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[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体生长用基板、半导体生长用基板的制造方法、半导体元件、发光元件、显示面板、电子元件、太阳能电池元件及电子设备-CN201080039838.1无效
发明人：藤冈洋;平崎哲郎;植仁志;山下顺也;羽鸟浩章 -专利权人：国立大学法人东京大学;东海炭素株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供具有结晶性高的半导体层的半导体基板。所述半导体基板为：具备石墨层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于该石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面；具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。
半导体制造方法生长用基板元件发光显示面板电子元件太阳能电池电子设备

[发明专利]场效应晶体管、半导体基板、场效应晶体管的制造方法及半导体基板的制造方法-CN201080038652.4无效
发明人：秦雅彦;山田永;福原升;高木信一;竹中充;横山正史;安田哲二;卜部友二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。
场效应晶体管半导体制造方法

[发明专利]热集成蒸馏设备-CN201080035558.3有效
发明人：中岩胜;若林敏祐;玉越昭彦 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;东洋工程株式会社
申请日： 2010-09-24 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B01D3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种热集成蒸馏设备，该热集成蒸馏设备的能量效率和设计自由度都比普通的蒸馏塔高，并且其中所述设备的维护是简单的。所述热集成蒸馏设备包括：精馏塔(1)；被定位成高于精馏塔(1)的提馏塔(2)；用于允许提馏塔的顶部部分(2c)和精馏塔的底部部分(1a)之间连通的第一管道(23)；和压缩机(4)，所述压缩机压缩来自提馏塔的顶部部分(2c)的蒸汽并将压缩后的蒸汽供给到精馏塔的底部部分(1a)。所述热集成蒸馏设备还包括：位于精馏塔(1)的预定段处的热交换器(8)；液体提取单元(2d)，所述液体提取单元设置在提馏塔(2)的预定段处并被构造成将来自所述预定段的一些液体移除到提馏塔的外部；用于将来自液体提取单元(2d)的液体引入到热交换器(8)的第二管道(24)；和第三管道(25)，所述第三管道用于在从热交换器(8)流出的液体已经通过第二管道(24)被引入到热交换器(8)之后将所述流体引入到液体提取单元(2d)直接下方的段。
集成蒸馏设备

[发明专利]钴铈化合物、碱蓄电池和钴铈化合物的制造方法-CN201080030960.2有效
发明人：森下正典;挂谷忠司;落合诚二郎;中岛亚希;川部佳照;境哲男 -专利权人：株式会社杰士汤浅国际;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明提供作为导电助剂添加到正极活性物质中时具有高耐还原性并能够充分发挥作为导电助剂的功能的化合物。在包括通过使含钴离子和铈离子的水溶液的pH变化而使含钴和铈的氢氧化物在所述水溶液中析出后、对所述氢氧化物进行氧化处理的工序的钴铈化合物的制造方法中，在使所述氢氧化物析出前，关于含所述钴离子和所述铈离子的所述水溶液中所含的所述铈离子的比例，相对于所述钴离子和所述铈离子的总计，设定为比5原子％大且70原子％以下。
化合物蓄电池制造方法

[发明专利]酯化合物的制造方法-CN201080034088.9有效
发明人：川上广幸;富永健一;佐藤一彦 -专利权人：日立化成工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C07C67/347 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造酯化合物的有效的方法，该方法使用价廉的甲酸酯作为原料，在比传统方法的反应温度低的反应温度下，以良好的效率制造酯化合物。在含有钌化合物、钴化合物和卤化盐的催化剂体系的存在下，通过使分子内具有至少1个不饱和碳键的有机化合物和甲酸酯化合物反应，制造酯化合物。
酯化制造方法

[发明专利]纤维电极、纤维电池及其制造方法、纤维电极及纤维电池的制造设备-CN201080031768.5有效
发明人：堤香津雄;西村和也;高崎智昭;名小路昌辉;境哲男;齐藤诚;姚金翰;向井孝志 -专利权人：川崎重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明提供发挥纤维电极原本具有的优点、且由多根纤维同时有效率地制造出多根纤维电极的方法。本发明的纤维电极制造方法包括开纤纤维状物质的纤维束的工序（2、2a）、在开纤获得的各单纤维上形成正极活性物质覆膜或负极活性物质覆膜而获得纤维正极或纤维负极的工序（3、4、5）；和在上述纤维正极或纤维负极上形成隔离层覆膜的工序（6、6a）。
纤维电极电池及其制造方法设备

[发明专利]压电体薄膜的制造方法以及经该制造方法所制造的压电体薄膜-CN201080028605.1有效
发明人：秋山守人;加纳一彦;敕使河原明彦 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社电装
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。
压电薄膜制造方法以及

[发明专利]具备纤维电极的蓄电设备及其制造方法-CN201080031717.2无效
发明人：堤香津雄;西村和也;高崎智昭;名小路昌辉;境哲男;姚金翰;齐藤诚;向井孝志 -专利权人：川崎重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供使用纤维正极及纤维负极，以锂离子为嵌入物的高效率的蓄电设备、以及那样的蓄电设备的制造方法。本发明的蓄电设备具备在具有导电性的纤维表面形成含有由化学式1：(Li1－ｘAｘ)aMｂXｃOｄ表示的过渡金属氧化物的正极活性物质覆膜的纤维正极、具有导电性，含有负极活性物质的纤维构成的纤维负极、隔离层、和电解质；其中，化学式1中，A为选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种的碱金属；M为选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ta、W、Ce、Pr、Sm、Eu、Pb中的至少一种的过渡金属；X为选自B、Al、Si、P、S、Ga、Ge中的至少一种的典型元素；其中0＜a≦6、1≦b≦5、0≦c≦4、0＜d≦12、0≦a/b≦4、0≦x≦0.5。
具备纤维电极设备及其制造方法

