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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善器件铝穿通及阈值电压收敛性的方法-CN202310105176.2在审
发明人：谭林;邹野;王开树;吴坚;谭建兵 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善器件铝穿通及阈值电压收敛性的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构形成有接触孔；利用第一直流磁控溅射和腔体侧壁电磁场的同时作用以于所述接触孔的底部及侧壁形成第一阻挡层；利用第二直流磁控溅射和腔体侧壁电磁场的同时作用以于所述第一阻挡层的表面形成第二阻挡层；利用反溅射工艺对形成于所述接触孔底部的所述第二阻挡层进行反溅射，以减薄形成于所述接触孔底部的所述第二阻挡层的厚度，并增加形成于所述接触孔侧壁的所述第二阻挡层的厚度。通过本发明解决了以现有的形成金属阻挡层的方法易导致器件发生铝穿通，且阈值电压收敛性不好的问题。
改善器件铝穿通阈值电压收敛性方法

[发明专利]有效替代金属硅化物工艺机台的Degas腔的方法-CN202211195337.3在审
发明人： 王开树;李佳钰 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本申请提供一种有效替代金属硅化物工艺机台的Degas腔的方法，包括：将晶圆转运至金属硅化物工艺机台；将晶圆送入机台的Siconi腔进行表面预清洁处理，以去除晶圆表面的氧化硅；在机台的Siconi腔内去除晶圆表面的水汽和杂质。通过在机台的Siconi腔的操作流程的最后增加将晶圆再次靠近喷淋头以去除表面水汽及杂质的步骤，该步骤可以代替Degas腔的作用，从而节省机台占地面积，减少晶圆在机台的转运环节。
有效替代金属硅工艺机台 degas 方法

[发明专利]掺杂改性的铌镍酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN201710353080.2有效
发明人：朱小红;王开树;张玉;梁大云 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明所述铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷，表示其化学组成组分及组分含量的化学式如下：Pb1‑mSrm(Ni1/3Nb2/3)n(Zr0.52Ti0.48)1‑nO3+xwt％Sb2O3+y％PbO+z％NiO，式中0.08≤m≤0.12，0.1≤n≤0.4，0.5≤x≤1，0≤y≤4，0≤z≤5，各参数进一步优选为m＝0.1，0.2≤n≤0.24，x＝0.75，y＝3，0≤z≤4。本发明还提供了上述铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法。所述掺杂改性的铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷其电学性能显著提高，可满足大功率压电器件的应用需求。
掺杂改性铌镍酸铅锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

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共 3 条

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