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- [发明专利]成像元件、成像设备和制造成像元件的方法-CN202180074465.X在审
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何轶伦;町田贵志
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索尼半导体解决方案公司
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2021-11-04
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2023-07-25
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H04N25/60
- 本发明防止入射光泄漏到成像元件的电荷保持单元。像素包括部署在半导体基板的光接收面上的光电转换单元、部署在与半导体基板的光接收面的一侧不同的一侧上的电荷保持单元以及将电荷转移到电荷保持单元的电荷转移单元，并且被配置为在光接收面视图中具有矩形形状。电荷保持单元遮光膜被配置为在光接收面视图中具有带状，其与包括作为矩形的侧之一的第一侧在内的三个侧相邻并与该第一侧平行、在光接收面视图中与包括电荷转移单元的半导体区域相邻，并且部署在光电转换单元和电荷保持单元之间的像素中以遮蔽入射光。电荷转移单元遮光膜被配置为在光接收面视图中具有带状，其与包括作为面向第一侧的一侧的第二侧在内的三个侧相邻并与该第二侧平行，并且被配置为具有部署在光电转换单元和电荷转移单元之间的像素中的形状以遮蔽入射光并且在光接收面视图中具有与电荷保持单元遮光膜的端部重叠的端部。
- 成像元件设备制造方法
- [发明专利]成像元件和成像装置-CN202180063850.4在审
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町田贵志
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索尼半导体解决方案公司
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2021-11-02
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2023-06-09
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H01L21/3205
- 根据本公开一个实施方案的成像元件包括：保持电荷的浮动扩散层(FD)；共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的光电转换元件(PD)；和多个传输栅(TG)，其针对共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)中的每个设置，并且被构造为从共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)输出电荷。共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)连同所述浮动扩散层(FD)一起以矩阵状配置，和不共享所述浮动扩散层(FD)的两个以上的所述光电转换元件(PD)中的每个的所述传输栅(TG)彼此一体化。
- 成像元件装置
- [发明专利]固态图像传感器、成像装置和电子设备-CN201910792532.6有效
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町田贵志;山下和芳
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索尼公司
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2015-12-07
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2022-11-18
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H01L27/146
- 本技术涉及能够切换固态图像传感器的所有像素中的FD转换效率的成像装置，其包括：产生与入射光对应的电荷的光电转换部；浮动扩散区域；位于光电转换部与浮动扩散区域之间的传输晶体管，其把来自光电转换部的电荷传输至浮动扩散区域，该传输晶体管的栅极具有两个短边和两个长边；电荷累积区域；设置在浮动扩散区域与电荷累积区域之间的开关晶体管，其被构造成将浮动扩散区域和电荷累积区域电连接；以及连接至浮动扩散区域且将它复位至电源电压的复位晶体管。电荷累积区域、开关晶体管和浮动扩散区域按次顺序且沿着与所述长边平行的线布置着。而且，所述长边的长度比包含浮动扩散区域、电荷累积区域、复位晶体管和开关晶体管的区域的长度长。
- 固态图像传感器成像装置电子设备
- [发明专利]成像装置、驱动方法和电子设备-CN201780019372.0有效
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町田贵志;铃木亮司;田舎中博士
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索尼公司
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2017-03-17
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2022-11-18
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H01L27/146
- 本发明涉及能够在不损坏图像质量的情况下扩展成像装置的动态范围的成像装置、驱动方法，以及电子设备。成像装置包括：像素阵列部分，多个单位像素排列在像素阵列部分中；以及驱动单元，该驱动单元被配置为控制单位像素的操作，其中单位像素包括光电转换器，电荷保留单元，该电荷保留单元被配置为保留电荷，电荷电压转换器，该电荷电压转换器被配置为将电荷转换为电压，第一传输单元，该第一传输单元被配置为将电荷从光电转换器传输到电荷保留单元，第二传输单元，该第二传输单元被配置为将电荷从光电转换器传输到电荷电压转换器，和第三传输单元，该第三传输单元被配置为将电荷从电荷保留单元传输到电荷电压转换器。例如，本发明可以施加于成像装置。
- 成像装置驱动方法电子设备
- [发明专利]摄像装置和电子设备-CN202080074583.6在审
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町田贵志
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索尼半导体解决方案公司
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2020-12-05
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2022-06-07
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H04N5/3745
- 提供一种能够实现更优成像性能的摄像装置。该摄像装置在沿第一表面延伸的有效像素区域中包括：聚光光学系统，其会聚入射光；光电转换单元，其能够通过光电转换产生电荷，所述电荷对应于通过所述聚光光学系统的所述入射光的量；电荷保持单元，其能够保持从所述光电转换单元传输的所述电荷；和第一遮光膜，其在与所述第一表面正交的厚度方向上设置在所述光电转换单元和所述电荷保持单元之间，并阻挡所述入射光。所述聚光光学系统将所述入射光会聚在所述有效像素区域中在所述厚度方向上与所述第一遮光膜重叠的位置。
- 摄像装置电子设备
- [发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置制造方法-CN202080073137.3在审
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福井僚;町田贵志;秋山健太郎
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索尼半导体解决方案公司
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2020-11-06
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2022-05-27
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H01L27/146
