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[发明专利]用于RF滤波器应用的外延AlN/稀土氧化物结构-CN201780037856.8有效
发明人： 王望南;安德鲁·克拉克;吕蒂斯·达吉斯;迈克尔·莱比;罗德尼·佩尔策尔 -专利权人： IQE公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种层型结构(1100，1030)，其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III‑N层(1110，1032)，所述金属层外延生长在半导体(1102，1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104，1004)，并且所述金属层包括至少一个金属部分(1108，1006)，所述金属部分与邻近的分立部分部分交叠，优选地在气隙(1008)上形成桥，所述层型结构特别适合用于RF滤波器。
用于 rf 滤波器应用外延 aln 稀土氧化物结构

[发明专利]垂直式作物栽培系统-CN201810724683.3有效
发明人：蔡文清;蔡宗霖;王望南;陈汶杨 -专利权人：源鲜农业生物科技股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： A01G9/16 文献下载
摘要：本发明为垂直式作物栽培系统，包括有：一建筑设施、一养液供应单元、一光照单元、一空气调节单元、一声频调节单元，以及一控制单元；可有效利用地坪空间，降低储液槽中的养液受外部气温干扰，避免养液冻结或过热，能够以相对较低的成本提供适合作物生长的水温条件；以及在养液供应单元、光照单元、空气调节单元、声频调节单元及控制单元的整合运作下，针对种植的作物及作物实际生长状态适时调整养分、光照、温度、湿度、空气含氧量甚至声波震动频率等环境条件，有助于提升作物产量，进而达到节能的功效。
垂直作物栽培系统

[发明专利]一种微细及超微细气泡产生模块及其应用装置-CN201710532507.5有效
发明人：蔡文清;杨德伟;王望南;王雅宽 -专利权人：贺生源健康生技股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： B01F3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种微细及超微细气泡产生模块及其应用装置，是由上气液混合腔体部、模块腔体以及下微细气泡产生腔体部组成；上气液混合腔体部为锥形体，直径上大下小，上方配置出口溢流孔；下微细气泡产生腔体部亦为锥形体，直径上小下大，下方配置进口溢流孔；上气液混合腔体部与下微细气泡产生腔体部配置于模块腔体内，模块腔体具有进口、出口以及泄压口；上气液混合腔体部主要功能为使气液混合，下微细气泡产生腔体部主要功能为产生微细及极微细气泡，模块腔体功能为引导自出口溢流孔流出的液体至进口溢流孔以及增加气液互混作用时间。
一种微细气泡产生模块及其应用装置

[实用新型]垂直式作物栽培系统-CN201821056211.7有效
发明人：蔡文清;蔡宗霖;王望南;陈汶杨 -专利权人：源鲜农业生物科技股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： A01G9/16 文献下载
摘要：本实用新型为垂直式作物栽培系统，包括有：一建筑设施、一养液供应单元、一光照单元、一空气调节单元、一声频调节单元，以及一控制单元；可有效利用地坪空间，降低储液槽中的养液受外部气温干扰，避免养液冻结或过热，能够以相对较低的成本提供适合作物生长的水温条件；以及在养液供应单元、光照单元、空气调节单元、声频调节单元及控制单元的整合运作下，针对种植的作物及作物实际生长状态适时调整养分、光照、温度、湿度、空气含氧量甚至声波震动频率等环境条件，有助于提升作物产量，进而达到节能的功效。
空气调节单元供应单元光照单元声频调节作物栽培垂直式本实用新型空气含氧量地坪空间建筑设施气温干扰声波震动生长状态水温条件作物生长储液槽过热整合光照冻结节能外部运作种植

[发明专利]LED芯片热管控和制造方法-CN200880124323.4无效
发明人： 王望南 -专利权人： 王望南
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造高功率发光器件的方法，该方法使用具有高导热率且具有与器件匹配的热膨胀系数的化学镀或电镀金属复合材料热耗散衬底。
led 芯片热管制造方法

[发明专利]使用纳米结构模板制造单晶半导体材料-CN200880000298.9无效
发明人： 王望南 -专利权人：雷诺根公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种制造单晶半导体材料的方法，其包括：提供模板材料；在所述模板材料之上制作掩模；使用所述掩模在所述模板材料中形成多个纳米结构；以及在纳米结构上生长单晶半导体材料。
使用纳米结构模板制造半导体材料

[发明专利]使用纳米结构柔性层和HVPE制造高质量化合物半导体材料的生长方法-CN200780010187.1有效
发明人： 王望南 -专利权人：雷诺根公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种方法，其使用纳米结构柔性层，利用HVPE在异质衬底(10)上生长高质量的平且厚的化合物半导体(15)。可通过分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)以及氢化物气相外延(HVPE)在异质衬底(10)上生长半导体材料的纳米结构(12)。通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜(15)或晶片的进一步的生长。
使用纳米结构柔性 hvpe 制造质量化合物半导体材料生长方法

[发明专利]织构化发光二极管-CN200580032685.7有效
发明人： 王望南 -专利权人： 王望南
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层(2)，包括掺杂III－V或II－VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底(1)上；织构化未掺杂或掺杂的有源层(3)，包括III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层(4)，包括掺杂III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金。
织构化发光二极管

