“田雪雁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果103个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]激光退火设备、多晶硅薄膜及其制作方法-CN201410099177.1在审
发明人： 田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及激光退火技术领域，公开了一种激光退火设备、一种多晶硅薄膜及其制作方法。所述激光退火设备，包括退火室，所述退火室内设置有激光发生器，所述退火室内还设置有：透过激光的退火窗体，以及位于所述退火窗体之上相对设置的两个切光板，其中，每个所述切光板的切光端面为楔形端面。在本发明技术方案中，由于切光端面采用楔形端面，因此，射到切光端面的入射光束发生反射形成的反射光束与透过退火窗体的射入光束的夹角较大，振动方向相差较大，因此不易发生干涉现象，减少了多晶硅薄膜上因干涉而产生的干涉性斑点，提高了多晶硅薄膜的品质，并且也提高了产品的良率。
激光退火设备多晶薄膜及其制作方法

[实用新型]一种激光退火设备-CN201420050789.7有效
发明人： 田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光退火技术领域，公开了一种激光退火设备，所述激光退火设备包括：退火室、氧化室、湿法刻蚀室和传送装置，其中：所述退火室内设置有至少一个氧气分析计；具有非晶硅膜的基板经所述传送装置传送依次通过所述退火室、氧化室和湿法刻蚀室。在本实用新型技术方案中，由于具有非晶硅膜的基板经过退火室退火形成多晶硅膜后还需在氧化室内进行氧化以及在湿法刻蚀室内进行湿法刻蚀，因此，保证了即使氧气含量超标下生产的多晶硅膜的表面粗糙度也能符合标准，进而提高了产品的良率。
一种激光退火设备

[实用新型]薄膜晶体管和显示装置-CN201320613194.3有效
发明人：王磊;田雪雁;任章淳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种薄膜晶体管和显示装置，涉及显示器领域，可以提高低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸及均匀性，并能充分利用入射激光的能量，有利于降低低温多晶硅薄膜的生产成本，提高了低温多晶硅薄膜晶体管的性能。该薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的有源层和位于所述有源层上的绝缘薄膜，所述有源层的材质为低温多晶硅薄膜；所述绝缘薄膜为光学增透薄膜，所述光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构，并将该薄膜晶体管应用于显示装置。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置-CN201310455936.9有效
发明人：王磊;田雪雁;任章淳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置，涉及显示器领域，可以提高低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸及均匀性，并能充分利用入射激光的能量，有利于降低低温多晶硅薄膜的生产成本，提高了低温多晶硅薄膜晶体管的性能。低温多晶硅薄膜的制备方法包括：在基板上沉积非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上覆盖光学增透薄膜；对光学增透薄膜进行光刻，使光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构；对覆盖有光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射，使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；用低温多晶硅薄膜构建薄膜晶体管，并将其用于显示装置。
低温多晶薄膜制备方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管-CN201310139120.5有效
发明人： 田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及显示面板制造领域，公开了一种低温多晶硅的制作方法，其包括：在衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅层，在形成非晶硅层后进行高温处理；根据所述非晶硅层的厚度分布情况分为多个能量区进行激光退火处理，形成多晶硅层。本发明还公开了基于上述低温多晶硅的制作方法所制备的低温多晶硅薄膜以及具有该薄膜的薄膜晶体管。本发明将非晶硅层分成多个能量区进行激光退火处理，使得每个能量区域内的多晶硅都能得到大尺寸的晶粒尺寸，并且整个基板范围内的多晶硅晶粒尺寸的分布均匀。
低温多晶制作方法薄膜薄膜晶体管

