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[发明专利]层叠基板的制造方法和基板处理装置-CN202280018447.4在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
层叠制造方法处理装置

[发明专利]半导体芯片的制造方法和基板处理装置-CN202280018474.1在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C)，将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合，并藉由所述带安装于框。(D)，在将所述层叠基板安装于所述框之后，对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线，来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E)，以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点，来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
半导体芯片制造方法处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板制造方法-CN202280008888.6在审
发明人： 田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保持部与所述激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔。
处理装置方法以及制造

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280009315.5在审
发明人： 田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对由第一基板、界面层以及第二基板层叠地形成的重合基板进行处理，所述界面层至少包含激光吸收膜，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；界面用激光照射部，其将激光脉冲状地照射于所述激光吸收膜；移动机构，其使所述基板保持部和所述界面用激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述界面用激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部执行以下控制：获取形成于所述重合基板的所述界面层的信息，基于获取到的所述界面层的信息，将所述界面层中的接合界面中密接力最弱的界面设定为所述第一基板与所述第二基板的剥离界面。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280009298.5在审
发明人： 田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对由第一基板、界面层以及第二基板层叠地形成的重合基板进行处理，所述界面层至少包含激光吸收膜和剥离促进膜，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；界面用激光照射部，其将激光脉冲状地照射于所述激光吸收膜；移动机构，其使所述基板保持部和所述界面用激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述界面用激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部执行以下控制：基于所述激光吸收膜的厚度，从所述第一基板与所述激光吸收膜之间、以及所述剥离促进膜与所述第二基板之间中的某一个中选择所述第一基板与所述第二基板的剥离面的位置。
处理装置方法

[发明专利]处理系统和处理方法-CN201980056207.1有效
发明人： 田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种对处理对象体进行处理的处理系统，该处理系统具有：改性装置，其在所述处理对象体的内部沿面方向形成内部面改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点分离所述处理对象体，所述改性装置具有：激光照射部，其向所述处理对象体的内部照射多个激光束；以及移动机构，其使所述激光照射部和所述处理对象体相对地移动，所述改性装置利用所述移动机构使来自所述激光照射部的所述多个激光束相对于所述处理对象体相对地移动，而形成所述内部面改性层。
处理系统方法

[发明专利]周缘去除装置和周缘去除方法-CN202310289536.9在审
发明人：森弘明;田之上隼斗;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种周缘去除装置和周缘去除方法。对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射周缘用激光来形成周缘改性层；以及内部面改性部，在通过所述周缘改性部形成了所述周缘改性层后，所述内部面改性部针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着面方向照射内部面用激光来形成内部面改性层。
周缘去除装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201980082660.X有效
发明人：森弘明;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明公开了基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：保持部，其保持重合基板；周缘改性部，其针对第一基板的内部，沿着周缘部与中央部之间的边界形成周缘改性层；内部面改性部，其针对第一基板的内部，沿着面方向形成内部面改性层；保持部移动机构，其使保持部沿水平方向移动；以及控制部，其计算保持部的中心与接合区域的中心的偏心量，基于该偏心量进行控制保持部移动机构来使保持部移动以使保持部的中心与接合区域的中心一致的偏心校正。一边进行偏心校正地使保持部移动，一边由周缘改性部向第一基板的内部照射周缘用激光，至少针对第一基板的内部的中心部，不进行偏心校正地由内部面改性部照射内部面用激光。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201980082692.X有效
发明人：森弘明;田之上隼斗;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射周缘用激光来形成周缘改性层；以及内部面改性部，在通过所述周缘改性部形成了所述周缘改性层后，所述内部面改性部针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着面方向照射内部面用激光来形成内部面改性层。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180021036.6在审
发明人： 田之上隼斗;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上形成有激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射脉冲状的激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部蓄积应力；以及连锁地释放所蓄积的所述应力，来将所述第二基板剥离。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180021044.0在审
发明人： 田之上隼斗;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上按照剥离促进层、激光吸收层的顺序层叠形成有所述剥离促进层、所述激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部产生应力；以及沿所述第二基板与所述剥离促进层的边界将所述第二基板从所述第一基板剥离。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180023726.5在审
发明人： 田之上隼斗;山下阳平;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。
处理方法装置

[发明专利]激光加工装置和激光加工方法-CN201811530301.X有效
发明人：川口義广;森弘明;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工装置和激光加工方法。提供如下激光加工装置：在激光加工装置具有多个移动单元的情况下，能够提高由各移动单元保持的基板的处理精度。一种激光加工装置，其隔开间隔地具多个移动单元，该移动单元包括：基板保持部，其保持基板；驱动部，其使所述基板保持部沿着与所述基板保持部的基板保持面平行的方向移动；以及基座部，其支承所述驱动部，该激光加工装置具有使激光光线振荡的激光振荡器和向由所述基板保持部保持着的所述基板聚光照射所述激光光线的聚光照射部，在相互分开地设置的多个所述移动单元之间的振动的传递路径的中途具有对所述振动进行吸收的防振部。
激光加工装置方法

[发明专利]基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质-CN202210086475.1在审
发明人：白石豪介;寺田正一;山下阳平;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质，抑制在EBR(边缘涂布膜去除)处理中发生涂布膜的隆起、侵蚀。基板处理装置具备：基板保持部，其保持形成有图案形成用的涂布膜的基板并使其旋转；处理液喷出部，其向保持于所述基板保持部的所述基板喷出用于形成保护膜的处理液；激光照射部，其向形成有所述保护膜的所述基板的周缘部照射激光；以及去除液喷出部，其向所述保护膜喷出用于去除该保护膜的去除液。
处理装置系统方法以及计算机存储介质

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202080086729.9在审
发明人：山下阳平;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，该基板处理装置具有：保持部，其保持所述第1基板的背面；激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；剥离部，其从所述第1基板剥离所述第2基板；以及控制部，其控制所述激光照射部的动作，所述控制部控制所述激光照射部，以在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。
处理装置方法

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