专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种配置板用的安装支撑架-CN202320463023.0有效
  • 史鹏伟;成军平;刘伟;王妙妙 - 西安世强技术有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-10-10 - B66F7/16
  • 本实用新型公开了一种配置板用的安装支撑架,包括底架、安装抬升组件和固定组件,所述安装抬升组件设于底架上,所述固定组件设于安装抬升组件上;所述安装抬升组件包括支撑板、液压缸、联杆一、联杆二和抬升板,所述支撑板的底端设于底架上,所述支撑板的侧壁设有固定板,所述联杆一的联杆二的顶端均旋转设于固定板上,所述抬升板通过联杆一的联杆二连接于固定板,所述联杆一的联杆二的底端均旋转设于抬升板的侧壁上,所述联杆一平行于联杆二,所述抬升板平行于固定板,所述液压缸的固定端铰接于支撑板的侧壁,所述液压缸的活动端铰接于联杆一的侧壁。本实用新型属于安装支撑架技术领域,具体是指一种配置板用的安装支撑架。
  • 一种配置安装支撑架
  • [发明专利]集成电路封装器件的加工装置-CN201911181316.4有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-11-27 - 2023-09-08 - H01L21/67
  • 本发明公开一种集成电路封装器件的加工装置,包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构,所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧,所述打标器设置于第二框架上方,所述打磨机构安装于第三框架上方,所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头,所述顶板一侧与支撑板固定连接,此顶板的另一侧设置有一挡板,所述挡板上开有一风嘴,所述第三框架下方设置有一吸尘仓,此吸尘仓通过一第一风管与所述风嘴贯通连接。本发明实现了对移动至第三框架上的半导体器件的打磨,还可以将打磨过程中产生的碎屑吸收至吸尘仓的内部,避免碎屑造成空气污染影响工作人员身体健康,同时还可以避免后期清洁人员清理困难。
  • 集成电路封装器件加工装置
  • [发明专利]DFN集成电路键合装置-CN202111674343.2在审
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H01L21/683
  • 本发明公开一种DFN集成电路键合装置,其气缸的活塞杆上安装有一用于与待加工基板上方的待加工芯片挤压接触的压板,支撑板的侧表面上开设有一沿水平方向延伸的条形槽,一滑动板的一侧滑动设置于条形槽内,滑动板的另一侧下表面上安装有电缸,水平设置的滑动板下表面两端各连接有一竖直设置的第一安装板,对称设置于电缸两侧的2块第一安装板之间转动连接有一双向螺杆,2个第一安装板相对的表面上各安装有一L形板,一端与第一安装板连接的L形板的另一端延伸至吸盘上方向下折弯并安装有一活塞缸,活塞缸与对应的第二安装板之间连接有气囊。本发明保证了芯片与吸盘紧密贴合,提高了转移过程中芯片的安全性,也提高了装置整体的可靠性。
  • dfn集成电路装置
  • [发明专利]一种DFN集成电路器件的键合方法-CN202111677912.9在审
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H01L21/603
  • 本发明公开一种DFN集成电路器件的键合方法,基于一键合装置,其一用于拾取待加工芯片的吸盘安装于电缸的输出端上并可随电缸自置物板上方移动至安装座上方,一滑动板的一侧滑动设置于条形槽内,滑动板的另一侧下表面上安装有电缸,水平设置的滑动板下表面两端各连接有一竖直设置的第一安装板,对称设置于电缸两侧的2块第一安装板之间转动连接有一双向螺杆,双向螺杆的一端穿过一个第一安装板并与安装于该第一安装板上的电机输出轴连接,双向螺杆上并位于电缸两侧各套装有一第二安装板,该第二安装板的底部安装有挡板。本发明有效避免芯片掉落在工作台上导致芯片损坏的情况,从而保证了芯片在拾取转移过程中的安全性。
  • 一种dfn集成电路器件方法
  • [发明专利]一种阻燃性好的纱线-CN202011452786.2有效
  • 王妙妙 - 淮安金润印染有限公司
  • 2020-12-11 - 2023-05-02 - D02G3/44
  • 本发明公开了一种阻燃性好的纱线,包括包芯线结构的线体,该线体包括芯线以及绕包于芯线外周的多个包线,芯线的材料由有机硅氮阻燃粘胶纤维与有机磷系阻燃粘胶纤维混纺制成;含有30%‑80%重量的有机硅氮阻燃粘胶纤维和20%‑70%重量的有机磷系阻燃粘胶纤维;其中有机硅氮阻燃粘胶短纤维含有纤维素和硅氮阻燃剂,纤维素和硅氮阻燃剂的摩尔质量比为3:1;所述硅氮阻燃剂为二氧化硅杂氮化合物;其中有机磷系阻燃粘胶纤维含有纤维素和机磷系阻燃剂,纤维素和有机磷系阻燃剂的摩尔质量比为3:1;所述有机磷系阻燃剂为磷酸三苯酚;本发明采用有机硅氮阻燃粘胶纤维与有机磷系阻燃粘胶纤维混纺制成,强度在2cN/dtex以上,具有良好的阻燃性能强度。
  • 一种阻燃纱线
  • [发明专利]一种纳米线数量统计方法及系统-CN202010294470.9有效
  • 李政林;王妙妙;蒋春利;王志;关磊 - 广西科技大学
  • 2020-04-15 - 2023-04-07 - G06T7/00
  • 本发明提供了一种纳米线数量统计方法及系统。该方法包括:获取待统计的纳米线图像;对纳米线图像进行预处理,得到预处理后的图像;对预处理后的图像进行细化,提取纳米线骨架,得到细化后的纳米线图像;统计细化后的纳米线图像中的端点数量和孤立点数量;识别细化后的纳米线图像中的节点;将节点连通距离小于预设阈值的两个节点合并,将合并处理后的所有节点均标记为合并后节点;在合并后节点中识别邻域包含奇数个前景点的节点,得到奇连接合并后节点的数量;利用端点数量、孤立点数量以及奇连接合并后节点的数量计算纳米线的数量。本发明能够避免大量多余短线的产生,提高纳米线数量统计的准确性。
  • 一种纳米数量统计方法系统
  • [发明专利]一种无接触免感染核酸采样系统-CN202211131882.6在审
  • 郝建峰;田敏;夏禾爱;王庆;种琳琳;刘丹;刘洋;白妍茹;王伊可;宋甜甜;王妙妙;弓雅琴 - 西安医学院第三附属医院
  • 2022-09-16 - 2022-11-29 - E04H1/12
