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[实用新型]一种玉石振动抛光机-CN202223535080.X有效
发明人： 温在宇;温在渊 -专利权人：襄阳易晟珠宝科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B31/073 文献下载
摘要：本实用新型涉及玉石加工技术领域，公开了一种玉石振动抛光机，包括振动皿，所述振动皿的底部固定连接有固定板，所述固定板的底部设置有支撑板，所述支撑板的下表面设置有振动弹簧，所述振动弹簧的底部固定连接有套座，所述套座的底部设置有振动板。本实用新型具有以下优点和效果：启动振动电机使其带动振动板进行振动，进而带动振动弹簧在支撑板的底部进行传动，由此便可带动固定板以及其顶部的振动皿进行振动，通过振动皿的持续振动时其内部的抛光砂与玉石块充分接触增加互动摩擦，从而可实现对批量玉石块的表面进行抛光，且通过螺柱贯穿至振动皿的内部将隔离柱固定在其内部，从而可对振动皿的内部的中心处增加间隔作用。
一种玉石振动抛光机

[发明专利]具有纳米线的半导体结构-CN202010589907.1有效
发明人：陈俊仁;蔡滨祥;温在宇;林钰书;杨进盛 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有纳米线的半导体结构，包括：衬底；第一纳米线设置在基底上；第二纳米线设置在基底上；第一接触垫设置在第一纳米线的第一端与第二纳米线的第一端；第二接触垫设置在第一纳米线的第二端与第二纳米线的第二端，其中第一接触垫、第二接触垫的材质与第一纳米线、该第二纳米线的材质不同；以及栅极结构包围第一纳米线的部分与第二纳米线的部分。
具有纳米半导体结构

[实用新型]一种圆锯-CN202223568631.2有效
发明人： 温在宇;温在渊 -专利权人：襄阳易晟珠宝科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B28D1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及玉石加工技术领域，公开了一种圆锯，包括加工台，所述加工台的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板的一侧面固定连接有支撑筒，所述支撑筒的内壁转动连接有驱动轴，所述驱动轴的一端固定连接有切割锯片，所述支撑板的一端固定连接有调节臂。本实用新型具有以下优点和效果：将立体柱型玉石半成品底座放在切割锯片处，可将玉石半成品底座上多余玉石料进行切断，阻挡粉尘飞溅的同时，不影响工作人员观察切割的状态，当切割环境的光线较差时，工作人员启动灯泡，并拉动灯罩，通过调节臂调节光线的照射方向，从而避免因为光线不足导致切割时出现偏差，利于将立体柱型玉石半成品底座上的多余玉石料切断干净，便于玉石的加工。
一种圆锯

[发明专利]一种玉石自动立体圆雕机-CN202310242397.4在审
发明人： 温在宇;温在渊 -专利权人：襄阳易晟珠宝科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B44B3/04 文献下载
摘要：发明涉及玉石加工设备技术领域，特别涉及一种玉石自动立体圆雕机，包括机体，所述机体内设有用于对玉石进行雕刻加工的工作室，所述工作室内设有用于对玉石进行固定的固定装置，所述固定装置包括可沿X轴方向做往复运动的工作平台、设置于所述工作平台上的用于夹持玉石的卡盘和对玉石起到辅助固定作用的顶尖，所述工作室内还设有用于在玉石加工过程中进行同步辅助支撑的辅助支撑机构，所述辅助支撑机构包括与工作平台上平行于卡盘轴线方向的滑轨滑动配合的支撑本体，所述支撑本体上设有用于玉石进行夹持支撑的旋转夹持部，加工时稳定性好、加工的质量好、成品率高。
一种玉石自动立体圆雕

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110804722.2在审
发明人：刘仕佑;陈士程;张家玮;郭家铭;温在宇;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一鳍片，从一基底突出并沿第一方向延伸；一栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸；一密封层，位于所述栅极结构的侧壁上；一第一碳峰值浓度，位于所述密封层中；一第一间隙壁层，位于所述密封层上；一第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及一第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202011293784.3在审
发明人：刘仕佑;谢明修;黃子萱;温在宇;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，包括一P型元件区以及一N型元件区，其中该P型元件区包括锗掺杂。一第一栅极介电层位于该P型元件区上。一第二栅极介电层位于该N型元件区上。该第一栅极介电层与该第二栅极介电层是通过相同氧化制作工艺同时形成，且该第一栅极介电层包括氮掺杂，该第二栅极介电层不包括该氮掺杂。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]用于关联相关数字资产的系统-CN201680018017.7有效
发明人：帕特里克·施塔尔贝格;乌梅什·山卡尔;罗伯特·威尔逊·里德;温在宇;彼得·威廉姆斯;约瑟夫·博诺 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G06F16/28 文献下载
摘要：用于关联数字资产的关联系统可以包括处理设备；与所述处理设备通信的第一计算机可读存储介质部分，所述第一计算机可读存储介质部分包括关于数字资产集合和所述集合中的所述数字资产之间的关联的声明的关联数据库；以及与所述电子设备通信的第二计算机可读存储介质部分。所述第二计算机可读存储介质部分可以包括一个或多个编程指令，所述编程指令在被执行时使得所述处理设备：接收包括定义在委托数字资产和接收数字资产之间的关联的声明的电子数据，验证所述声明是否可靠，以及响应于验证所述声明是可靠的：向所述关联数据库添加条目，以及在所述条目中存储所述委托数字资产准予所述接收数字资产所述一个或多个特性的指示。
用于关联相关数字资产系统

[发明专利]形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构-CN201510219132.8有效
发明人：陈俊仁;蔡滨祥;温在宇;林钰书;杨进盛 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构，具体地说，本发明所提供的形成纳米线的方法，首先先形成半导体鳍状结构具有交替的鳍以及浅沟槽隔离。接着移除鳍的顶面部以形成鳍凹部，并在鳍凹部中沉积锗基半导体以形成锗基插塞。后续，移除部分的浅沟槽隔离以暴露出锗基插塞的侧面，随即进行退火制程即可形成具有高载流子迁移率的纳米线结构。通过对锗基插塞选择性的氧化或沉积制程，本发明的纳米线结构还可以具有不同尺寸。此外，不同尺寸的纳米线也可通过形成不同宽度的鳍，或是不同宽度的鳍凹部来达成。
形成具有纳米半导体结构方法

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