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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]射频识别设备及其测试方法-CN201010000726.7无效
发明人：姜熙福;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频识别(RFID)设备及其测试方法。在该测试方法中，RFID设备根据时间共享机制，接收不同种类的标签选择地址和存储地址，以测试一个或多个RFID标签。RFID设备包括标签芯片和测试芯片。标签芯片在从外部节点接收到测试输入信号时执行测试操作，并且向外输出指示测试操作的结果的测试输出信号。测试芯片在测试模式期间经测试焊盘从外部节点接收到地址和数据时，测试所述标签芯片。
射频识别设备及其测试方法

[发明专利]射频标识设备-CN200810132517.0无效
发明人：姜熙福;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：一种RFID设备包括模拟块、数字块、和存储器块。所述模拟块接收射频信号以输出操作命令信号。所述数字块响应于所述操作命令信号而输出地址、操作控制信号、温度传感器激活信号、和温度补偿信号。所述存储器块在包括多个非易失性铁电电容器的单元阵列中读/写数据。所述存储器块还具有温度处置单元，其响应于所述温度补偿信号而设置温度补偿的参数值，响应于所述温度传感器激活信号而检测RFID标签中的温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较。根据该比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。
射频标识设备

[发明专利]具有参考单元阵列的相变存储器件-CN200810168693.X有效
发明人：姜熙福;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变存储器件包括与多条字线交叉的多条位线和一条参考位线。单元阵列块具有在字线和位线交叉的地方排列的相变电阻单元。参考单元阵列块，配置成输出参考电流，并且在字线和参考位线交叉的地方形成。列选择单元，配置成选择连接到单元阵列块的相应的位线。参考列选择单元连接到参考单元阵列块，并且配置成选择参考位线。读出放大器连接到列选择单元和参考列选择单元，并且配置成接收参考电流和位线的单元数据电流。
具有参考单元阵列相变存储器件

[发明专利]驱动相变存储设备的方法-CN200810127056.8有效
发明人：姜熙福;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种用于驱动包括相变电阻器的相变存储设备的方法。该方法包括：向该相变电阻器施加触发电压第一写时间，以预热该相变电阻器；向该相变电阻器施加第一写电压第二写时间，以控制该相变电阻器的第一状态；以及向该相变电阻器施加第二写电压第三写时间，以控制该相变电阻器的第二状态。
驱动相变存储设备方法

[发明专利]相变存储器件-CN200810126338.6无效
发明人：姜熙福;安进弘;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种相变存储器件包括在行方向上布置的多条字线和在列方向上布置的多条位线。在列方向上布置多条参考位线和多条钳位位线。在字线和位线相交之处布置包括相变电阻单元的单元阵列块。在字线和参考位线相交之处形成参考单元阵列块。参考单元阵列块被配置为输出参考电流。在字线和钳位位线相交之处形成钳位单元阵列块。钳位单元阵列块被配置为输出钳位电流。读出放大器连接到每条位线并被配置为接收钳位电压和参考电压。
相变存储器件

[发明专利]具有铁电器件的半导体存储器器件及其更新方法-CN200710185776.5无效
发明人：姜熙福;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铁电器件的半导体存储器器件及其更新方法。该器件包括形成在衬底中的沟道区、漏区和源区、形成在沟道区上方的铁电层、和形成在铁电层上方的字线。根据铁电层的极性状态将不同的沟道电阻引入沟道区，在读取电压施加于字线和读出偏压施加于漏区和源区之一时，通过根据铁电层的极性状态区分的单元读出电流值执行数据读取操作，以及通过根据施加于字线、漏区和源区的电压改变的铁电层的极性来执行数据写入操作。
具有器件半导体存储器及其更新方法

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