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[发明专利]一种RTA退火炉校温方法-CN201811345657.6有效
发明人： 白继锋;赵敏博;陈杏;王向武;张银桥;汪洋 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种RTA退火炉校温方法，该方法利用衬底制作成校温陪片，利用金属和衬底在特定温度下才能形成良好欧姆接触的特性来定义退火的临界温度，在临界温度基础上可以得到安全的目标工艺温度，该方法还可以监控腔体在临界温度的温场分布。本发明一种RTA退火炉校温方法具有便捷、经济、可靠的优点，不需要专门购买昂贵的校温用TCWafer装置，同时解决了传统TC Wafer装置对背面有金属材料的样品无法有效反馈温场分布的弊端。
一种 rta 退火炉方法

[发明专利]一种高反射率VCSEL芯片的制备方法-CN202010796158.X有效
发明人：李俊承;白继锋;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反射率VCSEL芯片的制备方法，在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，在GaSb缓冲层上生长N型DBR层，在N型DBR层上生长第一波导层，在第一波导层上生长MQW层，在MQW层上生长第二波导层，在第二波导层上生长N++InAs/P++GaSb隧穿结层，在遂穿结层上生长P‑P‑GaSb接触层，隧穿结层和接触层湿法腐蚀后再电镀金属电极，最后在外延片表面沉积TiO2与SiO2周期DBR层，代替传统的InGaAsP/InP、InGaAlAs/InP、InGaAlAs/InAlAs等材料的DBR层，利用TiO2与SiO2较大的折射率差值，大大减少了DBR层的对数数量，从而减少了DBR层的厚度，减少了光的吸收和热效应，也减少了较厚的DBR材料带来大的串联电阻。
一种反射率 vcsel 芯片制备方法

[发明专利]一种应用大马士革工艺的mini/micro LED芯片及其制作方法-CN202111575134.2有效
发明人：李俊承;赵敏博;谈凯强;刘苏杰;王克来;白继锋;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种应用大马士革工艺的mini/micro LED芯片及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：沉积第一钝化层、抛光、沉积SiNx腐蚀阻挡层、沉积第二钝化层、蚀刻焊线电极图形、焊盘电极制作、抛光表面电极、蓝宝石减薄、最后抛光、隐形切割、劈裂，完成芯片制作。本发明采用大马士革方法制作mini/micro LED的焊盘锡电极，无需进行金属层的蚀刻，可制作厚电极，图形精度高，同时可避免使用负胶剥离或在封装端刷锡膏，提高工艺的稳定性；采用磁控溅射种子层和电镀相结合的方式，可避免使用金属蒸镀机，不存在污染蒸镀机与维护的问题，制作成本低。
一种应用大马士革工艺 mini micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种具有Ag反射镜的mini/micro LED及其制作方法-CN202111606885.6有效
发明人：李俊承;赵敏博;谈凯强;刘苏杰;王克来;白继锋;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有Ag反射镜的mini/micro LED及其制作方法，该mini/micro LED包括蓝宝石基板、LED外延层、P电极、N电极、第一钝化层、Ag反射镜、第二钝化层和焊盘电极；Ag反射镜通过大马士革工艺镶嵌在第一钝化层上；第二钝化层沉积在Ag反射镜和第一钝化层表面，并将Ag反射镜覆盖。本发明mini/micro LED通过大马士革工艺引入Ag反射镜，可以很精确的控制芯片表面Ag镜膜覆盖区域与厚度，反射率得到大大提高，同时将Ag反射镜制作在SiO2层之间，形成全方位反射层，对不同角度的入射光均有很好的反射效果，同时Ag反射镜被两层SiO2有效保护，不会被氧化或腐蚀，质量稳定。
一种具有 ag 反射 mini micro led 及其制作方法

[发明专利]一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法-CN202111251081.9在审
发明人：李俊承;赵敏博;白继锋;徐培强;潘彬;王向武;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法，包括以下步骤：外延片的生长、表面粗化处理、表面沉积SiO2、表面化学机械抛光、表面活化和键合、去除原有GaAs基板、台面制作、P电极制作、N电极制作、隔离道蚀刻、钝化隔离、接触孔蚀刻、焊盘制作、蓝宝石减薄和抛光、临时键合、蒸镀SiO2薄膜、光栅制作、解除临时键合、切割和劈裂。本发明通过在mini LED出光面制作亚波长抗反射光栅，只需要蒸镀单层膜，工艺流程大大简化，在保障较高出光效率的情况下，工艺操作更方便；本发明应用临时键合技术，保证基板减薄的情况下，提高了成品率。
一种具有波长反射光栅 mini led 制作方法

[发明专利]一种多结太阳能电池及制造方法-CN202110849429.8在审
发明人：李俊承;白继锋;徐培强;潘彬;王向武;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法，包括：Ge基板，作为基电池；GaAs光栅结构，设置于Ge基板的一端，是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层，覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池，设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池，设置于InGaAs中电池另一端；电极，设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜，覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面，且覆盖着电极之外的区域；其中，InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接，以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]一种带电流导引结构的红光LED及其制作方法-CN202110702416.8在审
发明人： 白继锋;陈杏;赵敏博;曹来志;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及红光LED技术领域，尤其涉及一种带电流导引结构的红光LED及其制作方法。本发明提供了一种带电流导引结构的红光LED，包括电流扩展层、限制层和电极，电流扩展层为所述红光LED外延片的最上层，所述电流扩展层上开设有环形槽。电流在电流扩展层中流动扩展时，由于有环形槽内的限制层对回流的电流进行拦截，限制层起到了不但隔离了电流扩展层表面的电流，还隔离了电流扩展层内回流电极下方的电流，克服了电流的回流，进而起到真正导引电流的作用，提升了发光强度；同时限制层延伸到N形层且限制层底部附近的限制层被氧化，进一步在N形层限制了电流的回流，进一步起到真正导引电流的作用而进一步提升了发光强度。
一种电流导引结构红光 led 及其制作方法

