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[发明专利]改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法-CN201710439212.3有效
发明人：王娜;李马惠;潘彦廷;王昱玺;陈怡婷;党晓亮;燕聪慧 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。
改善抑制激光器芯片及其制造方法

[发明专利]一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法-CN202210498033.8有效
发明人：李马惠;潘彦廷;穆瑶;师宇晨;张海超 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01S5/02345 文献下载
摘要：本发明公开了一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法，属于半导体光电发射技术领域，能够解决现有EML集成SOA激光器中各部分之间光窜扰引起的信号失真、无法实现更远距离传输的问题。所述激光器芯片包括：激光器光源；电吸收调制器，设置在激光器光源的出光侧；半导体光放大器，设置在电吸收调制器的出光侧；至少一个隔离组件，隔离组件设置在激光器光源与电吸收调制器之间，和/或，设置在电吸收调制器与半导体光放大器之间，用于隔绝激光器光源、电吸收调制器和半导体光放大器之间的光窜扰。本发明用于电吸收调制激光器芯片。
一种吸收调制激光器芯片及其制备方法

[发明专利]半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构-CN202110527032.7在审
发明人：曾圣伦;潘彦廷;许智伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构，其中该半导体掩模图案的修正方法包括下述步骤:首先，将半导体掩模图案中的一个待修正图案分隔成可彼此对称且可重合的多个对称子区块。然后，对多个对称子区块中的一者进行光学近似修正，以获得修正模板。根据修正模板对应多个对称子区块中的其它者产生至少一个修正模板副本。拼接修正模板和至少一个修正模板副本，以形成一个组合修正图案取代原来的待修正图案。
半导体图案修正方法及其结构

[发明专利]一种铝量子阱激光器及其制备方法-CN202110628970.6有效
发明人：张海超;穆瑶;师宇晨;李马惠;潘彦廷 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种铝量子阱激光器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。
一种量子激光器及其制备方法

[发明专利]通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法-CN202010682758.3有效
发明人： 潘彦廷;李马惠;陈发涛;曹凡;穆瑶 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法，集成元件包括基板，基板上依次设置有光电二极管有源层、光放大器有源层和模斑转换器结构层，模斑转换器结构层位于靠近集成元件的收光端面一侧，模斑转换器结构层的底面低于光放大器有源层的底面，光电二极管有源层和光放大器有源层上覆盖有第一包层，第一包层和模斑转换器结构层上覆盖有第二包层，第二包层上自下至上依次覆盖有接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层。本发明将斑驳转换器作为半导体光波导结构，提升耦光效率；采取边耦合的形式，将入射光引入集成探测器元件，简化了工艺流程，可实现50G PON以上系统接收端光探测器的国产化批量生产。
通讯用光放大器光电二极管探测器集成元件制备方法

[发明专利]一种10G抗反射激光器及其制备工艺-CN202010415177.3有效
发明人：董延;李马惠;潘彦廷 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司;华为技术有限公司;博创科技股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种10G抗反射激光器及其制备工艺，10G抗反射激光器包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有抗反射改善层；衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层。对接区域的光波导层厚度加厚以及光波导层对有源区端面的包覆，有效的提高了有源区光耦合至光波导层的耦光效率；并且出光端面的反射光在经过光波导的反向传输路径中，能有效衰减至不影响原激光器增益区域的谐振行为。
一种 10 反射激光器及其制备工艺

[发明专利]激光器芯片及制备方法-CN202110258344.2有效
发明人：师宇晨;潘彦廷;李马惠;穆瑶;董延;陈发涛;刘钿;曹凡;谷润妍 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底上形成有源层；于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In1‑xGaxP材料层；于所述电子阻挡层的表面形成外延结构。在不增加额外的制造成本下，通过在激光器芯片中的外延结构和有源层之间添加电子阻挡层的设计，相比较传统的有源外延结构，In1‑xGaxP材料层与外延结构中材料层的导带边不连续，从而形成电子势垒，阻挡在严苛的环境下（‑40℃~85℃）电子溢流出有源层，大量的电子聚集在有源层中，以使电子与空穴复合，实现增强激光器芯片的高温光功率，解决高温环境中激光器芯片高衰减，易于饱和的问题，满足客户的需求。
激光器芯片制备方法

[发明专利]激光器芯片及制备方法-CN202110258774.4有效
发明人：张海超;潘彦廷;李马惠;穆瑶;董延;陈发涛;刘钿;曹凡;谷润妍 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成有源层；于所述基底上形成包括由下至上依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层的叠层结构；于所述有源层上形成外延结构；其中，所述叠层结构位于所述有源层及所述外延结构相对的两侧。上述依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层形成的叠层结构作为掩埋阻挡层替换传统掩埋型结构中的PN结构，降低激光器芯片的结电容，从而提升激光器的高频带宽；除此之外，叠层结构在激光器芯片中形成窄电流注入通道，激光器芯片整体形成对称波导结构，相较于传统PN结掩埋结构的电流限制通道更小，有利于电流注入。
激光器芯片制备方法

