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[发明专利]导体结构-CN202280016433.9在审
发明人： 法比奥·卡拉斯特罗 -专利权人：丹佛斯硅动力有限责任公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：描述了一种设备，包括：导体结构(诸如母线)，该导体结构包括第一电连接件和第二电连接件；第一电容器对，该第一电容器对包括彼此正对地安装在导体结构的相反两侧上的第一电容器和第二电容器，其中该第一电容器和该第二电容器各自都具有第一电连接器和第二电连接器，在该第一电连接器与该第二电连接器之间具有第一电容，并且其中该第一电容器和该第二电容器各自都具有第一侧、和与该第一侧相反的第二侧；第一连接装置，该第一连接装置将该第一电容器的第一电连接器和该第二电容器的第一电连接器连接到该导体结构的第一电连接件；以及第二连接装置，该第二连接装置将该第一电容器的第二电连接器和该第二电容器的第二电连接器连接到该导体结构的第二电连接件。在对应的电容器的第一侧上的第一电连接器在该导体结构的对应侧上对准，并且在对应的电容器的第一侧上的第二电连接器在该导体结构的对应侧上对准。
导体结构

[发明专利]半导体电源转换器件的具有正电阻温度系数(PTC)的栅极网络-CN201880040701.4有效
发明人：彼得·阿尔默恩·洛斯;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;法比奥·卡拉斯特罗;阿尔瓦罗·乔治·马里·库尔韦洛 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种碳化硅(SiC)功率转换器件的栅极网络包括：多个SiC‑金属‑氧化物‑半导体‑基(MOS‑基)晶体管器件单元的栅极电极，设置于SiC功率转换器件的有源区域中；和栅极焊盘，设置于SiC功率转换器件的栅极焊盘总线区域中。该栅极网络还包括设置于SiC功率转换器件的栅极焊盘总线区域中的栅极总线，其中该栅极总线在栅极焊盘和SiC功率转换器件的有源区域中的至少一部分的多个栅极电极之间延伸并将栅极焊盘电连接至SiC功率转换器件的有源区域中的至少一部分的多个栅极电极。该栅极网络的栅极焊盘、栅极总线、多个栅极电极或它们的组合中至少一部分具有大于约每摄氏度百万分之2000/(ppm/℃)的正电阻温度系数。
半导体电源转换器件具有电阻温度系数 ptc 栅极网络

[其他]带有电导体的电功率模块和包括电功率模块的电功率组件-CN201990001169.5有效
发明人： 法比奥·卡拉斯特罗 -专利权人：丹佛斯硅动力有限责任公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：一种电功率模块，该电功率模块包括壳体，该壳体具有安装在其中的电气部件、并且具有至少两个电导体，该至少两个电导体用于在不同电位处、在壳体的外部与电气部件之间传导电流。这些电导体中的每一个电导体都至少部分地被用于电绝缘的热稳定树脂粉末涂覆、并且包括至少一个从壳体突出到外部的端子。该至少一个端子是无孔的，并且能够藉由材料粘合永久地电连接到其他电子装置的端子。
带有导体电功率模块包括组件