专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种离子注入缺陷诱导的室温铁磁性ZnO单晶薄膜制备方法-CN201610436375.1有效
  • 英敏菊;王施达;段涛;张旭;廖斌;吴先映 - 北京师范大学
  • 2016-06-20 - 2020-06-30 - C30B31/22
  • 本发明公开一种离子注入缺陷诱导的室温铁磁性ZnO单晶薄膜的制备方法。利用分子动力学程序模拟不同能量的离子注入到ZnO后的能量损失和分布,设计多次叠加注入条件,在分子束外延技术或者金属有机物化学气相沉积技术制备的ZnO单晶薄膜中注入不同能量、不同剂量的非磁性元素,使得叠加后总离子分布与损伤截面在一定薄膜厚度范围内近似均匀分布。通过控制注入离子能量和剂量调控氧化锌单晶薄膜中掺杂离子和缺陷态的分布与数量,获得了缺陷诱导的具有室温铁磁性的ZnO单晶薄膜。离子注入能精确控制注入剂量以及注入离子和缺陷的分布,实验的重复性和稳定性好。本方法获得的ZnO薄膜具有稳定的室温铁磁性,并保持较好的单晶特性,可应用于量子自旋器件中。
  • 一种离子注入缺陷诱导室温铁磁性zno薄膜制备方法

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