专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器装置及包括存储器装置的存储器系统-CN201911036257.1有效
  • 李宗勋;金志桓;白侊虎;李晋行 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-10-29 - 2023-08-29 - G11C16/34
  • 本公开涉及存储器装置及包括存储器装置的存储器系统。存储器装置包括:存储器单元,其被配置为存储数据;电压发生电路,其被配置为响应于操作控制信号选择性地输出编程电压和验证电压;页缓冲器,其包括第一锁存器和第二锁存器,并且在使用验证电压的验证操作期间,在第一锁存器中存储由第一感测电流感测到的第一数据并且在第二锁存器中存储由大于第一感测电流的感测电流感测到的第二数据;以及通过/失败检查电路,其被配置为根据第一数据和允许比特来确定存储器单元的验证操作的通过或失败。
  • 存储器装置包括系统
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201810966837.X有效
  • 白侊虎;李宗勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-08-23 - 2023-07-07 - G11C16/10
  • 存储器装置及其操作方法。一种操作具有改进的选择晶体管的阈值电压分布的存储器装置的方法,该存储器装置包括多个单元串,所述多个单元串各自包括在垂直方向上层叠到基板的多个源极选择晶体管、多个存储器单元和多个漏极选择晶体管,该方法包括以下步骤:执行使用固定的编程电压对所述多个源极选择晶体管当中的与和公共源极线相邻的第一源极选择线联接的至少一个源极选择晶体管进行编程的第一编程操作;以及在完成所述第一编程操作之后,执行使用递增步进脉冲编程(ISPP)方法对所述多个源极选择晶体管当中的与和所述第一源极选择线相邻的第二源极选择线联接的至少一个源极选择晶体管进行编程的第二编程操作。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201911198489.7在审
  • 李正焕;高正美;金志桓;白侊虎;郑暎燉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-10-20 - G11C7/12
  • 存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括:存储块,其联接到多条字线;外围电路,其用于对存储块的所选存储器单元执行感测操作,所述所选存储器单元联接到所述多条字线中的所选字线;字线电压控制器,其用于控制施加到所选字线的感测电压以对所选存储器单元执行感测操作,并且被配置为控制施加到联接到存储块的所述多条字线中的所选字线和未选字线的通过电压;以及位线控制信号发生器,其用于在通过电压被施加到所选字线和未选字线的同时,控制外围电路将沟道预充电电压施加到联接到所选存储器单元的各条位线。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]电荷陷阱器件的擦除方法-CN201310183279.7有效
  • 白侊虎 - 爱思开海力士有限公司
  • 2013-05-17 - 2019-08-06 - G11C16/34
  • 一种电荷陷阱器件的擦除方法,所述方法包括以下步骤:将第一擦除电压施加到电荷陷阱器件;将擦除验证电压施加到电荷陷阱器件;执行当前第一失败位检查操作,所述当前第一失败位检查操作包括将基于擦除验证电压判定的擦除失败的电荷陷阱器件的第一数目与第一参考值进行比较,并且基于比较结果来判定通过或失败;在当前第一失败位检查操作被判定成失败时,判定在上一擦除循环期间执行的上一第一失败位检查操作是否通过;以及在上一擦除循环期间执行的上一第一失败位检查操作通过时,将第三擦除电压设定成与在上一擦除循环期间利用的第二擦除电压相同的电平。
  • 电荷陷阱器件擦除方法
  • [发明专利]闪存器件和操作该闪存器件的方法-CN200810002314.X有效
  • 车载元;元参规;白侊虎 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-01-08 - 2009-02-11 - G11C16/06
  • 公开了一种闪存器件。该闪存器件包括:存储单元阵列,其被配置成具有用于存储数据的存储单元,在存储单元的一部分中存储初始数据;页缓冲电路,其被配置成具有页缓冲器,所述页缓冲器用于提供要在存储单元中进行编程的数据或者从存储单元读取的数据;控制器,其被配置成控制页缓冲电路以使得当开始闪存器件的操作时读取存储在存储单元阵列中的初始数据、判别所读取的初始数据的错误并修正初始数据的错误;以及初始数据锁存电路,用于锁存控制器修正了错误的初始数据。
  • 闪存器件操作方法
  • [发明专利]块解码器及包括块解码器的半导体存储器件-CN200810132027.0有效
  • 白侊虎;元嘇规;车载元 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-07-18 - 2009-02-11 - G11C16/08
  • 提供了块解码器及包括块解码器的半导体存储器件。该半导体存储器件可通过以下来改善电特性:当半导体存储器件工作时,以关断未被选择的存储单元块的漏极选择晶体管、源极选择晶体管和侧晶体管的方式,阻止流过存储单元的泄漏电流。该半导体存储器件包括:存储单元块,其中多个存储单元、漏极选择晶体管、源极选择晶体管及侧字线晶体管连接成串结构;块解码器,用于响应于预解码的地址信号而输出块选择信号,并控制所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管及所述侧字线晶体管;以及块开关,用于响应于所述块选择信号将全局字线连接至所述存储单元块的字线。
  • 解码器包括半导体存储器件

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