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[发明专利]一种基于场效应管的单光子淬灭电路-CN201810425446.7有效
发明人：赵彦立;王润琦;田育充 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场效应管的单光子淬灭电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，雪崩光电二极管APD，滑动变阻器R以及取样电阻R₀，APD阴极与R相连；APD阳极与R₀和放大器的一端相连；R₀与第一NMOS管的漏极相连；R与第二NMOS管的源极相连；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极与高压偏置电源相连；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极均与脉冲信号相连，雪崩信号经过放大器后输出。通过调节滑动变阻器阻值可有效的减小工作电流，降低功耗，利用两个MOSFET管即可实现单光子的自淬灭过程，结构简单，淬灭电路响应速度快，且工作电流可得到有效限制，有利于实现大规模雪崩光电二极管的集成。
淬灭单光子雪崩光电二极管放大器滑动变阻器场效应管工作电流漏极电路阴极阳极电路响应降低功耗脉冲信号偏置电源取样电阻雪崩信号有效限制源极接地减小源极输出

[发明专利]一种自淬灭单光子探测系统-CN201510897043.9在审
发明人：赵彦立;田育充;文柯;解超;涂俊杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明属于通信技术领域，公开了一种自淬灭单光子探测系统，包括：混频器、雪崩光电二极管APD，跨阻放大器TIA、取样电阻R以及比较器；雪崩光电二极管APD的负极连接直流偏压VD，正极通过取样电阻R接地；雪崩光电二极管APD的正极与跨阻放大器TIA输入端相连；跨阻放大器TIA信号输出端分别与雪崩光电二极管APD的负极以及比较器相连；其中，待检单光子信号与本振光信号经由混频器混频后输出光信号，光信号发送给雪崩光电二极管APD的光输入端；跨阻放大器TIA的输出信号反馈调节雪崩光电二极管APD两端电压；比较器计数单光子脉冲。本发明提供了一种高效，便捷可靠性高的单光子探测系统。
一种淬灭单光子探测系统

[发明专利]一种门控差分单光子探测系统-CN201510413840.5在审
发明人：赵彦立;解超;涂俊杰;田育充 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明属于通信技术领域，公开了一种门控差分单光子探测系统，包括：第一门电路、第一偏置电路、APD、第一放大器、第二门电路、第二偏置电路、可调电容、移相器、第二放大器、减法器、低噪声放大器以及雪崩鉴别电路；第一门电路与APD相连；第一偏置电路与APD相连；第一放大器与APD相连；第二门电路与可调电容相连；第二偏置电路与可调电容相连；移相器与可调电容相连；第二放大器与移相器相连；减法电路分别与第一放大器和第二放大器相连；低噪声放大器的输入端与减法器相连，输出端与雪崩鉴别电路相连；放大差分信号并进行雪崩信号提取，输出雪崩脉冲信号。本发明通过门控反馈控制机制，大大降低了尖峰噪声和后脉冲效应，提升探测频率。
一种门控差分单光子探测系统