  • 本发明公开了一种无接触免感染核酸采样系统,包括防护舱和消毒舱,所述防护舱的前侧设置舱门,所述舱体的两侧设置有检测窗,所述检测窗上开设有检测孔,所述检测孔上密封安装有医用手套,所述检测窗的外侧还设置有用于放置器具的处理台;所述处理台的顶部安装所述消毒舱,所述消毒舱位于所述检测窗的外部;所述消毒舱为罩设在所述检测窗外部的一个门形箱体,所述消毒舱的两侧设置有病毒消杀机构,所述消毒舱的内部设置有安装所述病毒消杀机构的空腔;本发明中的无接触免感染核酸采样系统,能够保证医护人员的工作环境和安全性,有效提高核酸采样时的防护,降低因核酸采样时传播的几率,避免因集中核酸采样而导致产生大规模传播的现象。
  • 一种接触感染核酸采样系统
  • [发明专利]耐热型QFN封装半导体器件-CN202110620907.8有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-03-06 - 2022-07-19 - H01L23/29
  • 本发明公开了一种耐热型QFN封装半导体器件,散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽,所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm,所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体,所述分隔槽中填充有导热绝缘条;环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明耐热型QFN封装半导体器件增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性和兼具有优秀的耐热性能。
  • 耐热qfn封装半导体器件
  • [发明专利]QFN封装半导体器件-CN202110620908.2有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-03-06 - 2022-07-19 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种QFN封装半导体器,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽,所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm,所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性。
  • qfn封装半导体器件
  • [发明专利]高可靠性QFN封装器件结构-CN202110620909.7有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-03-06 - 2022-07-19 - H01L23/29
  • 本发明公开了一种高可靠性QFN封装器件结构,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述分隔槽槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘内的T形槽,所述导热绝缘条上设有填充于T形槽中的T形部;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明高可靠性QFN封装器件结构增强了环氧绝缘体的整体力学性能,兼具有优秀的耐热性能。
  • 可靠性qfn封装器件结构
  • [发明专利]高强度QFN封装结构-CN202110621536.5有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-03-06 - 2022-07-19 - H01L23/29
  • 本发明公开一种高强度QFN封装结构,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上,且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层,位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘,所述导电焊盘和芯片通过一引线连接;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能,也可满足大功率高发热芯片封装的要求。
  • 强度qfn封装结构
  • [发明专利]无引脚DFN封装器件的封装工艺-CN202011403562.2有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-02-22 - 2022-07-19 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种集成电路器件的封装工艺,所述器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上;包括以下步骤:S1.先将硅微粉80份和阻燃剂10份与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份混合均匀,进行表面处理;S2.再加入环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份和脱模剂3份,混合均匀。本发明方法制备得到的器件有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题,内部气孔的发生率低。
  • 引脚dfn封装器件工艺
  • [发明专利]高强度DFN封装半导体器件-CN202011403577.9有效
  • 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 - 西安航思半导体有限公司
  • 2019-02-22 - 2022-07-19 - H01L23/367
  • 本发明公开了一种高强度DFN封装半导体器件,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上,位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘,所述导电焊盘和芯片通过一引线连接;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、硅微粉80份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份、脱模剂3份、阻燃剂10份。本发明高强度DFN封装半导体器件散热效果、力学性能优异,增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性。
  • 强度dfn封装半导体器件

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