专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于处理衬底的方法和设备-CN201880067987.5有效
  • J.韦查特;J.韦查特 - 瑞士艾发科技
  • 2018-09-14 - 2023-10-13 - H01L21/67
  • 一种处理衬底或制造经处理的衬底的方法包括以下步骤:a)在第一压力的第一气氛中对衬底进行第一处理,b)随后,在第二压力的第二气氛中对经第一处理的衬底进行第二处理,其中,衬底的第二温度不同于第一温度,并且第二压力低于第一压力,c)在步骤a)与b)之间,将经第一处理的衬底从第一气氛锁定到第二气氛中,d)在锁定期间,将经第一处理的衬底从第一温度朝向第二温度加热或冷却。一种对应的衬底处理设备包括:a)第一处理站,b)第二处理站,c)负载锁定室,其互连在第一站输出端与第二站输入端之间;d)在负载锁定室中的受控热交换装置,其适于与负载锁定室中的经第一处理的衬底进行热交换。
  • 用于处理衬底方法设备
  • [发明专利]衬底加工设备和加工衬底并制造被加工工件的方法-CN201880076991.8有效
  • H.罗曼;H.费尔策;D.杰格;H.布鲁斯 - 瑞士艾发科技
  • 2018-11-27 - 2023-08-29 - H01L21/67
  • 一种衬底加工设备(10)包括:底座(19),其带有加工侧表面(190);衬底支承件(14),其布置于加工侧表面(190)上,并且设计成在其周缘处承载衬底(17),该周缘,更具体地由所述周缘限定的平面与加工侧表面(190)间隔开,其中,衬底加工设备(10)还包括:适于测量电磁辐射的辐射传感器(21),其布置于底座(19)的后侧表面(191)的一侧上;辐射通道(22、23、24、25、26),其布置于辐射传感器(21)与衬底支承件(14)的周缘之间,更具体地布置于辐射传感器(21)与由所述周缘限定的平面之间,其中,辐射通道(22、23、24、25、26)至少部分地可透过电磁辐射。
  • 衬底加工设备制造工件方法
  • [发明专利]生物特征认证系统-CN202180049149.7在审
  • S·施温瑟尼 - 瑞士艾发科技
  • 2021-07-14 - 2023-06-09 - G06V40/13
  • 本发明涉及生物特征认证系统,其包含:‑半透明保护板,其在所述保护板的正面上具有认证区域,并且基本上平行于所述正面,其具有形成所述板的第二面的反面;‑发光源,以照亮按压或触摸所述认证区域的物体;‑传感器,其布置在所述反面或与所述反面相距一定距离;‑从所述认证区域到所述传感器的光学路径;‑在所述光学路径内的光学滤波器;其中所述光学滤波器是层状近红外(NIR)滤波器,其包含:‑在基底侧的内ZnOx和/或内TiOx层中的至少一个;‑随后是多个银层,每个银层通过另外的ZnOx和/或另外的TiOx层中的至少一个与每个相邻的银层分隔开;‑沉积在最外银层上的外ZnOx层、外TiOx层和/或阻挡层中的至少一个。
  • 生物特征认证系统
  • [发明专利]处理衬底的方法和真空沉积设备-CN201980033072.7有效
  • E·舒格尔;S·吉斯 - 瑞士艾发科技
  • 2019-02-27 - 2023-05-16 - C23C14/00
  • 真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法,所述方法包括以下步骤:‑提供真空室(1),‑在所述真空室中提供至少一个衬底(30),‑在所述真空室中产生等离子体环境(2)并将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境,其中所述等离子体环境包括材料沉积源的第一等离子体(11)和非沉积源的第二等离子体(21);‑在第一状态和第二状态之间重复地操作所述等离子体环境。本发明还涉及适应于执行所述方法的真空沉积设备。
  • 处理衬底方法真空沉积设备
  • [发明专利]对真空等离子体处理的RF功率递送-CN201880074118.5有效
  • S.莱纳;M.布莱斯 - 瑞士艾发科技
  • 2018-10-26 - 2023-02-17 - H01J37/32
  • RF功率被供应于真空处理模块(lo),这是因为在等离子体处理模块(lo)中,由等离子体处理模块(lo)中的阻抗变换网络(IT)来实行时不变阻抗变换,并且由连接到阻抗变换网络(IT)的匹配盒来实行时变匹配。该阻抗变换网络(IT)包括中空导体的电感性元件(L)。冷却介质(Fl)流经阻抗变换网络的中空导体,以及流经等离子体处理模块(lo)的一部分,该部分要被冷却并且不是等离子体处理模块(lo)处的阻抗变换网络(IT)的一部分。
  • 真空等离子体处理rf功率递送
  • [发明专利]用于衬底脱气的室-CN201910510791.5有效
  • J.维查尔特 - 瑞士艾发科技
  • 2015-12-10 - 2023-01-13 - H01L21/67
  • 本发明涉及一种用于衬底脱气的室。一种用于一批多于一个的工件的加热器或冷却器室,包括,热存储块(1)。在该块中,提供多个穴(2),其中,每个穴(2)可被可控地操作的门关闭或开启。应用加热器或冷却器布置(4)。所述穴(2)被制成以靠近地间隔开的非接触的方式包围被应用于其中的工件。
  • 用于衬底脱气
  • [发明专利]采用直流脉冲阴极阵列的设备和方法-CN202180020780.4在审
  • M·厄尔加扎里;O·拉通德;C·埃格利 - 瑞士艾发科技
  • 2021-02-01 - 2022-10-18 - H01J37/34
  • 用于在基材上溅射沉积材料的设备,所述设备(30)包括:‑沉积室(31);‑安装在沉积室中的阴极阵列,所述阵列具有三个或更多个旋转阴极(1、2、3、4、n),每个阴极具有相等靶长度LT的圆柱形靶(5、6、7、8、n)和磁系统(9、10、11、12、n),该阴极彼此间隔以使它们的纵轴YCj以距基材平面S的距离TSD彼此平行布置,并以距离TTT沿基材轴X的投影间隔开,其中该阴极阵列的每个阴极包括磁系统(9、10、11、12、n),并且至少一个阴极的磁系统(9、12、n)围绕相应的阴极轴YCj回转安装,以使磁系统回转进入和离开回转平面PTS;‑底座(15),其设计为以静态方式支撑要涂覆的最大尺寸x*y的至少一个基材(14),该底座位于沉积室中,相对于阴极阵列在前方并居中;‑至少一个脉冲电源(13),其配置为向至少一个阴极供应和控制电力。
  • 采用直流脉冲阴极阵列设备方法
  • [发明专利]用于PVD源的气环-CN202080096527.2在审
  • A·马克;S·利纳尔;E·舒恩格尔 - 瑞士艾发科技
  • 2020-11-10 - 2022-09-20 - H01J37/32
  • 一种用于PVD源(1)的气环,所述PVD源具有阴极(24),该阴极具有用于材料沉积的靶(6)。所述气环(2)包括内缘(3)和外缘(4)以及内缘与外缘之间的至少一个法兰(5、5')。气环(2)还包括:‑气体入口(6);‑在内缘(3)中或附近周向布置的气体开口(7);‑至少一个与气体入口和/或气体开口相连的周向气体通道(8、9);‑冷却管道(11)。
  • 用于pvd

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