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[发明专利]受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法-CN202310837986.7在审
发明人：王超;刘朝峰;程俊义;郭建政 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法,该方法包括：获取与待预测件成分和组织类似的试样件进行恒温晶粒长大实验，获得实验后的晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采用所有实验晶粒尺寸数据拟合受饱和晶粒尺寸控制的晶粒长大方程的待定参数；利用有限元软件对待预测件的热处理过程进行模拟，将模拟得到的温度变化历史数据输入晶粒长大模型预测晶粒尺寸。该受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法，解决了传统晶粒生长模型中晶粒无限长大的问题，实现了热处理过程中晶粒生长的准确预测。
饱和晶粒尺寸控制合金生长预测方法

[发明专利]基于JmatPro软件的金属材料相图计算方法、装置、设备及介质-CN202310914990.9在审
发明人：李砚卿;尧健;王超;肖磊;郭建政 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于JmatPro软件的金属材料相图计算方法、装置、设备及介质，所述方法包括：生成金属材料的多种待计算方案作为高通量计算方案，其中，每种待计算方案对应一种合金，生成高通量计算方案对应的批处理文件，执行批处理文件得到所述高通量计算方案的计算结果，根据预先配置的筛选规则从计算结果筛选出目标计算结果。本申请可以实现JmatPro软件的高通量计算功能。
基于 jmatpro 软件金属材料相图计算方法装置设备介质

[发明专利]合金包覆热挤压几何模型的优化方法、装置、设备及介质-CN202310914107.6在审
发明人：李砚卿;何英杰;王超;马向东;郭建政 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种合金包覆热挤压几何模型的优化方法、装置、设备及介质，涉及合金材料加工技术领域。方法包括：获取初始合金包覆热挤压几何模型；采用有限元模拟的方式对初始合金包覆热挤压几何模型进行包覆热挤压工艺模拟，得到模拟产品几何模型，模拟产品几何模型包括产品部分以及缩尾部分；在模拟产品几何模型中对缩尾部分进行标记；将模拟产品几何模型回退至初始合金包覆热挤压几何模型，并获取标记后的缩尾部分在回退后对应的区域为预测缩尾区域；将合金锭区域的预测缩尾区域的至少部分区域调整为包套区域，得到优化合金包覆热挤压几何模型。本发明能够减少合金材料的使用，降低成本。
合金包覆热挤压几何模型优化方法装置设备介质

[发明专利]基于有限元塑性变形的网格重构方法、装置、设备及介质-CN202310842872.1在审
发明人：李砚卿;罗华栋;王超;郭建政;夏圣旭;张清冬;刘孝山;刘朝峰 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06T17/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于有限元塑性变形的网格重构方法、装置、设备及介质，所述方法包括：提取原始网格的轮廓信息，根据轮廓信息生成原始网格的重构网格，根据原始网格的节点的坐标信息，构建原始网格的多维二叉树，根据多维二叉树的信息，将原始网格对应节点的状态变量映射到重构网格节点上。本申请可以解决物体塑性变形仿真过程中几何非线性大变形所导致的网格畸变问题，提高模拟计算的精度。
基于有限元塑性变形网格方法装置设备介质

[实用新型]定向凝固设备及其冷却环-CN202223016556.9有效
发明人：马德新;赵运兴;魏剑辉;徐维台;徐福泽;李侣;邓阳丕 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司;深圳市万泽航空科技有限责任公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定向凝固设备及其冷却环，旨在提高冷却环的冷却效率。为此，本实用新型一方面提供的定向凝固设备冷却环，所述冷却环设置在定向凝固设备的冷室中，所述冷却环的内壁为接受模壳热辐射的热辐射吸收面，所述热辐射吸收面为波纹形或滚花花纹面。本申请通过将原来冷却环的光滑内表面改为波纹面，不仅增加了热辐射的接受面积，而且对于波纹形表面，被反射的热辐射不会回到模壳，而是继续在波纹面上反复反射，不断被吸收，热辐射吸收面的热辐射吸收能力得到大大提高，冷却环的冷却效率高。
定向凝固设备及其冷却

