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[发明专利]铝钪合金靶材及采用大气高温扩散烧结成型制造方法-CN202110981254.6有效
发明人：王兴权;丁照崇;贾倩;曹晓萌;何金江;滕海涛;李勇军;张晓娜;冯昭伟;刘晓 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提出一种铝钪合金靶材大气高温扩散烧结成型制造方法，通过采用球形粉末原料，且对粉末粒度进行优化级配，从而提高混合粉末的初始松装密度，降低了粉末颗粒间隙体积；然后粉末装入封闭的弹性包套后抽真空超高压冷等静压成型，这样成型的铝钪素坯致密度可达到95％以上，相当于素坯表面形成一层无贯穿气孔的“包套皮”，素坯可以在大气氛烧结炉内进行高温扩散烧结，无需真空或惰性气体保护，大大降低了对设备性能需求，工艺简单，适合大尺寸、大批量生产。
合金采用大气高温扩散烧结成型制造方法

[实用新型]一种靶材喷砂装置-CN202223452562.9有效
发明人：王焕焕;万小勇;齐琦琦;滕海涛;张延宾;冯昭伟 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B24C9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材喷砂装置；其中靶材的内侧设有喷砂位置，上固定盖盖合底座以形成用于盛放靶材的腔体，上固定盖与底座之间设有内侧缝隙，内侧缝隙保证喷砂位置裸露，上固定盖与靶材之间设有第二密封橡胶圈和第三密封橡胶圈，靶材与底座之间设有第一密封橡胶圈、第四密封橡胶圈和第五密封橡胶圈。所述上固定盖与所述底座之间设有外侧缝隙，外侧缝隙位置处设有调整垫片；连接螺栓穿过上固定盖的第一安装孔和底座的第二安装孔，压紧在上固定盖的顶面上的螺帽与连接螺栓螺纹连接。本实用新型可反复多次使用，结构简单，易于操作，也直接避免了靶面的划伤，提高了靶材的外观质量。实现精准喷砂，有效保证喷砂区域形状与质量。
一种喷砂装置

[实用新型]一种可更换反光条的围挡装置-CN202222334710.0有效
发明人：姜万里;李长明;王赛;吴浩凯;苑超;滕海涛;周恒平 -专利权人：中建八局轨道交通建设有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：发明本实用新型公开了一种可更换反光条的围挡装置，包括围挡板，所述围挡板的侧壁处设置有装置板，所述装置板的侧壁上贯穿设置有连接装置，所述装置板内贯穿设置有两个替换槽，其中一个所述替换槽内设置有反光条，所述替换槽内相对的内壁上均固定连接有卡座，所述反光条的两端分别卡接在两个卡座内，另外的所述替换槽内相对的内壁上均贯穿设置有卡槽，两个所述卡槽内共同设置有保护罩，两个所述替换槽的槽口均设计在装置板的侧壁处，两个所述替换槽的槽口处分别设置有第一封闭装置与第二封闭装置，所述装置板的下端贯穿设置有定位装置。本实用新型结构设计合理，具有方便替换反光条与保护罩，可以反复利用的好处。
一种更换反光装置

[发明专利]一种高纯低氧硅粉及其制备方法-CN202110128735.2有效
发明人：李利利;丁照崇;张晓娜;曲鹏;曹晓萌;杜文路;贾倩;李勇军;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯低氧球形金属硅粉及其制备方法,所述制备方法以高纯硅块为原料，采用感应导热材料石墨作为外部导热层、不与硅反应材料(如氧化铝、氧化锆、氮化硼等)作为内部隔离层设计特种结构坩埚，采用真空气雾化法制备高纯低氧球形金属硅粉。本发明所制备的硅粉的粉末粒度为10‑50μm，纯度≥99.999％，氧含量≤400ppm，球形度90％以上，满足了特种高纯金属合金的使用要求。
一种高纯低氧及其制备方法

[发明专利]一种高纯低氧钨硅合金靶材的制备方法-CN202110295606.2有效
发明人：李利利;丁照崇;曲鹏;李勇军;曹晓萌;贾倩;滕海涛;张晓娜;杜文路 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯低氧钨硅合金靶材及其制备方法，所述制备方法以高纯度的钨粉和高纯度的硅粉为原料，通过在填充惰性气体的手套箱内进行粉末配料、混粉罐装粉、混合后粉末装包套的方式进行，保证粉末全过程不暴露于大气环境，获得高纯低氧混合粉末，然后采用热等静压烧结成型，制备了微观组织均匀、相对密度≥99％、纯度≥5N、氧含量≤400ppm的钨硅靶材。本发明的方法不仅可以制备钨硅合金靶材，还可以制备其他如钽硅靶、铝钪靶等易氧化材料的靶材。
一种高纯低氧合金制备方法

