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[实用新型]一种处理晶体表面使晶体表面平整的激光器-CN202320139866.5有效
发明人：徐昌;王希玮;王盛林;王勇;王希江;曹振忠;王笃福 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明涉及晶体加工技术领域，具体涉及一种处理晶体表面使晶体表面平整的激光器。包括机架、激光机构、控制台机构、高清测量机构、冷却水循环机构、高压空气吹扫机构、操作机构和晶体；在机架上方设置激光机构，所述激光机构包括激光发生器，在激光发生器的前方设置反射棱镜，在所述激光发生器的前方设置两个聚焦镜头，所述聚焦镜头通过Z轴移动机构固定在机架顶部上；在所述机架内设置控制台机构，所述控圆形的磁铁机构，在所述磁铁机构的下方设置旋转组件；所述高清测量机构包括若干高清测量摄像头，所述高压空气吹扫机构包括设置在机架侧面的空气压缩机，在空气压缩机上设置管道，所述管道的出风口设置在晶体的斜上方；结构简单，设计合理。
一种处理晶体表面平整激光器

[发明专利]一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法-CN202310073024.9在审
发明人：刘长江;王希玮;王盛林;王勇;王笃福;王希江 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布装置及方法。包括强电场涂覆装置，强电场涂覆装置包括上极板和下极板，上极板设置在下极板的正上方；在所述上极板的下表面固定带胶的CVD多晶金刚石外延衬底，在所述下极板的上表面设置非金属板；在下极板上连接静电高压发生器，上极板接地。将金刚石微粉和CVD多晶金刚石外延衬底放入强电场涂覆装置中，根据粒度匹配静电场强度，静电高压发生器电压5万‑12万伏特；氢化后的金刚石微粉在强静电场下形成偶极矩，在洛伦兹力作用下从下部被吸附到CVD多晶金刚石生长衬底上，在运动过程中实现锥形底面嵌入胶水中，尖端向外，实现籽晶排布均匀性和一致性；结构简单，设计合理。
一种 cvd 多晶金刚石生长籽晶排布方法

[实用新型]热浸镀产线基板氧化层预处理装置-CN202222297040.X有效
发明人：魏龙峰;益胜光;王盛林;杭成强;戴冰;赵君伟;刘建 -专利权人：山东新美达科技材料有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本实用新型的热浸镀产线基板氧化层预处理装置，液箱经过软导管和输送泵连接硬质喷管，硬质喷管安装在机架上并靠近钢板正反两面，硬质喷管带有大量的喷射孔，喷射孔对准待清洗钢板面；机架上贴合钢板正反两面处还安装有挤干辊，挤干辊能沿着钢板面滚动，用于挤干酸性料液；机架上位于硬质喷管和挤干辊下方安装有料盘，料盘用于收集酸性料液，料盘下部经过回收管连接液箱，用于回收料液。本实用新型的有益效果是，可以消除板面的氧化层，解决因为基板氧化导致的热浸镀成品的漏镀与厚边问题，提升产品质量。同时该装置可以实现酸性试剂的循环重复利用，减少试剂额使用量，对于降低生产成本有明显效果。
热浸镀产线基板氧化预处理装置

[实用新型]一种预制箱梁施工用振捣设备-CN202221885157.3有效
发明人：王斌;厉东玉;郑明远;张建亮;秦泗龙;李志超;安磊;王盛林;安浩;胡健;安平 -专利权人：秦泗龙
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B28B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预制箱梁施工用振捣设备，涉及预制箱梁施工技术领域，其技术方案要点，包括：上凹槽，开设于所述外模立柱的顶部，且上凹槽内部的两侧之间固定连接有钢棒；下凹槽，开设于所述外模立柱的底部，且上凹槽内部的两侧之间转动连接有传动轴，所述传动轴的一端贯穿所述下凹槽并延伸至所述下凹槽的外部，所述传动轴延伸至所述下凹槽外部的一端固定连接有摇动手柄；钢丝绳，固定连接在所述传动轴的外表面，且钢丝绳的一端固定连接有挂钩。通过设置的摇动手柄，使传动轴进行转动，将钢丝绳进行收卷，使振捣电机的位置进行移动，无需人工搬运的麻烦，同时，也避免了搬运中缆缆的错综复杂，进而避免了安全隐患的发生。
一种预制施工用振捣设备

