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[发明专利]一种多色Micro LED发光模组制备方法-CN202010601783.4有效
发明人：王立;吴小明;刘虎;李璠;赵婕;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
一种多色 micro led 发光模组制备方法

[发明专利]一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底-CN202011243161.5在审
发明人：王立;刘虎;吴小明;李璠;赵婕;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。
一种 micro led 巨量转移方法衬底

[发明专利]一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法-CN202010913805.0在审
发明人：王立;赵婕;吴小明;李璠;刘虎;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法，包括微区加热阵列和程序控制系统，所述的微区加热阵列包括：电极层I、电极层II、n个微区加热单元，n≧64，其中，电极层I包括了n个电极I的阵列和引线I部分，电极层II包括了n个电极II的阵列和引线II部分。本发明提供的一种可定位温控的微区加热阵列，可以对阵列中指定位置进行温度控制；所述的可定位温控的微区加热阵列同时具备独立的温控驱动功能和独立的半导体微纳集成元件驱动功能；可选择性转移半导体微纳集成元件，解决了大批量、有选择性的转移、去除、焊接、和修补半导体元件的问题；有利于提高生产良率和后期维护的工作。
一种定位温控加热阵列及其选择性转移半导体集成元件使用方法

[发明专利]一种废旧LED照明灯泡回收方法-CN201610823303.2有效
发明人：刘虎;王立;饶郑刚;田婷芳;舒龙龙;章少华 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种废旧LED照明灯泡回收方法，包括：将废旧LED照明灯泡进行处理得到塑料外壳、散热铝片、LED芯片以及电路板，并对塑料外壳和散热铝片进行回收处理；剥离电路板上的电子元器件并回收金属锡，得到裸板；将LED芯片和裸板进行熔炼，得到黑铜、冶炼渣以及烟灰；对黑铜进行处理实现金属铜、银、金、铂以及钯的分离和提纯；对冶炼渣进行处理实现氧化钇、氧化钆以及氧化铈的萃取分离；对烟灰进行处理实现单一高纯的氧化铟和氧化镓的萃取分离。其有效实现了废旧LED照明灯泡中的金属全回收，且回收效率高、综合利用兼容性好，适合工业化生产。
一种废旧 led 照明灯泡回收方法