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[实用新型]一种具备打包功能的电缆生产用成圈装置-CN202321027121.6有效
发明人：徐旸;王宏兴 -专利权人：上海祥龙电缆制造有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B65H75/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具备打包功能的电缆生产用成圈装置，包括连接设备主体的转轴和圆环；转轴一端设置第一推动组件；转轴表面活动设置连接第一推动组件的推环；转轴另一端设置与推环相对设置的挡盘；推环设置于圆环内侧；圆环表面安装第一轴承，推环侧面设置连接座，连接座表面安装第二轴承；本实用新型通过在转轴一端设置有第一推动组件，在转轴表面活动设置连接第一推动组件的推环，通过第一推动组件推动推环侧面的成圈电缆，实现本装置的自动下料工作；同时将围绕成圈电缆的绳体从第二导向槽内伸出后，通过人员将绳体穿过堵头与第一插槽内的绳体重合当绳体经过接触传感器后，通过加热触头将重合的绳体进行加热固定，并由剪裁刀进行裁剪。
一种具备打包功能电缆生产用成圈装置

[实用新型]一种环保电缆生产用漆包机-CN202321202229.4有效
发明人：徐旸;王宏兴 -专利权人：上海祥龙电缆制造有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01B13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环保电缆生产用漆包机，包括底座和安装在底座上的清洁组件和漆包组件；清洁组件相对两侧安装有导向组件；漆包组件包括壳体和支架；壳体上设置有漆包室，支架表面设置有圆孔，圆孔内安装有转盘，转盘侧面设置有一个以上的支架挡板；支架挡板上设置有刮料孔，刮料孔与漆包室上下相对设置；本实用新型通过将一个以上设置有刮料孔的支架挡板设置于转盘侧面，通过旋转转盘，寻找需要的刮料孔，并在安装转盘的圆孔内设置连接转盘的定位组件，通过定位组件对转盘进行固定，防止刮漆时，支架挡板在圆孔内活动；通过将电缆设置于传输带之间，通过传输带内的刷毛对电缆进行表面清洁，相较于传统的清洁方式，上述结构清洁更加全面。
一种环保电缆生产包机

[实用新型]一种便于调节的电缆生产工装-CN202320982871.2有效
发明人：徐旸;王宏兴 -专利权人：上海祥龙电缆制造有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于调节的电缆生产工装，包括底座，底座上滑动安装夹持工装；所述加持工装包括工装支架、弹性压板，所述工装支架与弹性压板之间弹性铰接，所述工装支架上设置有与弹性压板平行的固定挡板；所述固定挡板的两侧均活动安装第一支撑板，对应第一支撑板的弹性压板两侧设置有第二支撑板。本实用新型可将待加工电缆自上而下快速压入至两弧形夹板之间，完成快速装夹，并且在安装后可以对装夹后的电缆进行圆周往复转动，暴露电缆不同的面，实现对面加工，并可实现对电缆不同的支撑高度以及长度方向上的调节。
一种便于调节电缆生产工装

[发明专利]一种耐火电缆和电缆降温系统-CN202310708119.3在审
发明人：徐旸;王宏兴 -专利权人：上海祥龙电缆制造有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐火电缆和电缆降温系统，包括绝缘保护层，所述绝缘保护层内沿着绝缘保护层长度方向等距设置有多组固定的伸缩驱动机构，相邻伸缩驱动机构之间均安装一活动耐火层；通过旋转连接机构使得活动耐火层相对伸缩驱动机构作圆周旋转动作，通过伸缩驱动机构控制活动耐火层沿着绝缘保护层长度方向移动。本发明通过在电缆内设置伸缩驱动机构和旋转连接结构，配合活动耐火层进行设计，在火源持续接触下，耐火层可旋转并进行长度方向位移，以利用未被火源接触的区域继续抵抗火焰，有效提高了电缆的耐火时间，为灭火和救援队伍赢得更多时间，保护电缆，显著降低电力系统故障、信息传输中断及火灾进一步扩散的风险。
一种耐火电缆降温系统

[发明专利]一种金刚石生物传感器及其检测CA19-9抗原的方法-CN202210061626.8有效
发明人： 王宏兴;张倩文;徐邦强;常晓慧;陈根强;王艳丰;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于生物传感器技术领域，特别涉及一种利用金刚石生物传感器检测CA19‑9抗原的方法，包括下步骤：S1、用缓冲溶液稀释后的特异性抗体在0‑10℃下浸泡金刚石生物传感器10min～5h，完成特异性抗体在金刚石表面的修饰，得到特异性抗体层；S2、在源极和漏极之间的特异性抗体层上滴加缓冲溶液稀释后的CA19‑9抗原，并在0‑10℃下培养，CA19‑9抗原和特异性抗体在缓冲溶液中进行反应；S3、给参比电极施加栅源电压，给漏极施加漏源电压，测试并对比特异性抗体层表面上滴加抗原前后场效应晶体管的转移特性曲线。解决了ELISA法成本高昂，反应过程复杂，检测时间长的问题。
一种金刚石生物传感器及其检测 ca19 抗原方法

[发明专利]一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法-CN202110639970.6有效
发明人：朱天飞;梁言;刘璋成;王艳丰;邵国庆;何适;问峰;王宏兴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
一种成像激光系统元件制作方法