[发明专利]制备高质量化合物半导体材料的沉积技术-CN200580022204.4有效
发明人： 王望南;沙基·依格雷维奇·斯蒂帕诺夫 -专利权人： 王望南
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过利用特殊的氢化物气相外延沉积法可以有利地获得沉积层。在此方法中，具有延长的扩散层、均匀化隔膜、侧壁气体清除器，以及独立的气体和衬底加热器的立式生长装置结构被用于Ⅲ－Ⅴ和Ⅵ化合物半导体的沉积。气流均匀地混合通过延长的扩散层并被引导从而使其接触衬底的整个表面，以生成高质量和均匀的膜。这种气流结构的例子是衬底的位置在自气体出口的一定距离，所述距离允许延长的扩散层以及隔膜放置在使对流效应的影响降至最低并提高均匀性的自衬底上方的近距离。此对称结果使得从单晶片容易扩大到多晶片系统。此立式结构允许在不同的反应气体前驱体之间快速转换，从而可以采用时间调节生长和蚀刻法以进一步最小化沉积材料的缺陷密度。
制备质量化合物半导体材料沉积技术

[发明专利]具有氧化锌接触电极的发光二极管-CN200410031097.9无效
发明人： 王望南 -专利权人：华宇电脑股份有限公司
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有氧化锌接触电极的发光二极管，将一种透明导电薄膜溅镀于电极和发光二极管之间，使得电流传导的更均匀、减低面电阻及增加某特定波长的透光率。在本发明中提出一种特别适用于GaN发光二极管的氧化锌透明导电层。Ni/Au/ZnO接触电极经实验得知较已知的Ni/Au接触电极具有较佳的透光率。Ni/Au/ZnO接触电极最佳的透光率可达90％。
具有氧化锌接触电极发光二极管

[发明专利]在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法-CN00120258.8无效
发明人： 王望南;尤里·G·施莱特;尤里·T·莱班尼 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2000-07-14 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是提供一种在高度失配的蓝宝石衬底上采用具有固-液相变的过渡层外延生长半导体的方法，目的是消除生长半导体时半导体和衬底的晶格参数之间高度失配所引起的应力。此方法包括在温度低于过渡层的熔点时在蓝宝石衬底上外延生长过渡层，和在温度高于过渡层的熔点时在保护层上外延生长厚度比保护层厚度厚的外延半导体层。其特征在于外延生长过渡层之后及在外延生长半导体层之前，在温度低于过渡层的熔点时在过渡层上外延生长具有熔点高于外延生长的半导体的生长温度的保护层。
晶格高度失配衬底外延生长半导体方法

[发明专利]以散射光媒介作光变换的发光二极管-CN01142442.7无效
发明人： 王望南;黄文杰 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2001-11-28 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管(LED)或其他光发射装置,例如镭射二极管(laserdiode,LD),包括发光构件及散射光媒介,例如介质磷光粉(DPP),此散射光媒介吸收一部分由发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。散射光媒介由晶质磷光颗粒及能隙大于3eV的近似球型介质颗粒混合物所制成(其不吸收蓝光)。散射光媒介,例如DPP也可以包含磷光颗粒及以气泡(或孔隙)替代介质颗粒。根据本发明优选实施例所示范的LED结构包括封胶于环氧树脂的晶质半导体晶粒;连接至半导体晶片的接线;连接至接线的金属引线架;及覆盖散射光媒介,例如介质磷光粉的环氧树脂封胶。此DPP由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成。
散射媒介变换发光二极管

[发明专利]以介质磷光粉作光变换的发光二极管-CN01142441.9无效
发明人： 王望南;黄文杰 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2001-11-28 - 公布日： 2002-07-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管(LED),包括发光构件及介质磷光粉(dielectricphosphorpowder,DPP),此介质磷光粉吸收一部分由发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。根据本发明优选的实施例,LED包含作为发光构件的晶质半导体晶粒。介质磷光粉由晶质磷光颗粒及能隙大于3eV的近似球型介质颗粒混合物所制成(其不吸收蓝光)。DPP也可以包含磷光颗粒及气泡(或孔隙)以替代介质颗粒。DPP的气泡的能隙大于3eV,其不吸收蓝光。根据本发明优选实施例所示范的LED结构包括封胶于环氧树的晶质半导体晶粒;连接至半导体晶片的接线;连接至接线的金属引线架;及覆盖介质磷光粉的环氧树脂封胶。此DPP由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成。
介质磷光粉作光变换发光二极管

[发明专利]等离子体发生装置-CN01119296.8无效
发明人： 王望南 -专利权人： 王望南
申请日： 2001-04-04 - 公布日： 2002-03-20 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体发生装置,它包括一个阳极(2)和一个阴极(1),阴极由宽带隙材料制成或者包括宽带隙材料,阳极为筒形并且相对于阴极轴向分开,围绕阴极有一个绝缘护套(5)。
等离子体发生装置

[发明专利]具有不对称谐振隧道的发光二极管-CN00117642.0有效
发明人： 王望南;优利·G·施里特;优利·T·里班 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2000-05-26 - 公布日： 2001-02-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种基于具有电荷不平衡谐振隧道的双阱系统的LED,包括第一和第二耦合阱,一个阱是宽阱,另一个阱是有源量子阱。这些阱通过谐振隧道势垒耦合,该势垒能透过电子,阻挡空穴。
具有不对称谐振隧道发光二极管

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