧化铟基氧化物膜时，可抑制基板的X轴方向上的薄膜质量不均一的成膜方法。本发明的成膜方法，以在基板(Sw)面内彼此正交的方向为X轴方向和Y轴方向，在真空处理室(11)内使基板和与该基板相比X轴方向长度更长的靶(Tg1～Tg8)彼此同心相对配置，向真空气氛中的真空处理室内分别导入稀有气体和氧气，通过对各靶施加电力以等离子体气氛中的稀有气体的离子对靶进行溅射，从而在基板表面形成氧化铟基氧化物膜。从第一位置和第二位置中的至少一个向基板导入氧气，其中，以从靶侧朝向基板的方向为上，所述第一位置是X轴方向上基板端区域(Sa)正下方的位置，所述第二位置是在X轴方向上从基板端(Se)向靶端延伸的延展区域(Ea)正下方的位置。
方法

[发明专利]成膜方法-CN201780038184.2在审
发明人：水野熊介;矶部辰德;水野太平;永田纯一;小林大士;大久保裕夫;新井真 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可维持规定的成膜率不变，并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中，在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(2₁，2₂)，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射，使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时，向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10^‑3Pa～0.1Pa的范围内。
成膜被成膜物氧化铝膜水蒸汽室内稀有气体相对配置真空气氛铝材质铝原子真空室对靶分压附着溅射氧气堆积施加

[发明专利]反应性溅射装置-CN201380079134.0有效
发明人：武井応树;矶部辰德;清田淳也;大野哲宏;佐藤重光 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2013-10-03 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
扫描方向烧蚀区域阴极装置扫描反应性溅射装置溅射粒子开始位置化合物膜放射

[发明专利]基板处理装置以及成膜装置-CN201480047603.5有效
发明人：大野哲宏;月川庆澄;立川晋辅;新井进;武井応树;矶部辰德;清田淳也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。
处理装置以及

[发明专利]溅射成膜装置及防附着部件-CN201180029637.8有效
发明人：大野哲宏;佐藤重光;矶部辰德;须田具和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
溅射装置附着部件

[发明专利]溅射成膜装置-CN201180027011.3有效
发明人：佐藤重光;大野哲宏;矶部辰德;须田具和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
溅射装置

[发明专利]溅射成膜装置-CN201180027118.8有效
发明人： 矶部辰德;大野哲宏;佐藤重光;须田具和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
溅射装置

[发明专利]溅射方法-CN201010215176.0有效
发明人：大野遥平;矶部辰德;新井真;赤松泰彦;小松孝 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种溅射方法，以简单的方法防止被处理基板外周部的膜层下垂，实现均匀的膜厚分布。在同一平面上并列设置至少三个靶对，在该靶的后方平行配置磁回路，由前述并列设置方向两端的靶对上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶对夹持的靶对上连接的溅射电源所供给的电力，并且，提高与前述磁回路并列设置方向垂直的方向上的两端部的磁场强度。
溅射方法

[发明专利]用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置-CN201010580566.8有效
发明人： 矶部辰德;仓田敬臣;新井真;清田淳也;佐藤善胜;佐藤重光 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01J23/087 文献下载
摘要：本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。
用于磁控管溅射电极磁铁以及装置

[发明专利]溅射方法及溅射装置-CN200880103599.4无效
发明人： 矶部辰德;小松孝;佐藤重光;大空弘树;谷口英男;川口昌男 -专利权人：株式会社爱发科;夏普株式会社
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生，能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室(12)内与处理基板(S)相对并且以规定间隔并列设置的多片靶(41a)至(41h)中各成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地停止向各个靶施加电力。
溅射方法装置

[发明专利]溅镀装置及溅镀方法-CN200880011831.1有效
发明人： 矶部辰德;赤松泰彦;仓田敬臣;新井真;小松孝 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
装置方法

[发明专利]磁控管溅镀电极以及配置有磁控管溅镀电极的溅镀装置-CN200780042641.1有效
发明人：赤松泰彦;矶部辰德;新井真;清田淳也;小松孝 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：在磁控管溅镀装置中可均匀地腐蚀阴极靶的外周缘部，阴极靶的利用效率高，此外，不易产生异常放电，可形成良好的薄膜。在与处理基板相向配置的阴极靶(42)的后面配置有磁铁组合件(5)，该磁铁组合件(5)具有沿长度方向线性配置的中央磁铁(52)，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁(53)，用以改变阴极靶一侧的极性。此时，在该磁铁组合件的长度方向端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的呈隧道形的各磁力线中磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧局部性移位。
磁控管溅镀电极以及配置有磁控管溅镀装置

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