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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201580082173.5有效
发明人：森川浩昭;西野裕久;中泽幸子;浜笃郎;细川雄一朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池-CN201580081781.4在审
发明人： 浜笃郎;西村邦彦;西村慎也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：目的在于，在形成固相扩散源的膜后，接着在进行基于热处理的杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，包括在具有受光面(1A)以及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及热处理工序，加热n型单晶硅基板(1)，使作为第2导电类型的杂质的硼从BSG膜(2)扩散而形成p型扩散层(7)，在热处理工序之前，包括去除形成于背面1B的含硼生成物(4)、含氧化硅生成物(5)等固相扩散源的膜的工序。
太阳能电池制造方法以及

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块-CN201380080519.9有效
发明人：田村宣裕;幸畑隼人;浜笃郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
太阳能电池及其制造方法模块

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块-CN201380080756.5有效
发明人：田村宣裕;幸畑隼人;浜笃郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：具备第1导电型的半导体基板(11)，在作为受光面侧的一面侧具有被扩散第2导电型的杂质元素的杂质扩散层；多根受光面侧电极(61、63)，是在一面侧通过电极材料膏的多层印刷形成并与杂质扩散层电连接的多层结构的膏电极，在半导体基板(11)的面方向的特定方向上平行地延伸而具有线状形状；以及背面侧电极，形成于半导体基板(11)的另一面侧，在多根受光面侧电极(61、63)中，随着在受光面侧电极(61)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个受光面侧电极(61)的宽度变窄。
太阳能电池及其制造方法模块

[发明专利]等离子体成膜装置以及等离子体成膜方法-CN201180071560.0在审
发明人： 浜笃郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极，使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜，其中，高频电极具有：第1高频电极（101），与被成膜物（100）的第1被成膜面（113）相向；以及第2高频电极（102），与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面（114）相向，第1高频电极、第2高频电极以及接地电极（103）使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。
等离子体装置以及方法

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