[发明专利]一种通讯用超大功率激光器及其制备方法-CN202010456300.6有效
发明人：李马惠;穆瑶;曹凡;陈发涛;潘彦廷 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种通讯用超大功率激光器及其制备方法，激光器包括基板，所述基板上设置有高光子密度相移光栅结构层，高光子密度相移光栅结构层上方自下至上依次覆盖第二包层、有源层、第三包层和接触层，接触层上覆盖p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层；采用底部光栅结构及高光子密度相移光栅设计，来增加光子密度与光子分布均匀性以满足硅光子集成方案中激光器光功率70mW以上的超大光功率输出要求。
一种通讯超大功率激光器及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011461795.8有效
发明人： 潘彦廷;董延;刘钿;师宇晨 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件中的有源层包括沿堆叠方向设置的第一量子阱层和第二量子阱层，其中，第一量子阱层与第二量子阱层的波长差为15nm至30nm，第一量子阱层的数量为5层至9层，第二量子阱层的数量为3层至6层。通过设置第一量子阱层的数目、第二量子阱层的数目以及两者的波长差异，使得第一量子阱层结构可以改善高温环境下的半导体器件的操作带宽，第二量子阱层结构可以改善低温环境下的半导体器件的操作带宽，进而使得半导体器件操作在‑40℃到85℃环境温度中，无致冷条件下时，带宽能保证在18GHz以上，满足5G前传系统所需的25Gbps调制速率需求，进而可以避免光通信的高误码行为。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011461680.9有效
发明人： 潘彦廷;靳晨星;刘钿;师宇晨 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件中的有源层包括沿所述堆叠方向设置的第一量子阱层和第二量子阱层，其中，所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差为10nm至20nm，通过设置所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差异，使得所述有源层同时具备两类型量子阱，所形成整体的材料增益是由两组不同波长位置的材料增益所叠加，实现了单一半导体器件同时制作MWDM规范的2个通道半导体器件或是LWDM规范的4个通道半导体器件，有别于一般一片半导体器件只做一通道半导体器件的技术，有利于提升生产效率与良率，同时也因为外延结构设计保证的优势，避免工艺制作上的误差而影响产品性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011462300.3有效
发明人：董延;李马惠;潘彦廷;刘钿 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括第四衬底、第七限制层、第四有源层、第八限制层以及第四电子束缚层。第四衬底的表面设置有第七限制层、第四有源层以及第八限制层。第四电子束缚层设置于第八限制层远离第四有源层的表面。或者第四电子束缚层设置于第八限制层与第四有源层之间。其中，第四电子束缚层的禁带宽度大于第四有源层的禁带宽度。且第四电子束缚层的禁带宽度大于第八限制层的禁带宽度。通过第四电子束缚层可以有效的束缚电子的迁移，防止电子溢流现象，增大第四有源层内的电子与空穴的复合效率，进而提高在高温工作环境下的出光功率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]DFB半导体激光器芯片表面缺陷的人工智能检测方法及其装置-CN201911007689.X有效
发明人：刘拓;潘彦廷;侯宏泽;侯展璞 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了芯片表面缺陷检测技术领域的一种DFB半导体激光器芯片表面缺陷的人工智能检测方法及其装置，包括图像采集模块用于获取DFB激光芯片生产过程对激光芯片采集的图像信号；频谱转换模块用于将图像采集模块采集的图像信号转换成串行数据信号；DFB芯片表面缺陷识别模块用于对图像串行数据信号进行处理，提取图像串行数据信号的频谱特征；根据频谱特征进行芯片表面缺陷的识别，本发明将采集的图像信号转换成串行数据信号后，采用预设的五层卷积层与最大池化层交错对图像串行数据信号进行处理，提取图像串行数据信号的频谱特征后，根据频谱特征进行芯片表面缺陷的识别实现对DFB芯片产品外观进行检测，提高DFB芯片产品外观缺陷检测的准确性和效率。
dfb 半导体激光器芯片表面缺陷人工智能检测方法及其装置

[发明专利]一种25G抗反射激光器的制备工艺-CN202010415176.9在审
发明人：董延;李马惠;潘彦廷 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种25G抗反射激光器的制备工艺，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有抗反射层；衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层。本发明的制备工艺实现简单且不改变激光器本身原有的特性，通过使端面的光波导层与有源区层形成上下错位，使得光在沿原路返回时不会进入有源区，解决了输出端光反射对有源区造成的扰动问题，且在封装过程中不用再使用价格昂贵的光隔离器件，降低了封装的成本。
一种 25 反射激光器制备工艺

[实用新型]一种10G抗反射分布反馈式激光器-CN201920785079.1有效
发明人：董延;李马惠;潘彦廷;庄文杰;王良波;朱振斌;周桂林;杨毅;陈文君 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司;华为技术有限公司;博创科技股份有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种10G抗反射分布反馈式激光器，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有抗反射改善层；衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层。对接区域的光波导层厚度加厚，有效的提高了有源区光耦合至光波导层的耦光效率；并且出光端面的反射光在经过光波导的反向传输路径中，能有效衰减至不影响原激光器增益区域的谐振行为。
衍射光栅层包层基板刻蚀金属电极层光波导层抗反射层抗反射源区分布反馈式激光器抗反射镀膜层本实用新型基板下表面激光器增益加厚对接区域反向传输谐振行为一端设置依次设置有效衰减耦光效率出光端镀膜层反射光高反射光波导光耦合接触层生长覆盖

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