[发明专利]LTPS薄膜及薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201210478997.2有效
发明人： 田雪雁;龙春平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜制备方法，包括：提供一基板；在基板上依次形成导热绝缘层、缓冲层和非晶硅层；其中，导热绝缘层具有规则分布的图案；对非晶硅层进行高温处理和激光退火，使非晶硅层形成多晶硅薄膜。本发明还公开了所制得的低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。本发明通过在基板上增加一层图案状的导热绝缘层，使得非晶硅层进行激光退火时，非晶硅薄膜中的导热状况发生变化，产生温度梯度。激光退火时，非晶硅薄膜在有导热绝缘层图案的区域，由于热量被快速吸收，这些区域会比其它区域冷却得更快，能够先行形成结晶核，经过退火过程，结晶核再继续向周围生长，一直到生长为大的多晶硅晶粒，并且分布均匀。
ltps 薄膜薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201210479947.6有效
发明人： 田雪雁;龙春平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，提供一基板，将其置于基台上，在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层，对非晶硅层进行高温处理和激光退火，使非晶硅层形成为多晶硅层；在基板上形成缓冲层之前，在基板下表面或基台上表面形成有保温隔热层。本发明通过增加耐高温保温隔热层，来抑制从融熔硅层向基板、再向基台的快速散热过程。在激光退火过程中，通过增加耐高温保温隔热层，减小了基板的热导率，从而降低基板向基台的散热过程，达到降低融熔硅层与基板界面处的温度梯度，以减少融熔硅层向基板的热流，延长多晶硅的晶化时间，提高多晶硅薄膜的晶粒尺寸；本发明所采用的方法，在生产过程中容易操作，工艺过程简洁并且不耗费原料。
低温多晶薄膜制备方法薄膜晶体管及其

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制作方法-CN201110370014.9有效
发明人： 田雪雁;龙春平;姚江峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法，涉及液晶面板制造领域，用以减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流，从而提高产品质量。该低温多晶硅薄膜的制作方法包括：在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；在高温下对所述多晶硅层进行氧化；对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。本发明实施例用于薄膜晶体管的制造。
一种低温多晶薄膜制作方法

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜-CN201110430741.X有效
发明人： 田雪雁;龙春平;姚江峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法，该方法首先在基板上形成缓冲层和非晶硅层，随后对非晶硅层进行第一次激光退火处理，使非晶硅层转变为多晶硅生长底层，随后对多晶硅生长底层进行蚀刻处理，使第一次激光退火处理过程得到的多晶硅生长底层表面趋于平坦，接着再对多晶硅生长底层进行第二次激光退火处理，得到多晶硅薄膜。由本方法制备的低温多晶硅薄膜表面粗糙度低，后续制备的多晶硅薄膜晶体管的电流特性好。
一种低温多晶薄膜制备方法

[发明专利]微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法-CN201110202456.2有效
发明人： 田雪雁;龙春平;姚江峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管技术领域，提供了一种微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法，采用微晶层和非晶硅层复合而成的有源层，大大提高了器件电学性能，克服了现有的技术瓶颈，制备出了性能稳定且漏电流较低的底栅结构微晶非晶硅复合型TFT；同时大大缩短了其生产时间并简化了生产工艺，可有效适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)及低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPS TFT-LCD)等领域。
微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法-CN201110125571.4无效
发明人： 田雪雁;龙春平;姚江峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京北旭电子玻璃有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法，包括基板、依次在所述基板上制备的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极和钝化层，其特征在于，所述有源层是由微晶硅构成，所述有源层包括有源层下部和有源层上部，其中，所述有源层下部是由至少2层非晶硅薄膜逐层经过氢等离子体处理而得到的微晶硅构成。本发明提供的薄膜晶体管及阵列基板，有源层下部是由非晶硅经过氢等离子体处理得到的微晶硅构成，目的是通过减少有源层下部的晶界和缺陷，提高薄膜晶体管中载流子的迁移率、开关响应速度，同时降低薄膜晶体管的功耗，通过连续沉积工艺制备有源层上部可以提高薄膜晶体管的制备效率。
一种薄膜晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管的制造方法-CN200710179959.6无效
发明人：徐征;田雪雁;赵谡玲;张福俊;袁广才 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。
有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管的制造方法-CN200710179958.1无效
发明人： 田雪雁;徐征;赵谡玲;张福俊;袁广才 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括：依次在基底(101)上制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、源极(104)、漏极(105)、表面修饰层(106)、有机半导体层(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。采用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底的大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在源极和漏极上采用硫醇溶液形成表面修饰层进一步保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。
有机薄膜晶体管制造方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
共 103 条