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[发明专利]一种半导体表面微纳米结构的加工方法-CN201510458556.X有效
发明人：詹东平;张杰;田中群;田昭武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面微纳米结构的加工方法，其特征在于包括如下步骤(1)在纳米压印模板的工作表面镀上一层金属催化剂，形成压印模板电极；(2)用该压印模板电极在恒温的金属辅助刻蚀溶液中与待加工的半导体材料通过直接压印的接触方式形成肖特基结，金属辅助刻蚀溶液中的氧化剂在金属表面自发还原的同时，向上述半导体材料注入空穴，使之发生氧化分解，从而将压印模板表面的微纳米结构直接批量复制到上述半导体材料的表面。本发明的加工方法可以使金属辅助刻蚀能够以电化学纳米压印的工作模式进行加工，能够在半导体表面直接高效、批量的复制准三维结构、多级台阶结构和连续曲面结构。
一种半导体表面纳米结构加工方法

[发明专利]液态化学栅吸收式室内气体净化器-CN201610801754.6在审
发明人： 田昭武;田家熙;朱天骅 -专利权人： 田昭武;田家熙
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01D47/02 文献下载
摘要：液态化学栅吸收式室内气体净化器，涉及气体净化。设有壳体，在壳体的进气口后设有液态化学栅，在液态化学栅的前方或后方设有风机；所述液态化学栅内设有贯通气道阵列或/和贯通孔隙阵列，所述贯通气道阵列和贯通孔隙阵列上注入用于吸附或/和吸收室内气体中飘浮的微粒和有害物质的化学溶液。可用于全面除去气体中漂浮的固体微粒、液体微粒以及有害的易溶气体分子。液态化学栅由含化学成分的溶液分散并形成具有巨大的液体表面积和丰富通道，便于气体流过。溶液分散方式可附载于丰富孔道的固体载体表面上。液态化学栅中的溶液不含挥发物，并可保持其液体体积和成分在气体流过前后稳定，以达到长期使用以减少经常更换或处理再生的麻烦。
液态化学吸收室内气体净化器

[发明专利]一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法-CN201410269475.0有效
发明人：时康;田中群;张红万;康仁科;张劲福;田昭武;周平;王成;单坤;周剑章;吴丹 -专利权人：厦门大学;大连理工大学
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C25F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法，其包括如下步骤：在模板电极或工件表面固定一层氧化还原水合凝胶聚合物超薄膜；将模板电极和工件浸入工作溶液，叠放于容器底部，使模板电极表面和工件表面分别与软质聚合物超薄膜的两面保持自然紧密接触；另在容器内设辅助电极和参比电极，并与电化学控制仪相连；启动电化学控制仪，调控模板电极的电位，电化学氧化超薄膜中的电化学活性基团，由其快速地化学氧化与之接触的工件表面夺取电子，而工件表面失去的电子被超薄膜慢速地传递至模板电极，使刻蚀持续进行；刻蚀完毕后，关闭电化学控制仪，移开模板电极，即可。本方法能以纳米精度将模板电极表面微结构图案的互补结构刻蚀加工在工件表面。
一种纳米精度电化学刻蚀加工方法

[发明专利]一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法-CN201310195128.3有效
发明人：詹东平;张杰;田中群;贾晶春;韩联欢;袁野;田昭武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法，可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构，同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括：弹性模板电极简单微结构的设计与制备，以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构；模板电极上应力屈曲的产生及其控制，以使模板电极可控地产生屈曲形变；屈曲结构的复制，利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。
一种复杂三维多级结构约束刻蚀加工方法