[发明专利]一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法-CN202211399556.3在审
发明人：何金江;贾倩;王兴权;丁照崇;滕海涛;罗俊锋;李勇军;曹书光 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于5N的W粉为原料，先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为80％～90％的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5～2mm厚度的范围内形成相对密度为95％～99％的致密化表层，心部密度及组织状态仍保持不变。最后将多道次小变形轧制后的钨靶坯进行无包套热等静压烧结致密化处理，处理后将表层0.5～2mm厚度的轧制态组织去除，获得致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤10μm，氧含量≤10ppm的高纯W靶坯。
一种高纯致密低氧钨靶材制备方法

[发明专利]高钪含量铝钪合金靶材的扩散焊接方法及制备的焊接组件-CN202110062328.6有效
发明人：贾倩;丁照崇;曹晓萌;李勇军;杜文路;李利利;曲鹏;熊晓东;庞欣;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高钪含量铝钪合金靶材扩散焊接的方法及制备的焊接组件。所述方法是指在高钪含量(Sc含量≧20at％)铝钪合金靶材表面喷涂Al合金或Cu合金背板，然后在300～400℃的温度下进行热处理，促进AlSc合金靶坯与背板间的扩散，最终获得焊接强度大于70MPa，焊合率大于98％，无裂纹的高Sc含量AlSc合金靶材扩散焊接组件。
含量合金扩散焊接方法制备组件

[发明专利]粉末中间层及利用其进行钨靶材热等静压扩散焊接方法-CN202110008313.1有效
发明人：贾倩;丁照崇;李勇军;曹晓萌;曲鹏;李利利;庞欣;熊晓东;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于钨靶材热等静压扩散焊接的粉末层，其由Ti、Al和Cu构成，各粉末质量占比为Ti粉末15％‑25％，Cu粉末15％‑25％，Al粉末50％‑70％。其中的Ti、Cu组分可起到过渡W靶材与Cu背板物性差异的作用；Al组分可起到释放热应力，减小钨靶材最终变形的作用，最终获得焊接强度大于150MPa，焊合率99.7％，W靶材表面变形1mm的焊接组件。
粉末中间层利用进行钨靶材热静压扩散焊接方法

[发明专利]一种制备高性能铁磁性靶材的方法-CN202011640847.8有效
发明人：罗俊锋;张巧霞;徐国进;张博厚;李勇军;庞欣;熊晓东;冯昭伟;滕海涛 -专利权人：有研科技集团有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：本发明公开了属于靶材制备技术领域的一种制备高性能铁磁性靶材的方法。该方法包括将铁磁性靶坯通过旋压使靶坯均匀变形的步骤。利用本发明方法制备的铁磁性金属靶材透磁率高、均匀性好。
一种制备性能铁磁性方法

[发明专利]一种长寿命溅射靶材及其制备方法-CN202211299706.3在审
发明人：何金江;王兴权;吕保国;丁照崇;贾倩;滕海涛;郭珊珊;户赫龙 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种长寿命溅射靶材及其制备方法，长寿命靶材包括一体成型的溅射层和强化层，靶材的正面是溅射层，靶材的背面是强化层，强化层位于溅射层的背面，强化层的硬度大于溅射层的硬度，强化层的厚度大于3mm，强化层的厚度不超过长寿命溅射靶材总厚度的1/2。制备方法包括锻造、轧制变形加工和再结晶退火处理、切削加工、固定安装、搅拌摩擦强塑性变形加工、精加工等。本发明公开的靶材不需要增加背板，避免了高成本和流程复杂的扩散焊接工艺；且工艺简单灵活，搅拌摩擦加工可以实现10mm甚至更大深度的强烈塑性变形强化，远高于表面强化技术，并且能够精准控制强化层的厚度和区域，工艺简单，成本低，制备的靶材较常规靶材寿命显著提升。
一种寿命溅射及其制备方法

