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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]提供高度织构的磁阻元件和磁性存储器的方法和系统-CN200580041791.1无效
发明人：马亨德拉·帕卡拉;泰瑞·瓦勒特;怀一鸣;刁治涛 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：揭示了一种提供磁性元件的方法和系统。所述方法和系统包括提供被钉扎层，自由层以及被钉扎层和自由层之间的间隔层。所述间隔层是绝缘的，并具有规则的晶体结构。所述间隔层也设置成允许隧穿所述间隔层。一方面，对于所述间隔层，所述自由层由具有相对间隔层的特定晶体结构和织构的单一磁性层构成。另一方面，所述自由层由两个次层构成，所述第一次层具有相对所述间隔层的特定晶体结构和织构，并且所述第二次层具有低磁矩。在又一个方面，所述方法和系统也包括提供第二被钉扎层和第二非磁性的位于所述自由层和所述第二被钉扎层之间的间隔层。所述磁性元件设置成当写电流通过所述磁性元件时，允许由于自旋转移而转换自由层。
提供高度磁阻元件磁性存储器方法系统

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