[发明专利]亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积方法及装置-CN202011544070.5有效
发明人：王希玮;曹振忠;王笃福;徐现刚;王盛林 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种亚微米级金刚石薄膜的微波等离子体化学气相沉积方法及装置；该方法是将籽晶衬底放置在垫盘上，垫盘处于MPCVD设备的生长腔室内，调节生长腔室内压力，运行微波源，调节垫盘温度，随着籽晶衬底的升高，调节垫盘处在生长所需高度；该装置包括垫盘、托盘、石英窗和垫盘运动机构，垫盘、托盘、冷却盘和石英窗由上至下依次设置，垫盘连接在垫盘运动机构的动力输出端；垫盘内设置有加热装置。本发明通过垫盘运动机构调节生长垫盘高度和旋转速率、加热垫盘的方式控制外延薄膜沉积效率，优化各外延区域的沉积速率，随着生长过程中籽晶衬底高度的升高动态调节垫盘的高度并旋转，能保证同一籽晶衬底的生长延续性与均匀性，保证了晶体质量。
微米金刚石薄膜化学沉积方法装置

[发明专利]栅藻及其作为饵料/饵料添加剂的应用-CN201910379246.7有效
发明人：刘平怀;王盛林;王秀海;刘积光;曹猛;潘孝妍 -专利权人：海南大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C12N1/12 文献下载
摘要：本发明涉及微生物技术领域，特别涉及栅藻及其作为饵料/饵料添加剂的应用。本发明所述栅藻(Desmodesmus armatus)保藏在中国典型培养物保藏中心，CCTCCNO:M2019211。将该微藻作为饵料、饵料添加剂分别投喂鲤鱼幼鱼，均能够明显提高鲤鱼的体重、体长和肥满度，结果表明本发明所述栅藻可有效促进鲤鱼生长，适合淡水动物养殖，可用于制备淡水动物饵料及饵料添加剂，应用前景较广。
及其作为饵料添加剂应用

[实用新型]晶体切割操作装置-CN202122840831.8有效
发明人：徐昌;王希玮;王笃福;曹振忠;刘长江;王盛林 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：一种晶体切割操作装置，包括底座、垂摆架、垂摆机构、工作台和平转机构，底座上连接有垂摆轴，垂摆架安装在垂摆轴上并与垂摆机构连接，垂摆机构设置在底座上，垂摆架上连接有平转立轴，工作台安装在平转立轴上并与平转机构连接，平转机构设置在垂摆架上。由垂摆机构带动垂摆架在垂直方向的摆动，平转机构带动工作台在水平方向转动，将两种方式结合使工作台处于晶体切割所需要的所有角度，在对同一晶体或者不同晶体进行不同方向或者晶相的切割时，可以更加快速便捷的将晶体旋转到所需要的位置，可以进行不同晶相或（和）角度进行切割，在加工处理各种晶体材料时满足了某晶体晶相或者需求某种晶相夹角的需求。
晶体切割操作装置

[实用新型]马赛克拼接沉积制备金刚石单晶的装置-CN202122840832.2有效
发明人：曹振忠;王希玮;徐昌;王笃福;王盛林;刘长江 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种马赛克拼接沉积制备金刚石单晶的装置，包括基片、外环、压缩弹簧和固定块；外环连接在基片上，外环中设置有贯穿的测温孔，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，压缩弹簧处于固定块与外环内壁之间。通过压缩弹簧将各单晶衬底片挤压在各个固定块之间，处于外环的中心位置。本实用新型通过压缩弹簧同时均匀的向内挤压单晶衬底片，使衬底片之间接触更加紧密，使衬底片更好的接触基片，排除了异物干扰，保证了衬底片的高度统一，同时也避免了对单晶衬底片的污染，消除了拼接缝出现边缘多晶的现象，明显改善了晶体质量。
马赛克拼接沉积制备金刚石装置