[发明专利]环氧化合物的制造方法和碳-碳双键的环氧化方法-CN201080031981.6无效
发明人：内匠清;笹川巨树;惠崎阳一郎;今喜裕;小野豊;佐藤一彦 -专利权人：荒川化学工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C07D301/12 文献下载
摘要：本发明提供环氧化合物的制造方法，其特征在于，对于具有碳-碳双键的有机化合物，在催化剂和中性无机盐的存在下，利用过氧化氢使该双键氧化，所述催化剂为钨化合物(a)、选自由磷酸类、膦酸类以及它们的盐组成的组中的至少一种磷化合物(b)和表面活性剂(c)的组合；并且提供环氧化方法，其特征在于，在上述催化剂和中性无机盐的存在下，利用过氧化氢使碳-碳双键氧化。
氧化制造方法双键

[发明专利]高比表面积的碳纳米管集合体的制造方法-CN201080026630.6无效
发明人：畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供在含有催化剂赋活物质的高碳环境下连续稳定地制造高比表面积的CNT集合体的方法，具体而言，包括：将基材上的催化剂还原、和/或微粒化的形成工序；和生长工序，使含有碳并且不含有氧的原料气体、和含有氧的催化剂赋活物质与在所述催化剂和/或催化剂微粒接触，并且进行加热，使碳纳米管生长，在所述生长工序中使用的所述原料气体中含有的碳原子个数浓度与所述催化剂赋活物质中含有的氧原子个数浓度之比为0.5以上且200以下。
表面积纳米集合体制造方法

[发明专利]传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法-CN201080022788.6有效
发明人：秦雅彦;高田朋幸;山中贞则;板谷太郎 -专利权人：住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。
传感器半导体制造方法

[发明专利]半导体基板、光电转换器件、半导体基板的制造方法和光电转换器件的制造方法-CN201080023680.9有效
发明人：秦雅彦;板谷太郎 -专利权人：住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。
半导体光电转换器件制造方法

[发明专利]支原体感染症用疫苗-CN201080023429.2有效
发明人：松田和洋;市山浩二;松田幸枝;佐佐木裕子;荒川宜亲;原泽亮;西田芳弘;片山宜郎;远藤康男;野村信夫 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;国立感染症研究所;医学生物技术株式会社
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： A61K39/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供对于支原体感染治疗效果好且安全的疫苗以及开发支原体感染的有效治疗方法，并且，本发明的目的是提供支原体样粒子以及包含常见细菌的细菌样粒子作为有效的支原体感染症用疫苗。本发明中，通过含有支原体等病原性细菌特异性脂质抗原作为构成脂质体脂质成分的脂质体粒子，可提供支原体样粒子等的细菌样粒子。通过给予所述支原体样粒子，在活体内能诱导强的免疫活性，可提供支原体感染预防用或治疗用的优异疫苗。
支原体感染疫苗

[发明专利]电子器件用防湿膜-CN201080022847.X无效
发明人：蛯名武雄;手岛畅彦;石井亮;南炫贞;铃木麻实;水上富士夫 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C01B33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种使改性粘土结晶取向、使其致密地层叠而成的具有可以用作自支撑膜的机械强度的电子器件用防湿膜，所述防湿膜的构成为，由改性粘土和添加物构成，具有水蒸气阻隔性，水蒸气透过度低于0.2g/m2/天(40℃相对湿度90％)，改性粘土为使粘土进行甲硅烷基化反应而成的，添加物为聚酰胺或聚酰亚胺，改性粘土的交换性离子的至少90摩尔％以上为锂离子，所述防湿膜是全部满足耐候性、气体阻隔性、水蒸气阻隔性、柔软性、耐热性、电绝缘性以及耐水性的主要条件的新型材料。
电子器件防湿

[发明专利]精炼的金属或准金属的制造方法-CN201080023062.4无效
发明人：三枝邦夫;小山和也;大石哲雄 -专利权人：住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C25C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及精炼的金属或准金属的制造方法，该方法具备以下工序：电解工序，在设置于电解池内的电解浴中，以含有金属元素或准金属元素以及杂质的材料作为阳极；以含有与阳极中所含的金属元素或准金属元素同种的金属元素或准金属元素、和实质上不与金属元素或准金属元素形成固溶体的溶剂金属，并具有比金属元素或准金属元素的熔点低的完全凝固温度的合金作为阴极发挥作用，在合金可形成液相的电解温度下进行电解，由此使阳极中的金属元素或准金属元素向阴极的合金中移动；取出工序，然后将阴极的合金的一部分或全部取出到电解池外；析出工序，在比完全凝固温度高且比电解温度低的温度下，将取出的合金冷却，由此使合金中所含的金属元素或准金属元素析出；和回收工序，从冷却的合金中回收析出的金属元素或准金属元素。
精炼金属制造方法