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[实用新型]一种制备超长晶体的组合式坩埚及生长炉-CN202121892235.8有效
发明人：徐悟生;朱逢锐;周方;彭明林;牛沈军;刘畅;熊加丽 -专利权人：河南微米光学科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备超长晶体的组合式坩埚，包括坩埚主体，所述坩埚主体顶部叠加设置有料仓套，所述料仓套顶部设置有坩埚盖，所述坩埚主体内腔与料仓套内壁配合形成生长仓，所述生长仓内从下至上层叠设置有底模具和延长模具，所述底模具上开设有生长槽，所述延长模具上开设有与生长槽匹配的延长生长孔，所述延长模具与坩埚盖之间的料仓套内设置有原料腔；还提供一种采用上述坩埚的生长炉。本实用新型拆装便捷，生长品质高，且能够降低使用成本。
一种制备超长晶体组合式坩埚生长

[实用新型]一种用于锗单晶定形尺寸生长的装置及生长炉-CN202122363610.6有效
发明人： 牛沈军;彭明林;周方;韩世昌;刘雪松;朱逢锐;徐悟生 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于锗单晶定形尺寸生长的装置，包括定型模具，所述定型模具上设置有台阶通孔，所述台阶通孔的小端设置在定型模具的下部，且小端内壁设置为仿形面，所述定型模具上部的外表面上设置有固定边，所述固定边设置在导流筒底部；还提供一种生长炉，采用上述的模具。本实用新型能够制备无需掏棒的原生晶体，损耗小、品质高。
一种用于锗单晶定形尺寸生长装置

[实用新型]一种用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置及生长炉-CN202122184503.7有效
发明人： 牛沈军;彭明林;周方;刘雪松;徐悟生 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，包括坩埚以及设置在坩埚上方的过滤盘，所述坩埚设置在旋转升降装置上，所述旋转升降装置带动坩埚朝向或者远离过滤盘移动，所述过滤盘固定设置在导流筒上，所述导流筒吊装设置在温场内，所述过滤盘底部上开设有多个过液孔；还公开一种生长炉，采用上述的生长装置。本实用新型能够保证晶体生长区域内无浮碴，从而保障晶体生长过程的顺利进行。
一种用于排除锗单晶直拉生长装置

[发明专利]一种成型蓝宝石晶体的生长方法及设备-CN201210037678.8有效
发明人：维塔利·塔塔琴科;刘一凡;帕维尔·斯万诺夫;李东振;王东海;陈文渊;朱枝勇;牛沈军 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种成型蓝宝石晶体的生长方法及设备，所述设备包括晶体生长炉、加热器、坩埚、内坩埚、称重系统；坩埚内设置所述内坩埚，内坩埚上部有一根细管，起到毛细管的作用，用以获得一个高于自由液面的小界面，以便于引晶；内坩埚放在蓝宝石料上，保证内坩埚上的细管和籽晶的同轴度；细管处为冷心的位置，随着温度的下降，晶体开始生长；由称重系统精确控制晶体生长的速率，待内坩埚下的熔体几乎全部结晶后，提拉结晶体，内坩埚上部的熔体下降到坩埚底部，继续结晶。本发明可制得近圆柱状的蓝宝石晶体，生长出的晶体质量优异、应力小、位错密度低、晶体完整性和光学均匀性好，可以提高蓝宝石材料的利用率、简化加工程序、易于产业化。
一种成型蓝宝石晶体生长方法设备

[发明专利]一种易于加工的夹层结构单晶蓝宝石防弹玻璃及加工方法-CN201410304514.6有效
发明人：邱一豇;马远;牛沈军;吴勇;周健杰;薛卫明 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于加工的夹层结构单晶蓝宝石防弹玻璃及加工方法，该防弹玻璃由多层结构组成，包括至少一层蓝宝石层以及包覆于蓝宝石层外的透光层A和透光层B，透光层A或者透光层B与蓝宝石层的一面组成一个夹层结构，该夹层结构中间设置有折射率与蓝宝石层接近的有机填充层；所述蓝宝石层为高温氧化铝溶液通过定向凝固生长形成的单晶板材，且与透光层A和/或透光层B组成夹层结构的蓝宝石层的一面未经抛光处理。本发明所提的一种易于加工的蓝宝石防弹玻璃，在降低制作成本的同时，规避了困难的蓝宝石磨抛，同时拥有良好的抗弹能力。
一种易于加工夹层结构蓝宝石防弹玻璃方法

