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[发明专利]半导体装置和该半导体装置的制造方法-CN202211323175.7在审
发明人：郑盛旭;白智希;郑帐喜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；多个沟道结构，所述多个沟道结构穿透栅极结构，所述多个沟道结构布置在第一方向上；多个切割结构，各个切割结构在分别穿透所述多个沟道结构中的每一个的同时将所述多个沟道结构中的每一个分别隔离成多个分割沟道结构；以及多条互连线，其位于栅极结构上方并且在第一方向上延伸。所述多个切割结构中的每一个具有包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部的大致十字(+)形状。
半导体装置制造方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN201610287152.3有效
发明人：李杲泫;金镇浩;白智希;郑盛昱 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，可以包括：多个存储块，每个存储块包括漏极选择线、字线和源极选择线；以及传输晶体管级，包括多个传输晶体管，所述多个传输晶体管串联形成在有源区中且适用于将字线电压传送到多个存储块之中的响应于块选择信号而被选中的存储块，其中，每个传输晶体管在一侧与第一相邻传输晶体管共享漏极，而在另一侧与第二相邻传输晶体管共享源极，以及其中，共享源极的成对的传输晶体管经由源极将字线驱动信号从其漏极传送到成对的字线，所述成对的字线包括在存储块之中的不同的存储块中。
非易失性存储器