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[发明专利]用于根据稀疏粒子撞击数据进行图像分割的系统和方法-CN202180027308.3在审
发明人： C·帕夫洛维奇;M·格林;A·索金;C·K·阿南德;N·D·巴西姆;Y·萨提皮 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：描述了用于分割图像的系统和方法，所述系统和方法包括在多个感测位置中的每个处使用粒子束撞击衬底表面，所述多个感测位置限定衬底表面的一个感兴趣的区域内的位置的子集。测量与由所述撞击产生的撞击后粒子相关联的强度值并且基于感测位置的强度值计算测量的强度。对于限定所述感兴趣的区域的另一个子集的多个估计的位置中的每个，并且基于与所述估计的位置近侧的一个或多个位置对应的以下中的至少一个计算对应的估计的强度。基于所述对应的估计的强度分割所述多个估计的位置中的每个，并且基于对应的测量的强度分割所述感测位置中的每个，以对应于多个特征中的一个。
用于根据稀疏粒子撞击数据进行图像分割系统方法

[发明专利]采用聚焦离子束的电路跟踪-CN201510543815.9有效
发明人：克里斯多夫·帕夫洛维奇;亚历山大·索金;亚历山大·克里茨米尔 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：所描述的是用于通过采用聚焦离子束为基础的成像技术跟踪在集成电路上的电路的方法和系统的多个实施例。在一该实施例中，用于识别与集成电路上的可切换电源接口有关联的功能性元件部分的一方法，其中该可切换电源接口包括一个之间带有控制开关的源极和漏极，在集成电路运行的过程中，所述控制开关通过控制信号而可控.该方法包括:a.通过沉积的导电材料连接源极和漏极；b.通过源极和漏极的其中一个极，将一个外部偏置电压施加于该可切换电源接口的电源输入；c.将集成电路暴露于一聚焦离子束；d.在暴露的过程中收集集成电路的图像，以确定与可关断电源接口进行有效连接的高对比度指示功能元件部分的区域。
采用聚焦离子束电路跟踪

[发明专利]离子束去层系统和方法、由其产生的形貌增强的经去层的样品、以及与其相关的成像方法和系统-CN201980090071.6在审
发明人： C·帕夫洛维奇;A·索金 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N19/06 文献下载
摘要：描述了离子束去层系统和方法、由其产生的形貌增强的样品以及与其相关的成像方法和系统的多个实施方案。在一个实施方案中，一种方法包括：识别样品的暴露的表面中的至少两种材料和离子束铣销机的预定操作特性，所述预定操作特性对应于所述材料中的至少一种材料的大体不同的离子束铣销移除速率；根据所述预定操作特性操作所述离子束铣销机，以同时移除所述材料并且引入或增强与所述材料相关联的形貌和由所述形貌限定的表面特征；获取表面数据；以及对至少再一个层重复所述操作和获取步骤。
离子束系统方法产生形貌增强经去层样品以及与其相关成像

[发明专利]离子束去层系统和方法以及用于其的终点监测系统和方法-CN202080010315.8在审
发明人： C·帕夫洛维奇 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N19/06 文献下载
摘要：描述了离子束去层系统和方法以及用于其的终点监测系统和方法的多个实施方案。在一个实施方案中，描述了一种用于监测用于未知异质分层样品的离子束去层过程的方法，所述方法包括：将所述样品接地以允许电流从所述样品流动，所述流动至少部分地由于所述离子束去层过程；使用所述离子束来铣销所述样品的当前暴露的层，当所述当前暴露的层被铣销时，从而导致给定的可测量的电流从所述样品流动，其中所述给定的可测量的电流指示所述当前暴露的层的暴露的表面材料成分；在所述铣销期间检测所述可测量的电流的可测量的改变作为对应的暴露的表面材料成分改变的表示；以及将所述可测量的改变与所述样品的新暴露的层相关联。
离子束系统方法以及用于终点监测

[发明专利]与成像装置中失真校正相关的方法、系统和装置-CN201680023239.8有效
发明人：克里斯多夫·帕夫洛维奇;亚历山大·索金;弗拉迪米尔·马丁塞维奇 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本文公开了与失真校正成像相关的装置、系统和方法，该失真校正成像旨在采集衬底的图像相关数据，所述装置、系统和方法包括：一光束发射器，用于将发射指向衬底上预期位置处，以及一信号检测器，用来确定与所述发射相关联的信号强度值；其中所述信号强度值与校正后的衬底位置相关联，所述校正后的衬底位置是从所述预期衬底位置和校正因子中确定的，所述校正因子是所述预期衬底位置的一个函数。
成像装置失真校正相关方法系统