[实用新型]一种蓝宝石晶体导模法生长装置-CN201420593049.8有效
发明人：帕维尔·斯万诺夫;马远;薛卫明;吴勇;牛沈军;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蓝宝石晶体导模法生长装置，包括晶体生长炉，炉内具有一用于装氧化铝溶液的外坩埚、一置于外坩埚口上方并与外坩埚口配合的吊盘以及一倒置于外坩埚内的内坩埚；所述内坩埚的坩埚底设置有向内坩埚吹入排液气体的通气管，并通过该通气管使内坩埚固定在吊盘的下方，所述通气管与炉外部供气系统连接，并由上至下依次穿过保温碳毯层、吊盘和内坩埚的坩埚底。本实用新型的优点在于：本实用新型能够实现长晶过程中保持坩埚内熔体液面高度，且系统不会被堵塞且无振动，同时有效增加Mo/W等金属热场使用寿命，简化装料过程，同时因模具上沿远离熔体，不易变形，也可延长模具使用寿命，降低长晶成本。
一种蓝宝石晶体导模法生长装置

[发明专利]一种蓝宝石晶体导模法生长装置及生长方法-CN201410541528.X有效
发明人：薛卫明;马远;帕维尔.斯万诺夫;吴勇;牛沈军;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石晶体导模法生长装置及生长方法，所述蓝宝石晶体导模法生长装置，包括晶体生长炉，炉内具有一用于装氧化铝溶液的外坩埚、一置于外坩埚口上方并与外坩埚口配合的吊盘以及一倒置于外坩埚内的内坩埚；使用上述蓝宝石晶体导模法生长装置生长蓝宝石晶体的生长方法，利用通气管向倒置内坩埚内注入混合性排液气体，同时在热场内通入混合性保护性气体。本发明的优点在于：本发明能够实现长晶过程中保持坩埚内熔体液面高度，且系统不会被堵塞且无振动，同时有效增加Mo/W等金属热场使用寿命，简化装料过程，同时因模具上沿远离熔体，不易变形，也可延长模具使用寿命，降低长晶成本。
一种蓝宝石晶体导模法生长装置方法

[实用新型]一种用于蓝宝石晶体导膜法生长的模具吊装装置-CN201420210490.3有效
发明人：薛卫明;邱一豇;吴勇;马远;牛沈军 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于蓝宝石晶体导膜法生长的模具吊装装置，包括模具、安放模具的坩埚、坩埚盖及支撑埚坩底部的支座，其特征在于：该装置还包括若干可带动坩埚盖上下移动的吊杆，该吊杆底端穿过坩埚盖，并在坩埚盖下端的吊杆体上设置有支撑坩埚盖销钉；所述模具与坩埚盖之间以螺纹方式连接，模具与坩埚盖上表面之间放置一层保温碳毡。本实用新型的优点在于：能够实现模具、坩埚盖及坩埚三者之间的随意拆装，且能简化装料过程，同时因模具上沿远离熔体，不易变形，也可延长模具使用寿命，降低长晶成本。
一种用于蓝宝石晶体导膜法生长模具吊装装置

[实用新型]一种导模法棒状蓝宝石晶体的生长设备-CN201420284269.2有效
发明人：薛卫明;马远;邱一豇;牛沈军;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种导模法棒状蓝宝石晶体的生长设备，用于晶体生长的热场，该热场设置有模具、坩埚、加热器及抽真空装置；所述模具的中央具有毛细缝，该模具放置在所述坩埚中，该坩埚的下方具有一支撑该坩埚的坩埚架，所述坩埚通过坩埚架放置在所述热场的底部；所述加热器由置于热场外的高频感应线圈及置于热场内坩埚周围的发热管组成，通过高频感应线圈感应加热使发热管发热；所述热场由保温桶、上保温盖及下保温盖组成，所述上保温盖中心设置有籽晶杆；所述保温桶周围还具有若干气体导流通道，所述气体导流通道的出气口正对模具的上端面处，所述气体导流通道的进气口与输气软管相连，该输气软管上配备有流量调节阀。本实用新型的优点在于：采用该设备，通过控制导流通道内气体的流速，使晶体生长的形状得到了控制，因此生长过程中，可克服外界扰动对晶体形状的影响；另外还可以用于生长特定形状的晶体。
一种导模法棒状蓝宝石晶体生长设备

[发明专利]一种棒状蓝宝石晶体生长设备及其生长方法-CN201410329589.X有效
发明人：薛卫明;维塔利-塔塔琴科;吴勇;周健杰;牛沈军;马远 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种棒状蓝宝石晶体生长设备，还涉及一种采用该棒状蓝宝石晶体生长设备的实现棒状蓝宝石晶体生长的生长方法，包括模具、坩埚、晶体生长炉、主加热器及抽真空装置，所述模具置于坩埚中，坩埚置于晶体生长炉中，主加热器用以对晶体生长炉加热；所述模具为旋转对称表面模具，其侧表面为旋转几何表面，顶部端面为凹形表面，该凹形表面由三个相互交叉的斜平面组成，且所述三个斜平面的交点位于旋转几何表面的旋转对称轴上；所述模具内部设有与旋转几何表面的旋转对称轴相平行的一条或以上的贯通的毛细通道，其底部留有液体流向毛细通道的缝隙。本发明的优点在于：提出的棒状蓝宝石晶体的生长方法及设备，可制得棒状的蓝宝石晶体，有效提高蓝宝石晶体制备效率，利用该方法生长的晶体，经过定型加工，可作为衬底用于LED器件制造。
一种蓝宝石晶体生长设备及其生长方法

