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[发明专利]半导体测试结构及其制作方法-CN202310948188.1在审
发明人：王亢;思源;邢恩盈;王梓杰 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开是关于一种半导体测试结构及其制作方法，半导体测试结构包括待测半导体结构、接触件和第一金属层，多个晶体管呈阵列排布在阵列区中且至少一个晶体管为待测晶体管；第一金属层设置在待测半导体结构的上方，接触件设置在第一金属层和待测半导体结构之间且分别与第一金属层和待测晶体管电连接。接触件分别与第一金属层和待测晶体管电连接，当对待测晶体管进行电性测试时，通过接触件和第一金属层将待测晶体管引出，实现对待测晶体管的电性测试，该待测晶体管周围的其他晶体管无法接入，从而消除了其他晶体管对测试结果造成的干扰，提升了待测晶体管进行电性测试的测试精度。
半导体测试结构及其制作方法

[发明专利]半导体硅化钴膜层的制造方法、半导体器件及存储器-CN202110906924.8有效
发明人：韦钧;夏欢;王梓杰;闫冬 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体硅化钴膜层的制造方法、半导体器件及存储器，属于半导体技术领域。该方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括阵列区和位于所述阵列区外围的外围区；于所述阵列区形成第一接触区；于所述外围区形成第二接触区；于所述第一接触区表面执行第一沉积，形成第一钴层，于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成第二钴层；其中，所述第一接触区表面钴的覆盖率高于所述第二接触区表面钴的覆盖率。该方法可在阵列区和外围区形成满足各自需求的钴层，从而在保证阵列区均匀性的同时，也能降低外围区的漏电流。
半导体硅化钴膜层制造方法半导体器件存储器

[发明专利]一种手部康复机器人主动训练交互系统-CN202310951212.7在审
发明人：郭浩;顾志浩;王梓杰;孙承峰;李家伟;齐菲;谭亮 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61H1/02 文献下载
摘要：本发明涉及医疗康复设备技术领域，尤其是指一种手部康复机器人主动训练交互系统，包括手部外骨骼、主控电路板、肌电传感器、多路可调电源、上位机交互系统和云端数据库。所述线性执行器和压力传感器集成在手部外骨骼上，与主控电路板一起构成底层硬件模组，作为硬件执行和物理信息反馈平台；所述上位机交互系统作为数据处理与决策平台，采用分层解耦的开放式软件架构，接收肌电传感器采集的患者生理信号，用于识别运动意图，调整训练及交互模式。所述云端数据库用于给患者建立数据档案，分析并给出针对性指导建议，同时具有医护远程支持功能。所述手部康复机器人主动训练交互系统能够满足不同个体间差异性训练需求，避免康复训练过于单一乏味。
一种康复机器人主动训练交互系统

[发明专利]晶圆的弯曲程度确定装置和控温系统-CN202210251807.7在审
发明人：李伟;闫冬;王梓杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶圆的弯曲程度确定装置和控温系统，其中，晶圆的弯曲程度确定装置包括：光发射接收组件，用于发射光，接收发射的光或反射的光；其中，所述发射的光平行于所述晶圆的理想水平面；处理组件，与所述光发射接收组件电连接，用于获取所述光发射接收组件发送的感应信号，基于所述感应信号确定所述晶圆的弯曲程度；其中，所述感应信号包括以下至少之一：第一子感应信号，用于表征所述光发射接收组件是否接收到光；第二子感应信号，用于表征发射的光与接收的光之间的时间差。本公开实施例中的晶圆的弯曲程度确定装置的确定方式比较简单，容易实现。
弯曲程度确定装置系统

