“珍·皮尔·柯林”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用以蚀刻半导体材料的方法-CN201710919315.X有效
发明人： 珍·皮尔·柯林;卡罗司·迪亚兹;马克范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本揭示叙述一种蚀刻半导体材料的方法，其可选择性地从硅锗/硅锗堆叠蚀刻硅，或可选择性地从硅锗/锗堆叠蚀刻硅锗，以形成富含锗的纳米线通道。举例而言，方法可以包括由具有富含硅材料与富含锗材料的交替层所形成的多层堆叠。薄的第一硫族化合物层同时形成于富含硅材料上，而厚的第二硫族化合物层形成于富含锗材料上。蚀刻第一硫族化合物层与第二硫族化合物层，直到从富含硅材料移除第一硫族化合物层。以不同的蚀刻速率蚀刻富含硅材料与第二硫族化合物层。
用以蚀刻半导体材料方法

[发明专利]制造非挥发性记忆体元件的方法-CN201610999176.1在审
发明人： 珍·皮尔·柯林;卡罗司·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本揭露为制造非挥发性记忆体元件的方法。一种例示性方法是关于形成异质结构于基板上。异质结构包含至少一半导体层对，其具有第一半导体层及置于第一半导体层上的第二半导体层，且第二半导体层异于第一半导体层。具有虚设栅极的栅极结构形成于异质结构的部分上使得栅极结构将异质结构分隔出源极区及漏极区及定义出介于源极区及漏极区间的通道区。于栅极置换制程期间，纳米晶体浮动栅极自第二半导体层形成于通道区中。在一些实施方式中，于栅极置换制程期间，纳米线自第一半导体也形成于通道区中。
制造挥发性记忆体元件方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201610765480.X在审
发明人： 珍·皮尔·柯林;卡罗司·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包含形成鳍片在基材上，及形成栅极结构在鳍片上，栅极结构具有第一侧壁及相对的第二侧壁。此方法还包含形成第一侧壁间隙壁邻近于第一侧壁，及形成第一源/漏极邻近于第一侧壁间隙壁。掺杂非晶态材料层是形成在栅极结构、第一侧壁间隙壁及第一源/漏极上。此方法还包含使掺杂非晶态材料层的一部分结晶化，以形成结晶材料区，其中掺杂非晶态材料层的部分是在第一源/漏极上。半导体结构及降低接触电阻的方法是在通过导入设在介于二相邻材料层间的重掺杂接触层，以保持整合入制造流程的成本效益。可透过固相磊晶再成长方法来形成重掺杂接触层。可通过调整掺杂浓度及重掺杂接触层的接触面积配置，来调控接触电阻。
半导体结构制造方法

1
共 3 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top