[发明专利]一种易于加工的单晶蓝宝石防弹玻璃及其加工方法-CN201410304299.X有效
发明人：薛卫明;马远;牛沈军;吴勇;周健杰;邱一豇 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于加工的单晶蓝宝石防弹玻璃及加工方法，该防弹玻璃包括至少四层结构，依次为折射率与蓝宝石接近的外层光学玻璃层、单晶蓝宝石层、折射率与蓝宝石接近的内层光学玻璃层以及透明有机材料层。所述的单晶蓝宝石层为高温熔液定向凝固形成的单晶板材，且单晶蓝宝石层表面未经任何加工或未经抛光处理。本发明所提的一种易于加工的蓝宝石防弹玻璃，在降低制作成本的同时，规避了困难的蓝宝石磨抛，同时拥有良好的抗弹能力。
一种易于加工蓝宝石防弹玻璃及其方法

[发明专利]一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法-CN201410235225.5在审
发明人：薛卫明;马远;邱一豇;牛沈军;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法，晶体生长时在热场内的模具的上端周围布置有气流引入通道，从气流引入通道流入的气体对模具上端进行对流散热，通过调节气体的流速来控制模具的散热强度来调节晶体固液界面处液膜的厚度，改变蓝宝石产品的尺寸和形状；所述蓝宝石的尺寸和形状是通过控制冲刷模具表面的气流流速来达到改变晶体直径的目的，当需要将生长的晶体直径加大时，可以增加流进气流通道的气流速度；当需要将生长的晶体直径减小时，可以减小流进气流通道的气流速度。本发明的优点在于：采用了气流冷却模具的方法，使晶体生长的形状得到了控制，因此生长过程中，可克服外界扰动对晶体形状的影响；另外还可以用于生长特定形状的晶体。
一种基于保护气氛控制棒蓝宝石晶体直径生长方法

[实用新型]石墨烯薄膜的制备设备-CN201320849069.2有效
发明人：颜士斌;马远;维塔利·塔塔琴科;宗志远;牛沈军 -专利权人：上海中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种石墨烯薄膜的制备设备，包括工作腔，工作腔设有碳源入口、残余气体出口；工作腔内设有衬底、筛选电场上极板、第一筛选电场电极、第二筛选电场电极、加速电场上极板、加速电场下极板、第一加速电场电极、第二加速电场电极、可移动加热板；第一、第二筛选电场电极分别与筛选电场上极板连接；第一、第二加速电场电极分别设置于残余气体出口的两侧，第一、第二加速电场电极分别与加速电场下极板连接；衬底放置于可移动加热板上，可移动加热板置于加速电场下极板上、加速电场上极板与加速电场下极板之间。本实用新型通过控制筛选电场，可有效地将碳离子与其他负离子分离，排除影响石墨烯质量的其他负离子的干扰。
石墨薄膜制备设备

[发明专利]石墨烯薄膜的制备方法及设备-CN201310711667.8有效
发明人：颜士斌;马远;维塔利·塔塔琴科;宗志远;牛沈军 -专利权人：上海中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种石墨烯薄膜的制备方法及设备，所述方法包括如下步骤：提供石墨烯生长衬底，将所述衬底置于加热机构加热形成的高温区域；在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选电场，衬底作为加速电场的正极；加热衬底、筛选电场区域和加速电场区域；通入含碳气体作为碳源，通过控制温度、气压和/或加热电源的频率将含碳气体电离成等离子体；等离子体中带负电离子在筛选电场的作用下被筛选，由于带电量的不同，碳离子被筛选出来，并在加速电场的作用下撞击衬底表面，从而实现石墨烯的生长。本发明通过控制筛选电场，可有效地将碳离子与其他负离子分离，排除影响石墨烯质量的其他负离子的干扰。
石墨薄膜制备方法设备

[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法-CN201310711760.9无效
发明人：颜士斌;马远;维塔利·塔塔琴科;宗志远;牛沈军 -专利权人：上海中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明揭示了一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：提供石墨烯生长衬底，将衬底置于加热形成的高温区域；在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选磁场，衬底作为加速电场的正极；加热衬底、筛选磁场区域和加速电场区域；通入含碳气体作为碳源，在通入筛选磁场区域之前将含碳气体电离成等离子体；等离子体以射流的形式进入筛选磁场区域，射流中带电离子根据带电荷量的不同在筛选磁场的作用下有不同运动半径；碳离子被筛选出来后进入到加速电场中，在加速电场的作用下加速到一定速度后撞击衬底表面，实现石墨烯的生长。本发明可大幅提高石墨烯的生产效率，通过连续生长得到高品质、大尺寸的单晶石墨烯。
一种石墨薄膜制备方法

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