[实用新型]一种单晶叶片蜡模焊接工装-CN202223096345.0有效
发明人：张丹;马德新;魏剑辉;吴刚;徐述超 -专利权人：深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶叶片蜡模焊接工装，旨在实现叶片蜡模与螺旋选晶器蜡模的定位焊接，保证两者轴向的一致性。为此，本实用新型实施例提供的单晶叶片蜡模焊接工装，包括基座，所述基座上设有用于定位叶片蜡模的第一定位结构以及用于定位螺旋选晶器蜡模的第二定位结构，所述叶片蜡模和螺旋选晶器蜡模定位安装在所述基座上后，所述螺旋选晶器蜡模的螺旋选晶段与所述叶片蜡模的选晶器连接段对接，所述叶片蜡模的叶身轴向与所述螺旋选晶器蜡模的轴向平行。
一种叶片焊接工装

[发明专利]镍基单晶高温合金焊接用焊料及其应用、焊料产品和焊接方法-CN202310147788.8在审
发明人：魏利;肖磊;尧健;张建庭;崔金艳 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本申请涉及焊接技术领域，公开了一种镍基单晶高温合金焊接用焊料及其应用、焊料产品和焊接方法。本申请所述焊料包括Al：2.5％～3.5％，Cr：8.0％～14.0％，Co：6.0％～8.0％，Hf：0～0.2％，Re：0.5％～1.5％，Ta：6.0％～7.0％，W：3.0％～4.0％，C：0～0.07％，B：1.0％～2.0％，Si：0.5％～1.5％，余量为Ni。本申请所述焊料具有较高的润湿性能和固液相线温度，适用于高温环境服役的高强度接头焊接，保证镍基单晶高温合金在高温环境下服役焊缝中心不发生初熔或者熔化，并在TLP焊接后焊缝处成分和显微组织接近母材，提高焊接后的高温强度。
镍基单晶高温合金焊接焊料及其应用产品方法

[实用新型]一种籽晶与模壳装配结构-CN202223023394.1有效
发明人：马德新;赵运兴;魏剑辉;徐维台;徐福泽;李侣;邓阳丕 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司;深圳市万泽航空科技有限责任公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种籽晶与模壳装配结构，旨在有效解决金属液流入籽晶与模壳装配间隙中形成披缝，引起杂晶的问题。为此，本实用新型实施例提供的籽晶与模壳装配结构，包括籽晶和模壳，所述籽晶放置在激冷板上，所述籽晶的形状呈锥台形，所述模壳的底部形成有籽晶腔，所述籽晶匹配装在所述籽晶腔中，所述籽晶撑起所述模壳，使所述模壳不与所述激冷板接触。
一种籽晶装配结构

[实用新型]一种蜡模底盘-CN202223112559.2有效
发明人：张丹;马德新;魏剑辉;吴刚;徐述超 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜡模底盘，利用该蜡模底盘制备的陶瓷型壳底部能够与激冷盘紧密贴合。为此，本实用新型实施例提供的蜡模底盘，包括盘体，所述盘体的上端面上对应每一铸件蜡模安装位置处均设有凹腔，组模时，所述铸件蜡模通过蜡液粘结固定在对应的所述凹腔的底面上。
一种底盘

[发明专利]一种防止高温合金铸件制备过程中漏钢的方法-CN202211544870.6在审
发明人：张丹;马德新;魏剑辉;吴刚;徐述超;陆敏 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司;深圳市万泽航空科技有限责任公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止高温合金铸件制备过程中漏钢的方法，通过对蜡模底盘进行改进，在蜡模底盘的上端面上对应每一铸件蜡模起晶段安装位置处均设置一深度相同的凹腔，并将铸件蜡模起晶段通过蜡液粘结固定在对应的凹腔的平整内底面上，使得制备的陶瓷型壳的底盘底部形成相应的凸台，陶瓷型壳焙烧过程中型壳的重量全压在凸台上，凸台的底部变形小，而且当陶瓷型壳置于激冷盘上时，激冷盘与陶瓷型壳的接触由原来的大平面接触改为小平面接触，两者接触贴合更紧密，以此达到防止熔融态的高温合金液从陶瓷型壳底部与激冷盘间隙流出的目的。
一种防止高温合金铸件制备过程中漏钢方法

