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[发明专利]一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法-CN202210051840.5有效
发明人：王蓉;沈典宇;皮孝东;李佳君;王芸霞;刘小平;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
一种提高碳化硅薄膜少子寿命方法

[实用新型]一种荒漠灌木种子采集器-CN202222611683.7有效
发明人：李全刚;单立山;解婷婷;李瑞;王芸霞;王建博 -专利权人：甘肃农业大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： A01D46/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及种子采集器技术领域的一种荒漠灌木种子采集器，包括框架，框架上端两侧转动连接有采集箱，采集箱下端箱体与采集箱上端箱体开设有环槽，环槽内表面插接有过滤板，采集箱上端箱体内表面转动连接有橡皮锤，框架下端一侧转动连接有底板，底板上端与框架下端设置有液压杆，采集箱上端箱体两侧固定连接卡槽，采集箱下端箱体两侧固定连接卡扣，卡槽与卡扣相适配。可以将采集箱内部的灌木横向移动，从而增加种子采集的效果，该装置在采集时不会有部分种子随着枝干排出设备外，导致设备的采集效果降低，通过对灌木的捶打，来提高种子的采集效率。
一种荒漠灌木种子采集

[发明专利]一种导电型碳化硅衬底加工方法-CN202210044064.6有效
发明人：王蓉;王芸霞;皮孝东;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电型碳化硅衬底加工方法，涉及半导体加工方法技术领域，包括以下步骤：S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，确保更高的离化率，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
一种导电碳化硅衬底加工方法

[发明专利]一种PVT法连续生长单晶碳化硅的装置和方法-CN202210776964.X有效
发明人：皮孝东;沈典宇;王蓉;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVT法连续生长单晶碳化硅的装置及方法，包括：晶体生长设备，所述晶体生长设备用于碳化硅晶体的PVT法生长；上料设备，所述上料设备包括固体粉末源和气流源，所述固体粉末源与气流源可分离，上料设备采用带载模式或鼓泡模式上料；混料设备，所述混料设备连接于上料设备和晶体生长设备之间，利用混料设备进行多级混料，在进入晶体生长设备之前将固体粉末气流搅拌均匀。本发明中，实现碳化硅晶体生长的原料持续供给，且选择性的采用带载模式或鼓泡模式进气，采用带载模式进气，能够快速生长碳化硅晶体，或者采用鼓泡模式进气，能稳定的生长碳化硅晶体。
一种 pvt 连续生长碳化硅装置方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉-CN202210257835.X有效
发明人：皮孝东;沈典宇;王蓉;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅领域，公开了一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉，所述碳化硅晶体生长检测装置采用兆声发生器产生第一兆声振动信号，利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖，进而传送至生长中的碳化硅晶体，使得生长中的碳化硅晶体发生振动，利用激光震动监测器对坩埚盖的振动信号进行检测，就可以获得第二兆声振动信号；根据所述第一兆声振动信号和第二兆声振动信号就可以对碳化硅晶体生长的厚度和质量进行检测。本发明不需要打开碳化硅晶体生长炉即可以对晶体生长的厚度和质量进行检测，当发现问题，可以及时中断生长过程或通过调整生长工艺参数来改善后续的晶体生长质量，避免材料和能源的浪费。
一种碳化硅晶体生长检测装置方法

[发明专利]一种碳化硅晶片腐蚀化系统-CN202210200525.4有效
发明人：王蓉;李佳君;皮孝东;沈典宇;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
一种碳化硅晶片腐蚀系统

[实用新型]一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置-CN202221124529.0有效
发明人：王蓉;李佳君;皮孝东;沈典宇;刘小平;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体一端设有通入含氢气体用的进气口，第一腔体另一端与第二腔体相连，第一腔体外侧设有加热线圈，第一腔体内设有摆放碳化硅衬底用的载物台，外延过程中碳化硅外衬底表面形成有碳化硅外延薄膜，第一腔体上靠近进气口位置或第一腔体上对应载物台位置或第二腔体的外侧设置有紫外光源，通过紫外光源照射含氢气体或碳化硅外延薄膜，调整含氢气体或碳化硅外延薄膜中氢原子的带电性，钝化碳化硅外延薄膜上带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级。本实用新型具有在不影响外延生长的前提下实现碳空位的钝化，避免后处理引入新的杂质和缺陷等优点。
一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命装置