[发明专利]采用聚焦离子束的电路跟踪-CN201611060195.4有效
发明人：克里斯·帕夫洛维奇;亚历山大·索金;迈克尔·W·法纳夫;亚历山大·克里茨米尔;肯·G·拉加里克 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G01R31/303 文献下载
摘要：用于通过采用聚焦离子束成像技术跟踪在集成电路上的电子线路的方法和系统。在集成电路上的第一组件或节点被连接到一集成电路上的第二组件或节点。在一个外部偏压被施加到所述第一组件或节点，一聚焦离子束被施加到所述集成电路，并且使用一个电子探测器采集图像。连接到第二组件的，在集成电路上的特征或组件将会在结果图像上产生高对比度。该方法还包括施加一个偏压给一个节点或组件，并且随后使用聚焦离子束技术(通过一电子探测器)以达成该集成电路的图案。连接到该节点的组件会在结果图像上呈现高对比度。
采用聚焦离子束电路跟踪

[发明专利]用于对样品去层以对样品进行逆向工程的系统和方法-CN201610565566.8有效
发明人：罗伯特·K·福斯特;克里斯托弗·帕沃夫伊兹;贾森·阿布特;伊恩·琼斯;海因茨·约瑟夫·内特威切 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于对样品去层以对样品进行逆向工程的系统和方法。其中，所述样品的暴露表面包括多种材料，所述系统包括：离子束打磨机；去层反馈机制；和控制系统，所述控制系统与所述离子束打磨机和所述去层反馈机制可操纵地通信，以基于所述反馈机制自动控制所述离子束打磨机的一个或更多个操作参数，从而使用所述离子束打磨机的离子束以相等的离子束移除速率移除所述多种材料中的每种材料，以从所述样品的所述暴露表面移除具有恒定厚度的平坦的层，其中，从所述样品的每个新暴露的表面获取表面数据，以用于对至少一部分的所述样品进行逆向工程。
用于样品进行逆向工程系统方法

[发明专利]逆向工程数据分析系统，集成电路组件数据处理工具及其方法-CN201811584375.1在审
发明人：迈克尔·格林 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本文描述了一种逆向工程数据分析系统，集成电路组件数据处理工具及其方法的各种实施例。在一个这样的实施例中，描述了一种用于处理从目标IC提取的IC组件数据的集成电路(IC)逆向工程数据管理系统，该系统包括：一数据存储设备，其可操作用于存储数据结构，该数据结构包括多个提取的IC组件数据节点，所述IC组件数据节点代表相应的目标IC的多个IC组件以及多个IC组件之间的连通性；一图形用户界面(GUI)；以及一数字数据处理器，其可在所述数据结构上操作：以经由所述GUI呈现所述数据节点的动态图；以根据其与其它节点的连通性用图形方式迁移所述动态图上的至少一些所述数据节点，其中连接的节点相对于彼此有吸引力地位移，使得所述迁移节点逐渐与相关节点聚集以定义不同的IC组件簇，所述不同的IC组件簇代表目标IC的不同组相关IC组件，而未连接的节点被排斥地移位以逐渐地与所述未连接的节点拉开距离。还描述了各种相关的方法，过程，系统和计算机可读介质。
数据节点逆向工程目标IC 集成电路组件数据处理工具数据分析系统数据结构动态图连通性未连接迁移计算机可读介质数字数据处理器存储数据结构数据存储设备数据管理系统图形用户界面节点聚集图形方式可操作移位集成电路排斥

[发明专利]采用聚焦离子束的电路跟踪-CN201410164753.6有效
发明人：克里斯·帕夫洛维奇;亚历山大·索金;迈克尔·W·法纳夫;亚历山大·克里茨米尔;肯·G·拉加里克 -专利权人： 泰科英赛科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：用于通过采用聚焦离子束成像技术跟踪在集成电路上的电子线路的方法和系统。在集成电路上的第一组件或节点被连接到一集成电路上的第二组件或节点。在一个外部偏压被施加到所述第一组件或节点，一聚焦离子束被施加到所述集成电路，并且使用一个电子探测器采集图像。连接到第二组件的，在集成电路上的特征或组件将会在结果图像上产生高对比度。该方法还包括施加一个偏压给一个节点或组件，并且随后使用聚焦离子束技术（通过一电子探测器）以达成该集成电路的图案。连接到该节点的组件会在结果图像上呈现高对比度。
采用聚焦离子束电路跟踪

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