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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135633.9无效
发明人：平濑顺司;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;濑部绍夫;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610132088.8无效
发明人：粉谷直树;濑部绍夫;冈崎玄;玉置德彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置及其制造方法。目的在于：提供可在不随特性变动的情况下，改善负偏置温度不稳定性(NBTI)的劣化的半导体装置。形成在n型半导体区域(101)的第一区域(阳极金属氧化物半导体)中的第一金属绝缘体半导体(MIS)型晶体管，包括第一栅极绝缘膜(103)、第一栅极电极(104)、第一延伸扩散层(106)和第一氟扩散层(108)。第一氟扩散层(108)形成在由第一延伸扩散层(106)夹着的沟道区域中，形成为从第一延伸扩散层(106)一侧延伸，在第一栅极电极(104)的正下方的区域重叠在一起。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610153413.9无效
发明人： 濑部绍夫;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;平濑顺司;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：通过在防止接触不良的同时，利用应力膜向沟道形成区域有效地施加应力，来谋求提高MISFET的驱动力。在形成在半导体衬底(1)上的MISFET的栅极电极部(20n)及(20p)的侧面上形成有绝缘性侧壁(9)。栅极电极部(20n)及(20p)的高度低于设置在各自的侧面上的侧壁(9)的上端。在MISFET上形成有覆盖栅极电极部(20n)及(20p)的、让应力产生在沟道形成区域的应力膜(13)。应力膜(13)中的形成在栅极电极部(20n)及(20p)上的部分的厚度厚于其它部分的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610141457.X无效
发明人：粉谷直树;冈崎玄;竹冈慎治;平濑顺司;濑部绍夫;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：能够降低被完全转化为硅化物的栅极的电容。半导体装置具备：元件分离区域(12)，其形成于半导体基板(11)；活性区域(11a)，其被该元件分离区域(12)包围且由半导体基板(11)构成；绝缘膜(13)，其形成在该活性区域(11a)上；及栅极(15)，其横跨在活性区域(11a)及邻接的元件分离区域(12)上而形成。栅极(15)具有：第一部分，其经由栅绝缘膜(13)设置在活性区域(11a)上；及第二部分，其设置在元件分离区域(12)上，且由硅区域及形成为覆盖该硅区域的硅化物区域构成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610093784.2无效
发明人：相田和彦;平濑顺司;濑部绍夫;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被全硅化物化的双栅极结构的半导体装置中，通过提高栅极电极的稳定性来提高半导体装置的可靠性。在形成成为N型MIS晶体管形成区域的栅极电极的NiSi膜(110A)的同时，形成成为P型MIS晶体管形成区域的栅极电极的Ni₃Si膜(110B)。将未反应的N型多结晶硅膜(103A)作为防止NiSi膜(110A)和Ni₃Si膜(110B)之间的相互扩散的导电性扩散防止区域残留在元件隔离区域(101)上即硅化物化防止膜(106)下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200610121312.3无效
发明人：竹冈慎治;濑部绍夫;平濑顺司;粉谷直树;冈崎玄;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种包含具有均一硅化物相的FUSI栅电极的半导体装置及其制造方法。在包含硅栅极(202)的基板整个面上堆积Ni膜(205)之后，通过CMP处理等除去硅栅极(202)的一部分，在硅栅极(202)的正上方剩余上表面平坦、膜厚均匀的Ni层(206)。接着，通过使其进行硅化物反应，能够形成具有均一硅化物相的栅电极(207)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610093872.2有效
发明人：平濑顺司;濑部绍夫;粉谷直树;冈崎玄;相田和彦;竹冈慎治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在使用了高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，在不使高介电常数栅极绝缘膜劣化的情况下，提高MISFET的特性。夹着高介电常数栅极绝缘膜4A在衬底1的活性区域上形成有栅极电极5。在栅极电极5的侧面形成有绝缘性侧壁7。高介电常数栅极绝缘膜4A从栅极电极5的下侧连续形成到侧壁7的下侧。高介电常数栅极绝缘膜4A中的侧壁7的下侧区域的厚度小于高介电常数栅极绝缘膜4A中的栅极电极5的下侧区域的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410001558.8无效
发明人：中冈弘明;濑部绍夫;山田隆顺 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。
半导体器件及其制造方法