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310741243.X在审
发明人：孔令滔;王梓杰;汪治城;何家庆 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底中形成有字线沟槽；形成随形覆盖字线沟槽的栅介质层；形成覆盖部分栅介质层且填充字线沟槽底部的导电层；形成覆盖栅介质层的部分侧壁且填充字线沟槽中部的半导体掺杂结构；形成覆盖半导体掺杂结构且填充字线沟槽顶部的保护层；其中，半导体掺杂结构包括第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层，第一半导体掺杂层覆盖栅介质层的部分侧壁，第二半导体掺杂层覆盖第一半导体掺杂层的侧壁且覆盖导电层的顶面，第二半导体掺杂层的掺杂浓度小于第一半导体掺杂层的掺杂浓度，提升了半导体结构的性能。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种锌离子电池隔膜及其制备方法-CN202310704586.9在审
发明人：颜东亮;雷雨生;李朋朋;隆兰彩;王梓杰;陈蓉;曾燕飞 -专利权人：广西民族大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本发明涉及锌离子电池技术领域，具体涉及一种锌离子电池隔膜及其制备方法，将醋酸纤维素、粘结剂和增韧剂混合搅拌均匀后添加到溶剂中，在预设温度下对溶剂进行混合搅拌溶解，得到溶解液，并将溶解液静置脱泡，得到涂膜液；将涂膜液涂覆在基体材料的单面或两面后挤压，在预设比例的水和无水乙醇的共混液中浸泡预设时间后，置于烘箱中烘干，得到电池隔膜，本发明的电池隔膜具有优异的机械拉伸强度、高离子电导率、离子传输稳定、具备抑制锌枝晶生长及减缓容量衰减并延长电池循环寿命的效果相比目前常用的玻璃纤维隔膜具有生产成本低、制备工艺简单从而解决了传统的锌离子电池隔膜制备方法成本较高的问题。
一种离子电池隔膜及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210022553.1在审
发明人： 王梓杰;夏欢;闫冬;匡定东;韦钧 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：在基底的表面形成第一牺牲层；基底固定在一卡盘上；第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一第一刻蚀孔暴露出基底的表面；将第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；通过卡盘带动倾斜后的第一牺牲层持续旋转；在持续旋转的倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层。本公开实施例中，由于形成的第一初始支撑层只位于第一刻蚀孔的顶部，而不位于第一刻蚀孔的内壁中，如此，在后续通过刻蚀第一初始支撑层形成孔洞结构时，不会破坏第一刻蚀孔的形貌，进而也就不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。
半导体结构形成方法

[外观设计]马铃薯收获机集薯框-CN202330050738.9有效
发明人：敖淑楠;李玉红;王廷刚;潘丽君;郭莉;刘潇;赵玉霞;包想梅;王梓杰;田瑞 -专利权人：刘潇;兰州石化职业技术大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： 15-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：马铃薯收获机集薯框。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是一种用于安装于马铃薯收获机后方用于挂接马铃薯收集袋的集薯框。3.本外观设计产品的设计要点：在于立体图。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
马铃薯收获机集薯框

[发明专利]一种基于弹性弯曲放大原理的法布里-珀罗光纤振动传感器-CN202211660459.5在审
发明人：张琦;罗杰锋;张小贝;王梓杰;杨勇;余洋;邓传鲁;黄怿;王廷云 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于弹性弯曲放大原理的法布里‑珀罗光纤振动传感器。它包括端面平整的单模光纤、弹性薄片、膜片和质量块。所述弹性薄片一端固定，而另一端与质量块和膜片的中心固定垂直连接，膜片的两端固定，构成弹性弯曲系统；所述单模光纤的一端平整端面靠近并对准弹性薄片抛光面的中心。本发明的振动传感器通过对弹性薄片中心挠度的测量，实现了对受压膜片+质量块结构中心挠度的机械转换并放大的效果，提高了传感的精度和灵敏度，而且具有较低的横向串扰，有望用于低串扰多维振动传感应用。
一种基于弹性弯曲放大原理法布里光纤振动传感器

[发明专利]一种基于回音壁模式微瓶腔的全光调谐封装系统-CN202310204583.9在审
发明人：张小贝;陈溢琦;张琦;王梓杰;费金浩;邓传鲁;黄怿;王廷云 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于回音壁模式微瓶腔的全光调谐封装系统，主要由玻璃底板、长玻璃块、短玻璃块、光纤融锥、内壁涂覆磁纳米颗粒薄膜的回音壁模式微瓶腔、传输泵浦激光的单模光纤组成。当泵浦激光在单模光纤的切平端面辐照至回音壁模式微瓶腔时，腔内壁涂覆的磁纳米颗粒对泵浦激光进行强吸收后产生热量致使回音壁模式微瓶腔温度升高，从而使谐振峰的谐振波长发生偏移，实现对回音壁模式微瓶腔的全光调谐。与现有技术相比，本发明全光调谐封装系统具有鲁棒性好、重复性高、调谐灵敏度高、调谐范围大、动态响应时间快等优点，可以应用于光调制器、光滤波器、光开关等领域。
一种基于回音壁模式微瓶腔调谐封装系统