[发明专利]一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法-CN202110616416.6有效
发明人：李俊承;米万里;吴洪清;徐培强;白继锋;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明利用聚苯乙烯纳米球来制作周期型结构，在微球间隙填充进金属，最后形成周期性纳米结构的整面网状电极，来代替传统的梳状电极，能够减少电池表面电极遮光比，提高电流收集效率。
一种纳米网状表面电极三结砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种LED铝电极及其制备方法-CN202110319516.2在审
发明人： 白继锋;刘苏杰;吴波;陈杏;潘彬;王向武;张银桥 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种LED铝电极及其制备方法，本发明中LED电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层、第一钛层、铝合金层；所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁，所述第二电极由内到外依次为第二钛层和金层；所述铝合金为铝铜合金。本发明将Al材质改为含铜的Al合金，增加了铝电极的机械强度，缓解了纯Al电极易失铝的问题；采用Au对第一电极表面及侧壁进行包覆，增加了Al电极的密闭性，进一步避免了失铝问题，且仅使用一层薄薄的金，既解决了用金电极成本高的问题，其可靠性水平又接近金电极，效果好。
一种 led 电极及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法-CN202110304745.7有效
发明人：李俊承;徐培强;吴洪清;白继锋;米万里;熊珊;潘彬;王向武;张银桥 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/046 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池，包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层，外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽，腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层，与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道，走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层。一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法，使用ICP或化学腐蚀的办法，外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列，并且实现阵列之间的互联，使得有源层进行小面积分割互联，有效减少的外延层应力的释放，解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题。
一种砷化镓薄膜太阳电池制作方法

[发明专利]一种反极性红光LED芯片及其封装方法-CN202110379962.2在审
发明人： 白继锋;赵敏博;陈杏;曹来志 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种反极性红光LED芯片及其封装方法，该LED芯片以Si衬底为基础，由下而上依次为第二金属键合层、第一金属键合层、镜面层、SiO2导电孔层、第十一外延层、第十外延层、第九外延层、第八外延层、第七外延层、第六外延层、第五外延层、第四外延层、主电极；Si衬底下面为背电极；反极性红光LED芯片的版图形状设计成规则长条形，电极设置在偏离规则长条形的中心并靠近封装焊线的一侧。本发明将LED芯片设计成规则长条形，电极设置在偏离规则长条形的中心并靠近封装焊线的一侧，同样的面积下，比正方形芯片亮度要高；将固晶和焊线从芯片靠电极的一端作业，可以减少焊线后遮光损耗，进一步提高封装亮度。
一种极性红光 led 芯片及其封装方法

[发明专利]一种改善LED芯片多金异常的方法-CN202011187705.0在审
发明人：王克来;白继锋;徐培强;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善LED芯片多金异常的方法，该方法包括：使用负性光刻胶均匀的覆盖在晶片表面，利用暗场掩膜板进行曝光，显影后将发光区的金属蚀刻干净，去除光刻胶后即可得到电极完整、发光区洁净的芯片。本发明可以从根本上消除LED芯片多金异常的出现，提高芯片的良率和生产效率。
一种改善 led 芯片异常方法

[实用新型]一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片-CN202020501383.1有效
发明人：王克来;白继锋;徐培强;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片，该LED芯片结构从下往上依次设置n电极层、GaAs衬底、缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、GaP窗口层、p电极层。本实用新型通过采用上下两层复合布拉格反射层结构，其中下层设有氧化区域，经过对下层布拉格反射层进行部分氧化后，提高了出光效率，达到了提升芯片亮度的效果。
一种部分氧化布拉格反射层结构 led 芯片

[发明专利]一种改善LED芯片外观的测试方法-CN202010674058.X在审
发明人：王克来;曹来志;白继锋;徐培强;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善LED芯片外观的测试方法，该方法通过在电极透明导电膜上设置一个与4寸晶片形状大小一致的凸槽，将待测试的4寸晶片放置在测试机金属盘上，所述测试机金属盘上均匀分布着抽气孔，再将电极透明导电膜上的凸槽对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片上，测试机上的抽气系统通过抽气孔抽气，使得晶片与电极透明导电膜紧密结合，测试完成后关掉测试机的抽气系统，即可轻易将电极透明导电膜移除，避免了撕去导电膜时造成晶片的破裂以及在晶片表面留下脏污；测试过程中，测试探针没有直接与P电极接触，极大的改善了芯片的外观。
一种改善 led 芯片外观测试方法

[发明专利]一种具有复合ITO结构的LED芯片及其制备方法-CN202010269817.4在审
发明人：王克来;白继锋;徐培强;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合ITO结构的LED芯片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域，该方法是在制备的LED外延片上通过不同的氧流量蒸镀复合ITO薄膜层。复合ITO由上下两层折射率不同的ITO组成，下层ITO的厚度为λ/2n，上层ITO的厚度为λ/4n，且下层ITO的折射率大于上层ITO。本发明提供的复合ITO结构中下层ITO主要起到电流扩展作用，上层ITO起到增透的作用。本发明提高了芯片的出光效率，实现了芯片亮度的提升。
一种具有复合 ito 结构 led 芯片及其制备方法

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