[发明专利]控制电路、控制方法以及功率变换器-CN202110318807.X有效
发明人：王龙奇;金津;王宏兴 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：依据本发明的实施例揭露了一种控制电路、控制方法以及功率变换器，所述控制电路，应用于功率变换器，所述功率变换器包括开关电路，包括至少一个半桥；变压器，包括原边绕组和副边绕组；谐振电感和谐振电容，与所述原边绕组串联以构成谐振模块；以及采样电阻，与所述谐振模块串联或串联在所述谐振模块中；所述控制电路根据所述采样电阻的电压的绝对值和电流参考信号生成控制信号，以控制所述开关电路的工作状态，调节所述功率变换器的输出电流；其中，所述电流参考信号用于表征所述功率变换器的输出电流的期望值。本发明中的功率变换器需要的外围器件较少，而且由于无需光耦进行原副边信号传递，使得电路体积较小，有利于系统集成化。
控制电路控制方法以及功率变换器

[发明专利]一种锡终端金刚石及其制备方法和场效应晶体管-CN202310245850.7在审
发明人： 王宏兴;何适;李奉南 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种锡终端金刚石及其制备方法和场效应晶体管，包括以下步骤：S1，在氢终端金刚石表面上沉积SnO2或SnO薄膜；S2，将沉积SnO2或SnO薄膜后的氢终端金刚石置入氢等离子体环境中进行氢化处理，得到锡终端金刚石前驱体；S3，利用酸洗去除锡终端金刚石前驱体表面的SnO2或SnO薄膜，获得锡终端金刚石。本发明方法，首先在氢终端金刚石表面沉积SnO2或SnO薄膜，然后利用氢等离子体形成的强还原和热环境，对SnO2或SnO薄膜进行处理，氢终端金刚石表面的碳氢键会转化成碳锡键，从而将氢终端金刚石转化为锡终端金刚石。
一种终端金刚石及其制备方法场效应晶体管

[发明专利]一种锡终端半导体材料及其制备方法-CN202310288934.9在审
发明人：李奉南;王宏兴;马飞;何适 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。
一种终端半导体材料及其制备方法

[发明专利]电池热管理系统及充电站-CN202010378970.0有效
发明人：代永祥;雷晓钧;吕书军;王宏兴;吴苗丰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B60L58/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种电池热管理系统及充电站。该电池热管理系统包括车载电池热管理系统和充电站热管理系统，该车载电池热管理系统包括第一板式换热器和电池换热流路，电池换热流路的第一端与第一板式换热器的第一出口连通，第二端与第一板式换热器的第一入口连通；该充电站热管理系统包括第一换热机组、第二换热机组、第一流路、第二流路、第三流路以及第四流路，第一换热机组的入口经由第一流路与第一板式换热器的第二出口可脱离地连接，第一换热机组的出口经由第二流路与第一板式换热器的第二入口可脱离地连接，并经由第三流路与第二换热机组的入口连通，第二换热机组的出口经由第四流路与第一板式换热器的第二入口可脱离地连接。
电池管理系统充电站

[发明专利]载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法-CN202211599409.0在审
发明人：王玮;牛田林;梁月松;陈根强;方培杨;冯永昌;熊义承;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
载流子迁移率增强金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]电流信号采样方法、采样电路和开关电源-CN202211458550.9在审
发明人：陈湛;金津;张桂英;王宏兴 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电流信号采样方法、采样电路和开关电源，在本发明实施例中，采样电路的控制单元通过在对应开关管的关断延迟时间内对充电电容进行充电，以获取补偿信号，从而根据补偿信号对第一采样信号进行补偿。由此，本实施例通过集成电路内部的电流在关断延迟时间内对充电电容进行充电来精确获取补偿信号，降低了电路成本，便于电路集成，减小了电路体积。
电流信号采样方法电路开关电源

[发明专利]一种纳米透镜阵列及其制备方法-CN202211696916.6在审
发明人：朱天飞;李珀;问峰;王宏兴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米透镜阵列及其制备方法，其中一种纳米透镜阵列的其制备方法包括如下步骤：在衬底的一个表面上涂覆光刻胶，用具有圆孔阵列的掩膜板对所述光刻胶进行遮挡，然后对所述光刻胶进行曝光处理和显影处理，在所述衬底上得到具有圆孔阵列的光刻胶薄膜；对具有圆孔阵列的所述光刻胶薄膜的所述衬底镀金属层；将所述光刻胶薄膜从所述衬底剥离，得到金属圆盘阵列；在具有所述金属圆盘阵列的所述衬底进行退火处理，以使所述金属圆盘阵列熔化并缩聚成金属球体阵列，所述金属球体阵列作为衬底的刻蚀掩膜；对具有所述金属球体阵列的所述衬底进行干法刻蚀，得到纳米透镜阵列。该制备方法制备的纳米透镜阵列的成本低，且操作简单。
一种纳米透镜阵列及其制备方法

[发明专利]一种金刚石场效应晶体管及其制备方法-CN202211600276.4在审
发明人：王玮;梁月松;牛田林;熊义承;陈根强;冯永昌;方培杨;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。
一种金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法-CN202110698287.X有效
发明人：魏强;林芳;张晓凡;王若铮;陈根强;王宏兴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)取向薄膜；步骤三、在步骤二中的Ir(001)取向薄膜上制备出(001)方向的金刚石核；步骤四、将步骤三中的(001)方向的金刚石核在MP‑CVD中外延生长，得到连续(001)方向的金刚石薄膜。该制备方法中，利用Pd作为Ir与衬底之间的缓冲层缓冲层，可以有效降低Ir薄膜的应力，解决了Ir薄膜容易脱落和断裂的问题。
一种利用 pt 金属作为 ir 缓冲制备外延金刚石方法

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