[实用新型]一种籽晶氧化膜移出结构-CN202223023230.9有效
发明人：李重行;马德新;魏剑辉;赵欢;张丹;赵运兴;徐维台 -专利权人：深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种籽晶氧化膜移出结构，旨在实现浇注时将籽晶顶部的氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长。为此，本实用新型实施例提供的籽晶氧化膜移出结构，包括模壳和籽晶，所述籽晶预埋在所述模壳的籽晶腔内，所述籽晶腔的侧部外延形成有移出通道，所述籽晶的顶端位于所述籽晶腔与所述移出通道连接位置处，所述籽晶顶部的氧化膜在浇注熔体的作用下被冲入至所述移出通道中。
一种籽晶氧化移出结构

[发明专利]一种多联单晶叶片及其制备方法-CN202211452515.6在审
发明人：张丹;马德新;魏剑辉;吴刚;徐述超 -专利权人： 深圳市万泽中南研究院有限公司;深圳市万泽航空科技有限责任公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多联单晶叶片及其制备方法，叶片试制阶段时，将多个叶片蜡模逐个进行定位拼装，通过对拼接缝中垫片厚度的调整，使得相邻叶片蜡模的间距满足设计要求，并通过在拼接缝中灌注蜡液将多个叶片蜡模连为一体，利用上述多联叶片蜡模制成模壳，对模壳进行浇注获得多联叶片铸件，对铸件进行尺寸检测，并确定相邻叶片的实际间距，叶片批量生产阶段，根据叶片实际间距与设计要求间距的差值，对垫片的厚度进行调整，垫片厚度的调整值和叶片实际间距与设计要求间距的差值相等，之后将多个叶片蜡模逐个进行定位拼装，在相邻叶片蜡模的拼接缝中垫有调整后的垫片，最后利用调整间距后的多联叶片蜡模制备得到间距符合设计要求的多联单晶叶片铸件。
一种多联单晶叶片及其制备方法

[发明专利]一种抑制单晶叶片再结晶的方法-CN202211417895.X在审
发明人：赵运兴;马德新;魏剑辉;徐维台;徐福泽;李侣;邓阳丕 -专利权人：深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B22D27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制单晶叶片再结晶的方法，该方法通过籽晶控制叶片的一次枝晶取向，使得叶片的一次晶向和叶身与缘板的转接处所受铸造应力方向保持一致，以此达到抑制叶片再结晶的目的。
一种抑制叶片再结晶方法

[发明专利]一种籽晶法制备单晶叶片的方法-CN202211421223.6在审
发明人：李重行;马德新;魏剑辉;赵欢;张丹;赵运兴;徐维台 -专利权人：深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶法制备单晶叶片的方法，包括蜡模制备、蜡模组树、模壳制备、装籽晶和预热保温以及浇注熔炼，通过在模壳上增设移出通道，浇注过程中，利用熔融金属液将籽晶顶部氧化膜压至移出通道中，将氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长，进而不会因氧化膜存在引起杂晶和条带晶缺陷；同时移出通道是朝外倾斜向上延伸后向下弯折与激冷底盘接触，移出通道内的晶粒不会长入籽晶腔中产生杂晶。
一种籽晶法制备单晶叶片方法

[发明专利]一种氧化硅基陶瓷型芯及其制备方法-CN202210921970.X有效
发明人：潘智平;任桂玉;郭建政 -专利权人：西北工业大学;深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化硅基陶瓷型芯及其制备方法，旨在提升陶瓷型芯的抗蠕变性能。为此，本发明一方面提供的氧化硅基陶瓷型芯的制备方法，包括将作为矿化剂的锆英粉与石英玻璃粉混合均匀，得粉料A；在熔化的增塑剂中加入经改性处理表面形成有氧化铝涂层的石英玻璃纤维，并混合均匀，得浆料B；将粉料A和浆料B混合均匀，得陶芯料浆；将配置好的陶芯料浆制成陶芯素坯，并烧结，得陶瓷型芯。
一种氧化陶瓷及其制备方法

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