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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201010125309.5有效
发明人：深泽博之;浜口雄一;浅野竹春;阿河圭吾;伴野纪之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供发光装置及其制造方法，该发光装置通过将发光元件简易安装到支撑基底而形成。该发光装置包括：支撑基底，包括在其顶面上的凹陷部分，所述凹陷部分在其侧壁上具有斜面；第一发光元件，设置在凹陷部分的底面上；以及第二发光元件，设置在第一发光元件和支撑基底上。
发光装置及其制造方法

[发明专利]激光二极管和激光二极管器件-CN200610153767.3无效
发明人：仓本大;浅野竹春 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
激光二极管器件

[发明专利]激光二极管-CN200610159248.8无效
发明人：佐藤庆二;林隆一郎;及川健二;浅野竹春 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-08-08 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种低材料成本的容易组装的激光二极管。提供在衬底上具有激光器结构的第一发光器件，在衬底上具有激光器结构的第二发光器件，以及支撑基底。第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，第一发光器件的衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。
激光二极管

[发明专利]氮化物半导体，半导体器件及其制造方法-CN200410068799.4无效
发明人：后藤修;浅野竹春;竹谷元伸;簗嵨克典;池田真朗;涉谷胜义;铃木康彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成籽晶部分，及该籽晶部分的表面上具有多个开口部分的生长抑制层。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段在1040℃的生长温度下形成低温生长部分，并在第二阶段在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。
氮化物半导体半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN03127864.7有效
发明人：日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1999-11-26 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO₂，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
半导体器件制造方法

[发明专利]氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法-CN99124388.9有效
发明人：日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1999-11-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO₂，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
氮化物半导体生长方法半导体器件及其制造

[发明专利]氮化物半导体，半导体器件及其制造方法-CN03128602.X有效
发明人：后藤修;浅野竹春;竹谷元伸;簗嶋克典;池田真朗;涉谷胜义;铃木康彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段(A)在1030℃的生长温度下形成具有梯形形状横截面的低温生长部分，并在第二阶段(B)在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。
氮化物半导体半导体器件及其制造方法

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