[发明专利]一种从铂钨合金回收提纯铂的方法-CN202110082147.X有效
发明人：侯智超;陈斐;罗瑶;王鹏;宋瑶;关俊卿;贺昕;滕海涛;李勇军;吕保国 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C22B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从铂钨合金回收提纯铂的方法，包括将铂钨合金进行物理破碎分解后采用湿法工艺进行湿法浸出，对浸出渣进行物理烘干、球磨破碎，然后再次采用湿法工艺进行二次浸出，将两次浸出后过滤得到的浸出液合并后，还原，实现了铂钨合金的快速回收提纯，提高回收提纯率，获得了高纯海绵铂。
一种合金回收提纯方法

[发明专利]一种靶材与背板的高性能焊接方法-CN202110290361.4有效
发明人：徐国进;罗俊锋;朱孜毅;张巧霞;丁照崇;李勇军;滕海涛;庞欣;熊晓东;冯昭伟 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材与背板的高性能焊接方法，通过真空焊接技术，设计合理的焊接面排气花纹，克服常规焊接方法无法排除焊接面气体及焊料氧化膜混入的问题，对于高温焊接具有较大的优势，避免了高温焊接过程中焊料的氧化，同时，背板及靶材也得到保护，避免高温操作风险，操作简单，焊合率达到99％以上，局部最大未焊合率≤0.5％；本发明的焊接方法，克服了常规钎焊焊接方法焊接变形大问题，降低了靶材的焊接应力，焊接后靶材平面度≤0.5mm，通过后续调平技术，可保证靶材成品的厚度均匀性，提高靶材的性能；本发明的焊接方法，一炉可同时加工多块靶材，提高了生产效率，消除了焊接过程中人为因素的影响，可实现靶材焊接的批量化生产，稳定一致性高。
一种背板性能焊接方法

[发明专利]一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法-CN201911336274.7有效
发明人：贾倩;丁照崇;李勇军;庞欣;曲鹏;祁钰;曹晓萌;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法。所述W靶材，采用冷压的方式进行预成型，获得预成型W靶坯，预成型W靶坯的相对密度为60％～70％；然后将预成型的W靶坯进行热等静压烧结致密化，获得致密化W靶坯，所述致密化W靶坯的相对密度为93％～96％；最后将其进行无包套二次热等静压烧结致密化，制得的W靶材的致密度99％，平均晶粒尺寸20μm，成品率95％。所述W靶材易成型开裂的概率低，成品率高，工艺简单易操作，二次热等静压烧结致密化，可降低热等静压过程中的烧结温度，获得晶粒细小的钨靶材。
一种高密度晶粒成型制备方法

[发明专利]一种大尺寸靶材全自动包装机的核心组件及其使用方法-CN202210819215.0在审
发明人：宋泽鹏;郭力山;刘青山;赵鑫;蒋媛媛;张延宾;郭姗姗;万小勇;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B65B57/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸靶材全自动包装机的核心组件及其使用方法，该核心组件包括骨架、溜板小车、底部滑轨组件、左托叉和右托叉，底部滑轨组件、左托叉和右托叉分别安装在骨架上，溜板小车安装在底部滑轨组件上；溜板小车包括圆托、溜板小车骨架、滑台、伺服电机Ⅱ、升降架和伺服升降驱动组件，其中，圆托安装在升降架顶部；升降架安装在伺服升降驱动组件上；伺服升降驱动组件安装在溜板小车上；升降架的背部通过滑轨安装在溜板小车骨架上，溜板小车骨架安装在滑台上并左右移动以实现靶材的运送。本发明中的核心组件在整个机器中起到托运大尺寸靶材、套袋支撑作用，也可直接作为半自动包装机使用；使包装作业机械化降低人力成本，提高生产效率。
一种尺寸全自动装机核心组件及其使用方法

[发明专利]一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法-CN201911178951.7有效
发明人：曲鹏;丁照崇;李勇军;滕海涛;庞欣;张延宾;曹晓萌;李利利;冯昭伟;顾晓倩 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B22F9/26 文献下载
摘要：本发明公开了属于钨粉末冶金技术领域的一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸，得到钨酸浆液；(2)以氯化钯为催化剂，向步骤(1)所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉。利用本发明方法制备的高纯纳米钨粉，有利于高纯钨靶的致密化烧结成型，同时可以显著降低其烧结温度，从而获得组织细小均匀、晶粒取向随机的高纯钨靶材；所得高纯纳米钨粉可以满足半导体存储器行业的使用要求。
一种半导体存储器用高纯纳米制备方法

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