[发明专利]一种利用超临界二氧化碳制备共价有机框架材料的方法-CN201911251661.0有效
发明人：高艳安;王盛林;许环军;闫欠欠;胡慧 -专利权人：海南大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种利用超临界二氧化碳制备共价有机框架材料的方法，所述方法包括如下步骤：以超临界二氧化碳为反应介质，在特定反应条件下将芳香胺和芳香醛进行醛胺缩合反应，得到共价有机框架材料。本发明实施例在合成共价有机框架材料的过程中利用超临界二氧化碳作为反应介质替代有机溶剂；不仅实现了共价有机框架材料的绿色合成，而且在后处理阶段能够直接使用反应介质进行活化扩孔，无需采用大量有机溶剂进行活化扩孔，避免了大量有机溶剂的使用。采用本发明实施例的方法合成共价有机框架材料不仅操作步骤简单、绿色环保；而且合成的共价有机框架材料比表面积大，产率高。
一种利用临界二氧化碳制备共价有机框架材料方法

[发明专利]制备单晶金刚石的马赛克拼接装置及沉积方法-CN202111373766.0在审
发明人：曹振忠;王希玮;徐昌;王笃福;王盛林;刘长江 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种制备单晶金刚石的马赛克拼接装置及方法，该装置包括基片、外环、压缩弹簧和固定块；外环连接在基片上，外环中设置有贯穿的测温孔，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，压缩弹簧处于固定块与外环内壁之间。上述装置制备单晶金刚石的方法是将整个装置置于生长腔室内，通过压缩弹簧将各单晶衬底片挤压在各个固定块之间，处于外环的中心位置。本发明通过压缩弹簧同时均匀的向内挤压单晶衬底片，使衬底片之间接触更加紧密，使衬底片更好的接触基片，排除了异物干扰，保证了衬底片的高度统一，同时也避免了对单晶衬底片的污染，消除了拼接缝出现边缘多晶的现象，明显改善了晶体质量。
制备金刚石马赛克拼接装置沉积方法

[实用新型]一种自制的返水漏斗-CN202121947218.X有效
发明人：任义;申志平;王盛林;余喜栋;齐君;张涵;赵慧艳 -专利权人：山西潞安环保能源开发股份有限公司漳村煤矿
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B65G15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自制的返水漏斗，属于上仓皮带机头技术领域，其技术方案要点包括返水漏斗本体，返水漏斗本体呈V形状，返水漏斗本体的上端面固定连接有顶板，顶板的上端面左侧贯穿连接有连接管，连接管的另一端安装有连接法兰，当使用该装置时，首先通过连接法兰将该装置与外部管道连接，然后通过使用第三固定孔和第二固定孔将该返水漏斗本体进行固定，当将该返水漏斗本体固定完成后，通过使用第一固定孔将返水漏斗本体与煤仓连接，进而通过该返水漏斗本体的设置，使得大架后托皮带滚带外侧壁的稀煤会通过连接管和返水漏斗本体进入煤仓内部，进而避免了稀煤顺着下坡蔓延至皮带巷的问题。
一种自制漏斗