[发明专利]一种可控孔径的多孔电极及其制备方法-CN201310198697.3有效
发明人：董全峰;林志彬;田昭武;郑明森;林祖赓;林长冲 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种可控孔径的多孔电极及其制备方法，涉及多孔电极。所述可控孔径的多孔电极由碳材料组成，呈3D网络骨架薄膜，平均孔径集中在0.1～5μm之间，可控孔径的多孔电极的厚度可为50～0.1mm；可控孔径的多孔电极的孔隙率大于80%。将碳材料粉末与粘结剂、造孔剂共混，加入分散剂，搅拌直至变为颗粒状，得颗粒状湿粉；利用滚轴对得到的颗粒状湿粉进行反复滚压成片状薄膜，折叠后继续滚压，直至电极薄膜成型后，烘烧，即得可控孔径的多孔电极。制备工艺简单，电极孔径可控，成本低廉，无环境污染，可广泛应用于高充放电倍率液相储能电池、双电层超级电容器、燃料电池以及其他含有多孔电极作为组件的电池类型。
一种可控孔径多孔电极及其制备方法

[发明专利]精密复合电解加工方法-CN201210144361.4无效
发明人：蒋利民;邓文波;田昭武 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B23H5/00 文献下载
摘要：一种精密复合电解加工方法，其方法步骤为：1）将被加工件放入电解槽，并连接到电化学系统；2）将模板固定到固定架上，并连接到电化学系统；3）将复合电解液注入电解槽；4）通过驱动控制器移动固定架，使模板进入电解液；5）启动电化学系统；当设计在阳极产生刻蚀剂，约束刻蚀加工和电解加工交替进行；当设计在阴极产生刻蚀剂，两种加工同时进行，产生加工效果的叠加。6）驱动装置以一定的时间间隔和步长将模板向工件移动以保持刻蚀剂层与工件接触；7）加工完成后，模板抬起。本发明的技术效果是：将约束刻蚀剂层技术与传统的电解加工技术复合从而形成复合电解加工技术，对材料进行复杂三维形貌的复合电解加工，可大幅度提高电解加工精度。
精密复合电解加工方法

[发明专利]一种咪唑嗡盐型阴离子交换膜及其制备方法-CN201010111470.7有效
发明人：方军;郑明森;董全峰;田昭武;卢晓焕;施一宁;林祖赓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B01D71/78 文献下载
摘要：一种咪唑嗡盐型阴离子交换膜及其制备方法，涉及一种阴离子交换膜。以高分子薄膜为基材，热稳定性和化学稳定性良好的咪唑嗡盐型阴离子交换膜及制备方法。其化学结构为一类侧链上含有咪唑嗡盐的高分子聚合物，所述咪唑嗡盐型阴离子交换膜的膜离子电导率大于0.01S/cm，具有良好的热稳定性和化学稳定性，可在高温，强酸、强碱和强氧化剂中使用。将高分子薄膜用丙酮浸泡，清洗后烘干至恒重；高能射线辐照薄膜；辐照后的薄膜放入容器中，向容器中注入单体，使膜完全浸没在单体中，抽真空，充入惰性气体至容器内无空气，密封后置于水浴中反应，除去未反应单体，烘干；将接枝后的薄膜用季铵化试剂浸泡，去离子水洗涤，得咪唑嗡盐型阴离子交换膜。
一种咪唑嗡盐型阴离子交换及其制备方法

[发明专利]一种酸性介质中的阴离子交换膜-CN201010532391.3无效
发明人：董全峰;庄林;董燕青;田昭武;郑明森;林祖赓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：一种酸性介质中的阴离子交换膜，涉及一种膜技术。提供一种在酸性介质中具有良好机械强度和化学稳定性，以及具有阴离子选择性的酸性介质中的阴离子交换膜及其制备方法。所述酸性介质中的阴离子交换膜由路易斯碱化合物和聚醚类材料共混组成，所述路易斯碱化合物所占比例大于20％，所述路易斯碱化合物和聚醚类材料固含量按质量百分比占膜液总量的2％～20％。将路易斯碱化合物和聚醚类材料溶解于有机溶剂中，制成膜液；将膜液倒在基板上流延铸膜，加热膜液；冷却基板后脱膜，即得酸性介质中的阴离子交换膜。
一种酸性介质中的阴离子交换

[发明专利]纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置-CN201010219037.5有效
发明人：田中群;时康;詹东平;田昭武;韩联欢;汤儆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
纳米精度电化学平和抛光加工方法及其装置