- [问题]旨在提供能够抑制因沟槽引起的布局效率降低的固体摄像装置及其制造方法。[方案]一种固体摄像装置包括基板，该基板包括沿着纵向方向延伸的一个以上垂直沟槽和沿着横向方向延伸且连接至所述一个以上垂直沟槽的水平沟槽。所述水平沟槽设置在所述基板内的光电转换部和电荷保持部之间且包括遮光膜。所述一个以上垂直沟槽包括第一和第二沟槽，所述第一沟槽具有第一宽度且包括所述遮光膜，所述第二沟槽具有比所述第一宽度细的第二宽度且不包括所述遮光膜。或者所述一个以上垂直沟槽包括第三沟槽，所述第三沟槽包括第一和第二部分，所述第一部分具有第三宽度且包括所述遮光膜，所述第二部分具有比所述第三宽度细的第四宽度且不包括所述遮光膜。
- 固体摄像装置制造方法
- [发明专利]摄像装置-CN202080045930.2在审
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椎原由宇;町田贵志;大池祐辅
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索尼半导体解决方案公司
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2020-04-23
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2022-02-01
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H01L27/146
- 提供了一种摄像装置，所述摄像装置包括：第一导电类型的第一半导体基板，其包括第一表面和在所述第一表面的相对侧的第二表面；第二导电类型的光电转换单元，其嵌入到所述第一半导体基板的所述第一表面中，并通过光电转换产生与所接收的光量相对应的电荷；均为所述第二导电类型的第一电荷存储单元和第二电荷存储单元，其平行嵌入到所述第一半导体基板的所述第二表面中，并存储在所述光电转换单元中产生的电荷；第一电荷传输单元，其将所述电荷从所述光电转换单元传输到所述第一电荷存储单元；和第二电荷传输单元，其将所述电荷从所述光电转换单元传输到所述第二电荷存储单元。
- 摄像装置
- [发明专利]光检测设备-CN202110779535.3在审
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町田贵志;山下和芳
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索尼公司
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2015-12-07
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2021-11-16
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H01L27/146
- 本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：光电转换区；传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将来自所述光电转换区的电荷传输到电荷‑电压转换部；开关晶体管，所述开关晶体管配置为选择性地将电容器的电容添加到所述电荷‑电压转换部的电容；以及配线层，所述配线层包括：第一电极，所述第一电极连接到所述开关晶体管；和第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对，所述第二电极包括第一部分和第二部分，其中，所述电容器包括所述第一电极和所述第二电极，且其中，所述第二电极的所述第一部分和所述第一电极之间的第一距离与所述第二电极的所述第二部分和所述第一电极之间的第二距离不同。
- 检测设备
- [发明专利]固态图像传感器、成像装置和电子设备-CN201580005763.8有效
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町田贵志;山下和芳
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索尼公司
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2015-12-07
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2021-07-20
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H01L27/146
- 本技术涉及一种能够切换固态图像传感器的所有像素中的FD转换效率的固态图像传感器、成像装置和电子设备。光电二极管对入射光进行光电转换。浮动扩散(FD)累积通过所述光电二极管获得的电荷。附加电容部MIM的容量增加到其上的作为第二FD的FD2将电容增加到FD。所述附加电容部MIM由第一电极和第二电极构成，第一电极由其中形成有与所述FD和第二FD的端子电连接的配线的配线层形成，第二电极由设置在其上形成有所述光电二极管的基板的表面上的金属遮光膜形成，所述基板的该表面更接近光的光源，所述金属层设置为比所述配线层更接近所述基板并且与所述配线层相对。FD和FD+FD2之间的切换允许切换FD转换效率。本技术适用于CMOS图像传感器。
- 固态图像传感器成像装置电子设备
- [发明专利]摄像装置和电子设备-CN201980054563.X在审
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町田贵志
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索尼半导体解决方案公司
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2019-08-19
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2021-04-02
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H01L27/146
- 本发明提供了一种包括具有更大的饱和电荷的电荷保持部的摄像装置。该摄像装置设置有第一导电类型半导体基板、第二导电类型光电转换部、第二导电类型电荷保持部、传输部和沟槽部。半导体基板具有第一表面和位于第一表面相对侧的第二表面。光电转换部埋入在半导体基板中，并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷。电荷保持部埋入在半导体基板中，并且保持在光电转换部中产生的电荷。传输部将电荷从光电转换部传输到传输目的地。沟槽部在电荷保持部中从第一表面朝向第二表面沿厚度方向延伸。沟槽部包括第一基体和以覆盖第一基体的方式设置的第一导电类型第一半导体层。
- 摄像装置电子设备
- [发明专利]摄像装置和电子设备-CN201980049688.3在审
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町田贵志
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索尼半导体解决方案公司
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2019-07-19
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2021-03-19
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H01L27/146
- 提供一种能够将电荷从光电转换单元平稳地传输至传输目的地的摄像装置。该摄像装置设置有：半导体层，具有前表面和位于与前表面相反侧的后表面；光电转换单元，被埋设在半导体层中，并且通过光电转换产生与所接收的光量相对应的电荷；和传输单元，包括第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，并且传输单元经由第一沟槽栅极和第二沟槽栅极将所述电荷从光电转换单元传输至相同的传输目的地，第一沟槽栅极和第二沟槽栅极分别从半导体层的所述前表面向着所述后表面延伸至光电转换单元。所述第一沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换单元的第一长度，并且所述第二沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换单元的第二长度，所述第二长度比所述第一长度短。
- 摄像装置电子设备
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