[实用新型]一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置-CN202221124565.7有效
发明人：王蓉;沈典宇;皮孝东;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置，包括石英管腔室、光注入腔室、冷却腔室、第一闸板阀和第二闸板阀，通过第一闸板阀的开闭控制石英管腔室和光注入腔室的通断，冷却腔室用第二闸板阀与光注入腔室相连，通过第二闸板阀的开闭控制冷却腔室与光注入腔室的通断，光注入腔室安装有样品推送杆，样品推送杆依次将石英管腔室内的碳化硅外延晶片转移至光注入腔室内预定位置、将光注入腔室内的碳化硅外延晶片转移至冷却腔室上方位置使其落入冷却腔室内，光注入腔室外侧设有紫外光源，光注入腔室设有真空抽气口。本实用新型具有提高碳化硅外延晶片的少子寿命，退火处理后碳化硅外延晶片的冷却速率可调控等优点。
一种提高碳化硅晶片少子寿命退火注入装置

[实用新型]一种碳化硅衬底加工装置-CN202220097756.2有效
发明人：王蓉;王芸霞;皮孝东;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅衬底加工装置，涉及半导体材料加工技术领域，包括：加热腔；过渡腔，过渡腔与加热腔相连通，过渡腔内设有载样架和升降机构；载样架具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与所述第二侧壁之间设有夹持组件，夹持组件包括可同步伸缩的第一夹持件和第二夹持件，第一夹持件和第二夹持件配合实现碳化硅样品的夹持与释放；冷却腔，冷却腔与过渡腔相连通。本申请的碳化硅衬底加工装置，可以实现短时间内将碳化硅样品从高温的退火环境中直接快速的放置于低温环境中进行冷却降温，冷却速率大幅提高，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效改善了碳化硅衬底的电阻率，提高了碳化硅衬底的质量。
一种碳化硅衬底加工装置

[实用新型]一种半导体材料退火装置-CN202220097760.9有效
发明人：王蓉;王芸霞;皮孝东;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体材料退火装置，涉及半导体制造技术领域，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通，冷却室用于对第一加热室或者第二加热室处理后的样品进行冷却处理；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，所述旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
一种半导体材料退火装置

[发明专利]一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置-CN202111535802.9在审
发明人：王蓉;沈典宇;皮孝东;王芸霞;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置，装置包括真空加热腔室、均温台和等离子体发生器，真空加热腔室内设有加热器，均温台设置在真空加热腔室内，碳化硅晶片放置在均温台上，真空加热腔室与抽真空装置相连，真空加热腔室上设有进气口，真空加热腔室上设有与进气口相连通的等离子体发生腔，等离子体发生器与等离子体发生腔相对设置，在富含硅气氛下通过采用等离子体辅助化学气相沉积方法使得碳化硅晶片表面沉积二氧化硅薄膜，有效防止碳化硅晶片中硅组分在高温下升华溢出，碳化硅晶片整个表面可沉积高质量的二氧化硅薄膜进而形成高质量SiC/SiO2界面。
一种碳化硅晶片氧化方法装置

[发明专利]一种半导体材料退火装置及退火方法-CN202210044062.7在审
发明人：王蓉;王芸霞;皮孝东;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法，涉及半导体制造技术领域，其中，一种半导体材料退火装置，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
一种半导体材料退火装置方法

[实用新型]一种单晶生长真空系统的冷阱结构-CN202121069630.6有效
发明人：皮孝东;徐所成;王芸霞;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B01D8/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶生长设备真空系统技术领域，特别涉及一种单晶生长真空系统的冷阱结构，包括壳体、冷却容器与捕集管道，本实用新型所述的冷阱结构，其捕集管道可以增加气体路径行程，也可以增加气体与冷却介质的接触面积；捕集管道安装在冷却容器内，冷却管道安装在捕集管道内，冷却管道与冷却容器连通且均存有冷却介质，冷却介质的温度比气体温度低，因此，进入捕集管道内的气体经内外双重冷却可以快速降温；气体中的水蒸气分子和某些熔点较高的杂质气体分子会液化，并和某些杂质颗粒一起沉积在捕集管道底部，从而降低排出气体中的杂质比率，同时也降低了气体回流概率，提高了加热炉内的真空度。
一种生长真空系统结构

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