[发明专利]溶液pH的电化学原位调控方法-CN200910111081.1有效
发明人：毛秉伟;王永春;田昭武;汝英明;苏建加 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G05D21/02 文献下载
摘要：溶液pH的电化学原位调控方法。提供一种原位、实时调控溶液全局的溶液pH的电化学原位调控方法和装置。装置设有电解池、恒电流仪，电解池内设有钯金属膜并将电解池隔离成多个电极室，电极室串联，最外两个电极室接Ag/AgCl电极。在Ag/AgCl电极之间加极化电流，左电极室的Pd膜为阳极，Pd膜体相中的原子氢扩散到表面而被氧化为H+，电极上AgCl被还原为Ag；右电极室的Pd膜表面为阴极，H+还原反应为氢原子，吸附到Pd膜表面后进入Pd膜体相，电极上的Ag被氧化为AgCl；改变极化电流极性，左电极室的Pd膜表面由阳极变为阴极，右电极室的Pd膜由阴极变为阳极，电极室中溶液的pH分别发生相应变化。
溶液 ph 电化学原位调控方法

[发明专利]玻璃微流控芯片的制备方法-CN200810071832.7无效
发明人：叶嘉明;庄金亮;田昭武;周勇亮;汤儆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：玻璃微流控芯片的制备方法，涉及一种微流控芯片。提供一种新的玻璃微流控芯片的制备方法。将在具有微凹槽结构的原始母版上的微结构转移至凝胶表面，浸于电解液中得凝胶模板；将凝胶模板置于电解池中，使具有微结构的部分暴露于液面上；在空白玻璃基片的抛光面依次溅射铬层和金层作为牺牲层，得具有金/铬牺牲层的玻璃基片，再置于凝胶模板表面，金/铬牺牲层作为工作电极，对金/铬牺牲层进行电化学刻蚀即得牺牲层上具有微通道图形的玻璃基片，再放入氢氟酸腐蚀液中湿法刻蚀，至所需深度，用王水、除铬液去除玻璃基片表面的金/铬牺牲层，得具有微凹槽结构的玻璃基片；将具有微凹槽结构的玻璃基片与另一玻璃盖片进行键合，即得玻璃微流控芯片。
玻璃微流控芯片制备方法

[发明专利]N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法-CN200710144095.4无效
发明人：汤儆;庄金亮;张力;田昭武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在n型硅表面直接生长金属微结构的N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面，浸泡在铜镀液中得琼脂糖凝胶模板；再将其下部浸没在电解池中使模板微结构部分暴露于铜镀液液面上；在n型硅片背面溅射Ti/Au层形成欧姆结；将溅射Ti/Au层的n型硅片的抛光面正置于模板的微结构面，将n型硅片作为工作电极，在n型硅片上生长铜微结构；将已生长铜微结构的n型硅片与存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板分离。
表面区域选择性电化学沉积微结构制备方法

[发明专利]P型硅表面微结构的电化学加工方法-CN200710008742.9无效
发明人：汤儆;张力;庄金亮;马信洲;田昭武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：P型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
表面微结构电化学加工方法

[发明专利]GaAs上微/纳光学元件制备方法-CN200710008512.2有效
发明人：汤儆;张力;马信洲;田昭武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
gaas 光学元件制备方法

[发明专利]基于液相中的电化学活性物质的超级电容器-CN200610087625.1有效
发明人： 田昭武;董全峰;郑明森;林祖赓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-06-05 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：基于液相中的电化学活性物质的超级电容器，涉及一种超级电容器，提供一种基于液相中以多孔电极内外表面附近的薄液层中电化学活性物质的电极反应为主要能量存储方式的超级电容器。设有至少一单元的正负电极集流体、正负电极室和隔离膜。正负电极室为多孔电极，孔内浸吸充满不流动的正负电极液体，正负电极液体中含有至少一种正负电极电化学活性物质，其电化学氧化还原反应主要发生在正负电极内表面。功率密度高，电化学赝电容大，具有较高的单次充放电能量密度。循环性能优异，寿命长，可作为混合动力型电动车回收制动能量和提供启动加速能量的理想配套电源等。
基于相中电化学活性物质超级电容器

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