专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片电容器及芯片电容器的制造方法-CN201911100351.9有效
  • 渡边敬吏 - 罗姆股份有限公司
  • 2019-11-12 - 2021-10-22 - H01G4/012
  • 本发明提供一种能够提高制造效率且能够降低成本的芯片电容器及其制造方法。本发明提供一种芯片电容器(1),其包含:第1电容器单元(20),形成在衬底(2)上,且包含第1下部电极(17)、第1介电层(18)及第1上部电极(19);第2绝缘层(26),形成在第1电容器单元(20)上;第2导电层,形成在第2绝缘层(26)上,且包含第1配线部(37)及第2配线部(38),该第1配线部(37)经由第1接触孔(33)与第1下部电极(17)连接,且经由第3接触孔(35)与第1焊盘部(13)连接,该第2配线部(38)经由第2接触孔(34)与第1上部电极(19)连接,且经由第4接触孔(36)与第2焊盘部(14)连接;第1外部电极(7),与第1配线部(37)连接;以及第2外部电极(8),与第2配线部(38)连接。
  • 芯片电容器制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202010442434.2在审
  • 渡边敬吏 - 罗姆股份有限公司
  • 2020-05-22 - 2021-03-30 - H01L29/866
  • 本发明提供一种能够实现优异的电学特性的半导体装置。本发明提供一种二极管芯片(1)(半导体装置),包含:半导体芯片(10),包含p型的第1半导体层(14)、及形成在第1半导体层(14)之上的n型的第2半导体层(15);第1焊垫分离沟槽(277),以贯通第2半导体层(15),到达第1半导体层(14)的方式,形成在半导体芯片(10),通过将半导体芯片(10)的一部分与其他区域加以区隔,而在第1半导体层(14)与第2半导体层(15)之间形成第1内部寄生电容(C1);中间绝缘层(91),被覆第2半导体层(15);及第1电极层(101),隔着中间绝缘层(91)对向于通过第1焊垫分离沟槽(277)而区隔出的区域,在与半导体芯片(10)之间形成串联连接于第1内部寄生电容(C1)的第1外部寄生电容(CO1)。
  • 半导体装置
  • [发明专利]二极管芯片-CN202010442475.1在审
  • 渡边敬吏;山上顺也 - 罗姆股份有限公司
  • 2020-05-22 - 2021-03-30 - H01L29/866
  • 本发明提供一种能够实现优异的电特性的二极管芯片。本发明提供一种二极管芯片(1),包含:半导体芯片(10),具有第1主面(11);第1pin结部(31),在第1极性方向上形成在第1主面(11)的表层部;第1二极管对(37)(整流器对),包含与第1pin结部(31)隔开且在第1极性方向上形成在半导体芯片(10)内部的第1pn结部(35)、及以反向连接于第1pn结部(35)的方式在第2极性方向上形成在第1主面(11)的表层部的第1反向pin结部(38);以及第1接合分离沟槽(46),以将第1pin结部(31)与第1二极管对(37)划分开的方式形成在第1主面(11)。
  • 二极管芯片

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