[发明专利]一种基于悬臂梁结构的非本征法布里-珀罗声学传感器-CN202211660464.6在审
发明人：张琦;罗杰锋;张小贝;王梓杰;杨勇;余洋;邓传鲁;黄怿;王廷云 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于悬臂梁结构的非本征法布里‑珀罗声学传感器。它包括悬臂梁和45度全反射结构。其基本原理是利用45全反射结构对传输光传播方向的改变在悬臂梁和光纤之间形成非本征法布里‑珀罗腔。悬臂梁置于自由声场中，施加一定频率和幅值的声压推动其产生同期性偏转变形，从而导致干涉腔长变化，通过对干涉光谱进行解调得到干涉腔长变化量，结合悬臂梁理论形变模型，实现对被测位置处声压信号的测量。本发明提出的悬臂梁结构具有灵敏度高、动态范围大等优点。
一种基于悬臂梁结构征法布里声学传感器

[发明专利]一种可控单模回音壁模式的莱洛三角形微腔及其制备方法-CN202211624613.3在审
发明人：张小贝;费金浩;张琦;王梓杰;杨勇;张芳;邓传鲁;黄怿;王廷云 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控单模回音壁模式的莱洛三角形微腔及其制备方法。本回音壁式微腔包括基板、两个矩形锥形光纤透镜、可调谐激光器和示波器。本发明采用无掩模紫外光刻技术制作，聚合物波导两端使用锥形光纤透镜进行空间光耦合，通过调节三维调节架实现最佳耦合距离。基于莱洛三角形结构的微盘腔支持光以回音壁模式在弧形边界传播，并在微小反射面经历全反射本。本发明通过控制微小反射面的长度，实现微盘腔中仅支持基模传输。
一种可控单模回音壁模式三角形及其制备方法

[外观设计]翻转机械手-CN202230713866.2有效
发明人：廖雄;黄沛涵;李洪伟;王梓杰;袁玉潇;向崇言;余潼;万国涛;张懿 -专利权人：廖雄;黄沛涵;李洪伟;王梓杰;袁玉潇;向崇言;余潼;万国涛;张懿
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：翻转机械手。2.本外观设计产品的用途：用于工业生产加工用机械手。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
翻转机械手

[发明专利]功函数测试方法、结构及其制造方法-CN202210969038.4在审
发明人： 王梓杰;康佳;李伟;于业笑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种功函数测试方法、结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该结构包括：基底；测试模块；其中，测试模块包括：一组多晶硅掺杂单元，一组多晶硅掺杂单元形成于基底一侧，一组多晶硅掺杂单元包括N型多晶硅掺杂单元以及P型多晶硅掺杂单元；第一待测材料层，第一待测材料层位于N型多晶硅掺杂单元上；第二待测材料层，第二待测材料层位于P型多晶硅掺杂单元上，其中，第二待测材料层和第一待测材料层由同一待测材料形成；第一金属层，第一金属层位于第一待测材料层背离N型多晶硅掺杂单元一侧；第二金属层，第二金属层位于第二待测材料层背离P型多晶硅掺杂单元一侧。根据本申请实施例，能够准确测量待测材料的材料功函数。
函数测试方法结构及其制造

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202211067418.5在审
发明人：李伟;刘宇恒;符云飞;闫冬;王梓杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有原生氧化层；对原生氧化层进行氟离子掺杂；对位于原生氧化层底部的半导体衬底进行氧化处理，以形成氧化层，且氧化处理采用的气体与原生氧化层发生反应，将原生氧化层转化为气态的副产物，以去除原生氧化层。本公开实施例，可以有效去除原生氧化层，并形成高质量的氧化层，避免原生氧化层残留影响氧化层的性能，从而改善半导体器件的性能。
半导体器件制备方法

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