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[发明专利]一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795473.4在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310780439.X在审
发明人：侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
一种氮化物半导体蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种LED粗化液，其制备方法与应用-CN202310780436.6在审
发明人：侯军;田继升;武文东;曲延琦;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LED粗化液，其制备方法与应用，所述LED粗化液包括重量配比如下的各组分：无机酸10‑20份；有机酸10‑20份；烷基盐类化合物0.01‑0.1份；铵盐20‑40份；超纯水20‑60份。所述烷基盐类化合物为烷基溴化铵和/或烷基磺酸钠。本发明还公开了LED粗化液的制备方法。本发明LED粗化液具有粗化颗粒细密、LED表面粗化均匀的特性，能应用于Mini/Micro‑LED领域，能够有效增加红黄光Mini/Micro‑LED的外量子效率，提高提亮比，解决由于折射率过大而造成的AlGaInP外延发光效率低的问题。解决了现有技术中技术问题。
一种 led 粗化液制备方法应用

[发明专利]一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用-CN202211725718.8在审
发明人：武文东;侯军;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用，本发明半导体硅片蚀刻液，包括重量配比如下的各组分：无机酸1‑6份；铵盐7‑20份；有机酸30‑40份；超纯水30‑60份。本发明半导体硅片蚀刻液的制备方法包括以下步骤：按照重量配比分别称取各组份；先将超纯水加入容器中，而后将其他组分加入容器，在搅拌下将容器的温度稳定在20‑40℃内，直至所有组分完全溶解，溶液呈无色或淡黄色，制备得到半导体硅片蚀刻液。本发明半导体硅片蚀刻液是一种安全、环保、高效的蚀刻液，该蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻面平整，对粗糙硅表面具有化学抛光作用，可在半导体领域应用，能解决芯片硅衬底的减薄问题。
一种半导体硅片蚀刻制备方法应用

[发明专利]蚀刻液组合物、蚀刻液及其制备方法-CN202211689609.5在审
发明人：武文东;侯军;赵晓莹;曲延琦;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物、蚀刻液及其制备方法。蚀刻液组合物包括混合酸剂、含氟化合物、不饱和烃化合物、表面活性剂以及溶剂；其中，所述混合酸剂包含有氢氟酸；所述不饱和烃化合物为含有氨基、酰胺基或亚氨基中的至少一种的不饱和烃化合物；所述表面活性剂包含有磷酸酯类表面活性剂。本发明的蚀刻液组合物在用于去除晶圆表面氧化层时速度快，选择性高，均一性优异。并且，本发明的蚀刻液组合物对后续的清洗工艺无特殊要求，仅需纯水冲洗即可清除残留，操作工艺简单。
蚀刻组合及其制备方法