专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种温度与压力一体化控制报警开关-CN202122500632.2有效
  • 李剑波;郑文彬;马利杰;杨晓迪;刘晓燕;程道坤;王彦东;刘永枫;李茂 - 新乡北方车辆仪表有限公司
  • 2021-10-18 - 2022-04-19 - F01M1/20
  • 本实用新型公开了一种温度与压力一体化控制报警开关,包括L型壳体和阀体壳,所述阀体壳通过螺纹连接的方式与L型壳体连接,所述阀体壳为管状结构,且阀体壳内部设有隔板,阀体壳的内部左端设有磁钢滑动座,磁钢滑动座的右端设有磁钢二,并且磁钢滑动座的右端与阀体壳内部的隔板之间设有压缩弹簧,所述阀体壳的内部设有导向座,导向座为圆形凸台状结构,且导向座的外侧设有阀芯,阀芯左端设有磁钢一,导向座上设有与磁钢一对应的通孔,该温度与压力一体化控制报警开关,结构简单,有效的将电路部分与机油隔开,避免机油对微动开关的腐蚀,延长了微动开关的使用寿命,保证其与外部电路的正常连接,而且内部结构紧凑,体积小、重量轻。
  • 一种温度压力一体化控制报警开关
  • [实用新型]一种新型自动保温砌块-CN202122607839.X有效
  • 王彦东;王彦生;王丽萍 - 山东新风光新型建材有限公司;新未来住宅工业科技(山东)有限公司
  • 2021-10-28 - 2022-04-12 - E04C1/41
  • 本实用新型公开了一种新型自动保温砌块,包括加强筋和砌块本体,所述砌块本体的前后端面均开设有侧槽,且侧槽内填充有保温层,所述砌块本体的中间处两侧均开设有顶槽,且顶槽的两端开口分别位于砌块本体的上下端面,所述侧槽连接顶槽的内部,所述顶槽的内部两侧均固定有垫块,所述砌块本体的两侧均开设有穿孔,所述加强筋插接在穿孔内,所述侧槽共设有八个,且八个侧槽分为两组阵列分布在砌块本体的前后端面,所述保温层与侧槽相适配,所述保温层由泡沫材质组成,所述穿孔贯穿保温层的内部,所述加强筋的长度为砌块本体长度的一点五倍。本实用新型具备双向保温,提高保温性能和便于校准与浇注,降低操作难度的优点。
  • 一种新型自动保温砌块
  • [实用新型]一种抗负风压能力强的自保温砌块-CN202122432957.1有效
  • 王彦东;王彦生;王丽萍 - 山东新风光新型建材有限公司;新未来住宅工业科技(山东)有限公司
  • 2021-10-11 - 2022-04-12 - E04C1/41
  • 本实用新型公开了一种抗负风压能力强的自保温砌块,包括砖体、防裂组件、底座和保温块,砖体的两侧等距设有浇筑槽,砖体的内部设有安装槽,砖体的顶部安装有插接座,砖体的底部安装有底座,底座的底部安装有安装座,安装槽的内部安装有防裂组件,防裂组件内安装有限位框,限位框的内部设有缓冲槽,缓冲槽的内部安装有四组支撑座。本实用新型通过在限位框的内部安装有支撑座,能够通过支撑座对保温块进行限位支撑,从而可以使保温块在限位框的内部受到弹性支撑,当保温块受到温度影响而出现体积上的变化时,支撑座可以为保温块提供形变的空间,进而可以减小保温块对砖体的压力,进而防止砖体受力破裂。
  • 一种风压能力强保温砌块
  • [发明专利]AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法-CN201910304396.1有效
  • 段宝兴;王彦东;杨珞云;杨银堂 - 西安电子科技大学
  • 2019-04-16 - 2022-04-01 - H01L29/778
  • 本发明提出了一种AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法,该器件的主要特点是采用了特殊的漂移区即由N型漂移区与N+电流通道组成,同时利用AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气和N+电流通道构造了新的电流通道,并且采用了P型屏蔽层。在正向导通时,P型屏蔽层几乎不会影响N+电流通道,可以获得较低的导通电阻。在器件关断时,随着漏极电压的升高,P型屏蔽层附近的耗尽区扩展,N+电流通路被夹断后,漂移区承担反向偏压,可以获得较高的击穿电压,因此弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。结合以上优势,与传统垂直型场效应晶体管相比,本发明提出的结构能承受更高的耐压,同时具有更低的导通损耗。
  • algangan异质结垂直场效应晶体管及其制作方法

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