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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310100024.3在审
发明人： 申完燮;柳丞昱;吕丞美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；体凹陷部，该体凹陷部形成在衬底中；体电介质层，该体电介质层形成在体凹陷部之上；有源层，该有源层在衬底之上沿平行于衬底的方向延伸；接触节点，该接触节点竖向地形成在有源层的一侧的一个端部的侧壁之上；以及导电线，该导电线耦接至接触节点并且从体电介质层竖向地延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202211426164.1在审
发明人：柳丞昱;申完燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：导线叠层，其包括在垂直于衬底的表面的方向上堆叠在衬底之上的多个第一导线；导电焊盘，其分别从第一导线的边缘部横向延伸；以及接触插塞，其分别耦接到导电焊盘。
半导体存储器件

[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法-CN202210782310.8在审
发明人： 申完燮;金种基;柳丞昱;吴峻硕;李兴宙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本申请涉及垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在半导体基板上方形成包括源极牺牲层的下层层叠物；在下层层叠物上方形成包括介电层和牺牲层的上层层叠物；形成包括贯穿上层层叠物和下层层叠物的沟道层的垂直沟道结构；在暴露出源极牺牲层时形成贯穿上层层叠物的狭缝；通过去除源极牺牲层形成从狭缝延伸的横向凹陷部；在填充横向凹陷部时形成联接至沟道层的一部分的第一接触层；在第一接触层的暴露表面上方选择性地形成第二接触层；以及在第二接触层上方选择性地形成化学阻挡层。
垂直半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010411141.8在审
发明人：金熙洙;杨永镐;李昌秀;申完燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法-CN201910608325.0在审
发明人： 申完燮;李起洪;李在重;张荣根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：半导体装置以及该半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成由第一沟道结构穿透的第一层叠结构；形成围绕第二沟道结构并通过第一狭缝和第二狭缝彼此分离的多个电极图案，第二沟道结构联接到第一沟道结构，并且第二狭缝具有不同于第一狭缝的宽度；利用绝缘材料填充第一狭缝和第二狭缝中的每一个以覆盖电极图案的侧壁；以及形成穿过各个第二狭缝中的绝缘材料并延伸以穿过第一层叠结构的多个第三狭缝。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法-CN201910444129.4在审
发明人：张荣根;申完燮;李起洪;李在重 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括多个第二导电图案，多个所述第二导电图案在由第一沟道结构穿透的第一层叠结构上方彼此分离并且包围分别联接到第一沟道结构的多个第二沟道结构。各个第二导电图案包括在第一方向上层叠的多个电极部分以及在第一方向上延伸以联接到电极部分的至少一个连接部分。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]聚硅氮烷层的退火工艺及其形成半导体器件隔离层的方法-CN200810006271.2无效
发明人：全光锡;朱光哲;申完燮;尹光铉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及聚硅氮烷层的退火工艺及用其形成半导体器件隔离层的方法。将具有形成的聚硅氮烷(PSZ)层的晶片装载到室中，同时在所述室内保持装载温度。将氧气供应给所述室。装载后，所述室内温度升高至处理温度。随后，在保持处理温度的室内固化所述PSZ层。在该固化步骤期间，给室提供蒸气从而使得氧气和蒸气的比例设定为1∶1～50∶1。在停止氧气和蒸气供应的情况下，通过提供惰性气体到所述室来吹扫所述室的内部。
聚硅氮烷层退火工艺及其形成半导体器件隔离方法

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