[发明专利]激光切割机进行晶体切割的操作台-CN202111372745.7在审
发明人：徐昌;王希玮;王笃福;曹振忠;王盛林;刘长江 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：一种激光切割机进行晶体切割的操作台，包括底座、垂摆架、垂摆机构、工作台和平转机构，底座上连接有垂摆轴，垂摆架安装在垂摆轴上并与垂摆机构连接，垂摆机构设置在底座上，垂摆架上连接有平转立轴，工作台安装在平转立轴上并与平转机构连接，平转机构设置在垂摆架上。由垂摆机构带动垂摆架在垂直方向的摆动，平转机构带动工作台在水平方向转动，将两种方式结合使工作台处于晶体切割所需要的所有角度，在对同一晶体或者不同晶体进行不同方向或者晶相的切割时，可以更加快速便捷的将晶体旋转到所需要的位置，可以进行不同晶相或（和）角度进行切割，在加工处理各种晶体材料时满足了某晶体晶相或者需求某种晶相夹角的需求。
激光切割机进行晶体切割操作台

[实用新型]多轮次金刚石片状晶体抛光装置-CN202023161510.7有效
发明人：徐昌;王希玮;王笃福;王盛林;曹振忠 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种多轮次金刚石片状晶体抛光装置，包括底盘和抛光单元，底盘上设置有立轴，立轴的上部安装有支座，支座上至少设置两个抛光单元，支座与立轴之间设置定位机构。所述底盘上设置有工件槽，工件槽与立轴的中心距与抛光单元中抛光轮与立轴的中心距一致。将待抛光的金刚石片状晶体置于底盘上，通过转动抛光单元，使固定位置的金刚石片状晶体依次在各个抛光单元下方进行抛光操作，每个抛光单元中抛光轮粒度和抛光速度不同，金刚石片状晶体依次经过一次以上的粗质抛光和一次以上的细质抛光。该装置提高了抛光效率，同时保护金刚石晶体和抛光轮，在抛光过程中能够尽量避免因为金刚石晶体表面的不平整造成晶体出现断裂等损伤，有效保护晶体质量。
轮次金刚石片状晶体抛光装置

[实用新型]轮盘式金刚石片状晶体表面分粒度抛光装置-CN202023161379.4有效
发明人： 王盛林;王笃福;徐昌;王希玮;曹振忠 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种轮盘式金刚石片状晶体表面分粒度抛光装置，包括底座、底盘和抛光单元，底座上设置有立轴，底盘安装在立轴的下部，可绕立轴转动，立轴的上部安装有至少两个抛光单元，底盘与底座之间设置有定位机构。所述底盘上设置有工件槽，工件槽与立轴的中心距与抛光单元中抛光轮与立轴的中心距一致。将待抛光的金刚石片状晶体置于底盘上，通过转动底盘使金刚石片状晶体依次在各个抛光单元下方进行抛光，通过抛光轮粒度和抛光速度的不同，金刚石片状晶体依次经过一次以上的粗质抛光和一次以上的细质抛光。该装置提高了抛光效率，同时保护金刚石晶体和抛光轮，在抛光过程中能够尽量避免因为金刚石晶体表面的不平整造成晶体出现断裂等损伤。
轮盘金刚石片状晶体表面粒度抛光装置

[实用新型]制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置-CN202023161506.0有效
发明人：王希玮;曹振忠;王笃福;徐现刚;王盛林 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，包括垫盘、托盘、石英窗和垫盘运动机构，垫盘、托盘、冷却盘和石英窗由上至下依次设置，垫盘连接在垫盘运动机构的动力输出端；垫盘内设置有加热装置。所述垫盘运动机构，包括支架、升降转轴、升降机构和旋转机构，升降机构和旋转机构均设置在支架上，升降转轴连接在升降机构上并与旋转机构连接，升降转轴的顶端连接所述垫盘。本实用新型通过垫盘运动机构调节生长垫盘高度和旋转速率、加热垫盘的方式控制外延薄膜沉积效率，优化各外延区域的沉积速率，随着生长过程中籽晶衬底高度的升高动态调节垫盘的高度并旋转，能保证同一籽晶衬底的生长延续性与均匀性，保证了晶体质量。
制备微米金刚石薄膜化学沉积装置

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