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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种高效切割装置-CN202223041880.6有效
发明人：邓书康;向玉婕;郑杰;唐语;申开远;申兰先;葛文 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B28D1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种高效切割装置，包括工作台、支架、夹持组件、第一电推杆、安装架和切割组件，还包括防尘组件；防尘组件包括固定罩、弹簧、移动罩、放置框、收集框和风机，对半导体材料进行切割时，先通过夹持组件对半导体材料进行固定，然后启动第一电推杆，使第一电推杆带动安装架、切割组件和固定罩移动，进而带动弹簧和移动罩移动，使移动罩与工作台抵接，此时第一电推杆的输出端继续伸长，并带动切割组件对半导体材料切割，通过固定罩和移动罩对切割组件进行遮挡，使切割时的粉尘留在固定罩和移动罩内部，从而实现对飞溅的粉尘进行防护，避免粉尘飞溅导致粉尘不能被完全吸取的目的。
一种高效切割装置

[发明专利]一种β-Zn₄Sb₃单晶热电材料的制备方法-CN201310402505.6在审
发明人：邓书康;晒旭霞;孟代仪;申兰先;董国俊;郝瑞亭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2013-09-07 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备β-Zn₄Sb₃单晶材料的方法，属半导体热电材料领域。采用以下步骤实施：A)采用Sn熔剂法，将上述三种元素按一定的配比称量后放入坩锅内；B)采用真空或惰性气体保护下真空熔融缓冷上述装有原料的坩埚；C)待上述坩埚温度冷却到一定温度时，采用物理或者化学的方法将坩埚中剩余的Sn分离后即可获得β-Zn₄Sb₃单晶材料，该方法制备工艺简单，通过调控工艺参数和起始原料比例，可制备出具有不同晶体尺寸的高性能且热稳定性高的β-Zn₄Sb₃单晶热电材料，能满足热电材料器件的需求。
一种 zn sub sb 热电材料制备方法

[发明专利]一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法-CN201210105235.8无效
发明人：邓书康;康昆勇;孙启利;申兰先;郝瑞亭;杨培志;李明 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，属半导体薄膜材料领域。采用以下步骤实施：A)30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的Ge填埋层；B)30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；C)在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶Si薄膜。在低温度下制备多晶Si薄膜，工艺简单，是一种实用于大规模工业生产的多晶Si薄膜材料的晶化方法。
一种 ge 低温诱导多晶 si 薄膜制备方法

[发明专利]一种制备隐蔽型发射极硅太阳电池的方法-CN200910218297.8无效
发明人：龙维绪;涂洁磊;廖华;刘祖明;李景天;申兰先;马逊;赵恒利;杨培志 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备隐蔽型发射极硅太阳电池的方法，本发明方法采用二次扩散工艺，包括：1-激光打孔，2-清洗、辐射损失去除、绒面制备，3-扩散，4-掩蔽发射区，5-发射区腐蚀、去周边结，6-去除掩蔽，7-氧化及表面钝化，8-丝网印刷电极，9-烧结。本发明可以较好的制备出隐蔽型发射极硅太阳电池。
一种制备隐蔽发射极太阳电池方法

[发明专利]隐蔽型发射极硅太阳电池-CN200910218298.2无效
发明人：龙维绪;涂洁磊;廖华;刘祖明;李景天;申兰先;马逊;赵恒利;杨培志 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：隐蔽型发射极硅太阳电池，属于将太阳光转换为电能的半导体器件，特别是背接触硅太阳电池。本发明提供了该太阳电池的结构采用双极性晶体管(n/p/n)结构，正面n扩散区是发射极，p型基体是基极，背面n扩散区是集电极。该电池完全去除了正表面的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来收集载流子，并传递到背面的发射区电极上，提高了光生电流的密度，从而提高了电池的效率。由于正负电极都安装在电池背面，简化了光伏组件的封装，使自动化生产更容易实现。
隐蔽发射极太阳电池

[发明专利]一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法-CN200910095138.3无效
发明人：郝瑞亭;杨培志;申兰先;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B)450℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长GaSb层；C)在GaAs层上制作顶电极，在GaSb层上制作背电极；D)完成电池的制作，进行封装得到成品。
一种砷化镓锑化镓太阳电池制作方法

[发明专利]一种叠层太阳电池的制作方法-CN200910095140.0无效
发明人：郝瑞亭;杨培志;申兰先;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂锑化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb缓冲层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各层之间的隧穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底上制作背电极。然后进行封装，完成电池的制作。
一种太阳电池制作方法

[发明专利]一种半导体太阳电池的制作方法-CN200910095139.8无效
发明人：郝瑞亭;申兰先;杨培志;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层。具体过程包括：在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，生长p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结，在450℃下，生长GaSb层，生长p+GaSb/n+InAsSb隧穿结，在430℃下，生长InGaAsSb合金层，在砷化镓单晶片衬底表面制作顶电极，在InGaAsSb合金层表面制作背电极，然后进行封装，完成太阳电池的制作。
一种半导体太阳电池制作方法

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