“目黑贵一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金刚石工具中间体的制造方法以及单晶金刚石的判定方法-CN202080107952.7在审
发明人：西泽正行;目黑贵一 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：准备具有作为与特定的晶体取向垂直的面的第一刻面的单晶金刚石。基于第一刻面，将单晶金刚石固定于支承体。通过将固定有单晶金刚石的支承体和X射线的照射方向相关联，由此拍摄将单晶金刚石的晶体取向和X射线的照射方向相关联后的单晶金刚石的X射线图像。基于X射线图像来对单晶金刚石中所包含的内含物在单晶金刚石中的位置进行确定。对是否能够从单晶金刚石提取在内含物排除区域不含有内含物的金刚石工具中间体的形状进行判定。从单晶金刚石提取在内含物排除区域不含有内含物的金刚石工具中间体的形状。
金刚石工具中间体制造方法以及金刚石判定

[发明专利]金刚石包覆工具-CN201280066661.3无效
发明人： 目黑贵一 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：本发明的金刚石包覆工具包含基材及包覆所述基材的表面的金刚石层，所述金刚石层含有金刚石、1.0×10¹⁸～1.0×10²²个原子/cm³的硼和1.0×10¹⁷～1.0×10²¹个原子/cm³的氮。
金刚石工具

[发明专利]金刚石涂层工具-CN201080003608.X有效
发明人：吉田克仁;吉田茂;关裕一郎;目黑贵一;松川真治 -专利权人：住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石涂层工具(10)，在该金刚石涂层工具(10)中基体材料(1)与金刚石层(3)之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具(10)包括：基体(1)；以及金刚石层(3)，其涂敷在所述基体(1)的表面上，其特征在于：基体(1)的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm-10μm(包括端点)而且粗糙度轮廓单元的平均长度(RSm)为1μm-100μm(包括端点)，并且金刚石层(3)具有从与所述基体(1)邻接的部分沿晶体生长方向延伸的多个腔(2)。
金刚石涂层工具

[发明专利]微波等离子体CVD系统-CN200780011115.9无效
发明人：植田晓彦;目黑贵一;山本喜之;西林良树;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
微波等离子体 cvd 系统

[发明专利]制造具有薄膜的金刚石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶-CN200780008725.3有效
发明人：植田晓彦;目黑贵一;山本喜之;西林良树;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
制造具有薄膜金刚石方法

[发明专利]单晶金刚石及其制备方法-CN200610073790.1有效
发明人： 目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法，其中，当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时，在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过50nm/100μm的厚度。
金刚石及其制备方法

[发明专利]金刚石单晶衬底的制造方法和金刚石单晶衬底-CN200610071559.9有效
发明人： 目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：制造金刚石单晶衬底的方法，其中单晶从作为种衬底的金刚石单晶通过气相合成生长，所述方法包括：制备具有主表面的金刚石单晶种衬底作为种衬底，其中该主表面的沿面取向落在相对于{100}平面或{111}平面不超过8度的倾斜范围内；通过机械加工形成许多不同取向的平面，这些平面的主表面的外周边方向相对于该种衬底一侧的主表面倾斜；然后通过气相合成生长金刚石单晶。
金刚石衬底制造方法

[发明专利]金刚石衬底及其制造方法-CN200610071561.6无效
发明人： 目黑贵一;谷崎圭祐;难波晓彦;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
金刚石衬底及其制造方法

[发明专利]金刚石复合基板及其制造方法-CN200480000322.0无效
发明人： 目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-01-22 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
金刚石复合及其制造方法

[发明专利]金刚石单晶合成衬底及其制造方法-CN200410100663.7有效
发明人： 目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向{100}朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过汽相合成生长金刚石单晶体，从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
金刚石合成衬底及其制造方法

1
共 10 条