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[发明专利]半导体器件-CN200710101226.0有效
发明人：筒井将史;海本博之;赤松香 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-15 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有MISFET的半导体器件，MISFET具备：有源区，其由半导体衬底构成；栅绝缘膜，其形成在上述有源区之上；栅电极，其形成在上述栅绝缘膜之上；源·漏区，其形成在位于上述半导体衬底中上述栅电极的两侧方的区域中；以及内部应力膜，其形成在上述源·漏区之上，在位于上述有源区中上述栅电极下方的沟道区中的栅长方向上产生应力，上述内部应力膜，未形成在上述栅电极的上面上。可提高电子或空穴的迁移率。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410076847.4有效
发明人：半田崇登;海本博之;上田哲也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备设在基板(10)上的下层层间绝缘膜(11)、由沿着下层层间绝缘膜(11)的下层布线槽(13)的壁面形成的下层阻挡金属层(14)以及铜膜(15)构成的下层布线(16)、上层插头(22a)以及上层布线(22b)。上层插头(22a)贯通硅氮化膜(24)和下层布线(16)的铜膜(15)接触。下层布线(16)中设有埋入下层布线槽(13)的凹部(13a)中的多个凸部(16a)。由于在凸部(16a)中下层布线(16)中的空隙也被吸气，因此能缓和下层布线(16)与上层插头(22a)接触的部分中空隙的集中，并且抑制接触电阻的增大。这样，能够抑制在布线和其上方的插头的接触部分中因布线中的空隙被集中性吸气而导致的接触电阻增大。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410057831.9有效
发明人：门胁匡志;海本博之;半田崇登 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供具备即使在缩短了栅长的情况下也能确保大的电容可变范围的可变电抗器的可变电抗器·CMOS器件混合装载的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有可变电抗器区(Va)和晶体管区(Tr)。在可变电抗器用的有效区中，在N阱区(12)中形成了掺了较高浓度的N型杂质而构成的衬底接触用扩散区(13a)，而没有形成以往的半导体器件的可变电抗器那样的延伸区(或LDD区)。另一方面，在晶体管区(Tr)中的P阱区(11)中的位于多晶硅栅电极(18)的两侧方的区域中形成了高浓度源·漏区(14a)和延伸区(14b)。确保了较宽的耗尽层的扩大范围，扩大了可变电抗器的电容可变范围。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410059271.0有效
发明人：筒井将史;海本博之;赤松香 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-15 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及具备高速工作的MISFET的半导体器件及其制造方法。半导体器件具备由在nMISFET的源·漏区(3a、4a)上形成的氮化硅膜构成的第1种内部应力膜(8a)和由在pMISFET的源·漏区(3b、4b)上形成的TEOS膜构成的第2种内部应力膜(8b)。利用第1种内部应力膜(8a)在nMISFET的沟道区中在电子的移动方向上产生拉伸应力，以提高电子的迁移率。利用第2种内部应力膜(8b)在pMISFET的沟道区中在空穴的移动方向上产生压缩应力，以提高空穴的迁移率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410046433.7无效
发明人：中冈弘明;中西贤太郎;海本博之;柁谷敦宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03147656.2无效
发明人：今出昌宏;海本博之;宫田里江 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置，设置着具有半导体基板(11)、源极区(16)、漏极区(17)、栅电极(19)的N型MISFET(12)，在半导体基板(11)上设置着覆盖N型MISFET(12)的第1层间绝缘膜(13)、第2层间绝缘膜(14)、第3层间绝缘膜(15)。在第1层间绝缘膜(13)上，介有第2层间绝缘膜(14)的一部分而平行设置着旨在将栅电极(19)与外部电连接的第2栅极布线(25)和旨在将漏极区与外部电连接的第1漏极布线(26)。从而可提供静电保护能力高的半导体装置及其制造方法。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200310100708.6无效
发明人：半田崇登;海本博之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种可以更精细化的半导体装置的制造方法。具有在硅基板(1)之中露出p型区域(2)的开口部并形成由BPSG膜等构成的硬掩膜(21a)。然后，通过进行采用乙醇气体的各向同性喷溅蚀刻将硬掩膜(21a)的角部变圆，形成具有锥体形状的注入硬掩膜(21)。通过将注入硬掩膜(21)作为掩膜进行N型杂质的倾斜离子注入，形成LDD结构的n^-层(13)。然后，除去注入硬掩膜(21)。由此，采用比以往的膜厚更薄的注入掩膜进行倾斜离子注入。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03160250.9无效
发明人：今出昌宏;海本博之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种可以降低由于结晶缺陷而引起的漏电流的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在半导体基板(11)的元件形成区域(Re)上设置的MISFET和包围元件形成区域(Re)侧面的沟槽元件分离部(13)，从沟槽元件分离部(13)的上方一直延伸到元件形成区域(Re)中沟槽元件分离部(13)相邻部分的上面，设置氧气通过抑制膜(23)。氧气通过抑制膜(23)由氧气难以穿过的氮化硅等构成。由此，半导体基板(11)的元件形成区域(Re)的上缘部就不容易被氧化，因而可以使该上缘部的体积膨胀得到抑制，降低应力。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03160246.0无效
发明人：今出昌宏;门胁匡志;海本博之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种起因于侧壁的应力小的半导体装置及其制造方法。基板(11)由作为元件形成区域的半导体层(12)和作为元件分离区域的STI(13)构成。在半导体(12)的上面设置栅极绝缘膜(15)，从栅极绝缘膜(15)的上面经过STI(13)设置栅电极。然后，在从半导体层(12)的上面接近STI(13)之中半导体层(12)的外缘的区域的上面设置侧壁，使之覆盖栅电极(14)的侧面。使用该侧壁(30)作为用于形成源·漏区域发挥作用的高浓度杂质扩散层(16)的离子注入掩模。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和电容测量方法-CN03138118.9无效
发明人：山下恭司;海本博之;小林睦;大谷一弘;国清辰也;永久克己 -专利权人：松下电器产业株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。
半导体装置电容测量方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN97190998.9无效
发明人：赤松克立;小田中绅二;海本博之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-06-24 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种生产半导体器件的方法，包括步骤：通过离子注入，形成用于控制阈值电压的杂质扩散层；以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地，高温快速热处理的处理条件以这种方式设定，即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散，而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件和半导体存储器件的检测方法-CN02140029.6无效
发明人：国清辰也;永久克己;山下恭司;海本博之;小林睦;大谷一弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。
半导体器件半导体存储器件检测方法

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