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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁场检测装置和磁场检测方法-CN202010092234.9有效
发明人：牧野健三;清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明的磁场检测装置具备：磁检测元件，具有沿着第一方向的灵敏度轴；调制部，可以对磁检测元件施加自旋转矩，自旋转矩具有在包括第一方向和与第一方向正交的第二方向的面内作用的旋转力且以第一频率振动；以及解调部，对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调，并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。
磁场检测装置方法

[发明专利]磁场检测装置和磁场检测方法-CN201911256942.5有效
发明人： 清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁场检测装置具备：磁检测元件，具有沿着第一方向的灵敏度轴；调制线圈，可以对磁检测元件施加第一频率的交流磁场，第一频率的交流磁场包括与第一方向正交的第二方向的分量；以及解调部，对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调，并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。
磁场检测装置方法

[发明专利]在硬盘介质记录信息的热辅助磁记录方法-CN201210070755.X有效
发明人：岛泽幸司;水野友人;清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：热辅助磁记录方法包括第1步骤和第2步骤。在第1步骤中，将热施加至硬盘介质的一部分，在硬盘介质的磁记录层形成移动的高温区域。高温区域是温度与其周围相比较高、且为磁记录层的多个磁性粒子的顽磁力消失温度的最大值以上的温度的区域。高温区域的移动方向上的与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子具有除0以外的值的顽磁力。在第2步骤中，将记录磁场施加至硬盘介质，使得施加至与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子的记录磁场的大小为3kOe以下。
硬盘介质记录信息辅助方法

[发明专利]润滑膜形成方法、具备润滑膜的滑动体、磁记录介质、磁头滑块和硬盘驱动器-CN200710104888.3有效
发明人：富元诚;村越龙太;苏立志;清野浩 -专利权人： TDK株式会社;新科实业有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G11B5/725 文献下载
摘要：本发明提供一种润滑膜形成方法，其具备对涂布在基材(10)的表面上的具有OH基的润滑剂(21)照射激发OH基的OH键的振动的红外激光的工序。由此，通过红外激光的照射来激发润滑剂的OH基的OH键的振动。因此，润滑剂的OH基与基材的表面的反应性得到提高，使润滑剂容易地化学结合在基材的表面上，润滑剂的耐久性得到提高。
润滑形成方法具备滑动记录介质磁头硬盘驱动器

[发明专利]复合薄膜磁头、磁头组件和磁盘驱动装置-CN200610080345.8有效
发明人：加加美健朗;清野浩;平林启;小俣英一;矢里晴司;坂本孝光 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。
复合薄膜磁头组件磁盘驱动装置

[发明专利]低阻抗隧道磁阻效应元件及其制造和测试方法及测试设备-CN200610072053.X有效
发明人：猿木俊司;稻毛健治;桑岛哲哉;清野浩;田上胜通;福田一正;河野雅秀 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(n_S1^－1－n_S2^－1)^－1·(μ₀－μ)·(nμ)^－1＜0.2，其中n_S1和n_S2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ₀是电子在未被捕获时的迁移率。
阻抗隧道磁阻效应元件及其制造测试方法设备

[发明专利]具有调节磁隙用加热部件的薄膜磁头以及磁隙控制方法-CN200510114156.3无效
发明人： 清野浩;栗原克树 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-10-26 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：为了恰当地解决开始写入期间写入操作存在的缺失，提供一种薄膜磁头，在这种磁头中，可以将加热部件产生的热量引起的写入磁头部件伸出响应调节到与写入线圈层产生的热量引起的伸出响应相同。该磁头包括：至少一个包含磁极层的写入磁头部件；至少一个第一加热部件，该部件产生热量，从而使该至少一个写入磁头部件热膨胀，该至少一个第一加热部件与该磁极层接触。
具有调节磁隙用加热部件薄膜磁头以及控制方法

[发明专利]用来测试隧道磁阻效应元件的方法和装置-CN200510067701.8无效
发明人：猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11B5/455 文献下载
摘要：一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
用来测试隧道磁阻效应元件方法装置

[发明专利]复合型薄膜磁头-CN200510059932.4有效
发明人： 清野浩;蜂须贺望;猿木俊司;笠原宽显 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。
复合型薄膜磁头

[发明专利]复合式薄膜磁头-CN200510058872.4无效
发明人： 清野浩;安德洋介;梅原刚;泽田佳和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供了一种复合式薄膜磁头，它包括：一个写头元件；一对用于写头元件的端接点；一对用于写头元件的引线导体，将写头元件与用于写头元件的端接点对电连接；一个读头元件；一对用于读头元件的端接点；和一对用于读头元件的引线导体，将读头元件与用于读头元件的端接点对电连接。用于写头元件的引线导体对和用于读头元件的引线导体对形成为通过仅有一个绝缘层而相互没有重叠部分的结构。
复合薄膜磁头

[发明专利]用于测试隧道磁电阻效应元件的方法和设备-CN200510054118.3无效
发明人：猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11B5/455 文献下载
摘要：一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。
用于测试隧道磁电效应元件方法设备

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